因为制造半导体器件和集成电路时，最重要的是要很好地控制掺入的杂质的种类和数量（浓度）；而且有些杂质对半导体载流子的影响也很不好（例如减短寿命、降低迁移率）。为了达到能够可控的掺杂和去掉有害杂质，就必须事先把作为原始材料的Si片提纯使之成为本征半导体。否则就难以实现有目的地掺杂和做好器件和电路。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？温度变化时候，载流子数目肯定变化。少子与多子变化数目不相同。因为少子浓度和多子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方。二者和不是定值，积是一个定值。在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？在下图电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，当输在下图电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，当输入正弦电压入正弦电压u ui i=10sin=10sint t，试画出输出电压，试画出输出电压u uo o的波形。的波形。t tu uo o在下图电路中，在下图电路中，U=5VU=5V，u ui i=10sin=10sint t，二极管的正向压降可以忽略不计，是分别画，二极管的正向压降可以忽略不计，是分别画出输出
