第三章第三章 集成电路制造工艺集成电路制造工艺 第三章第三章1PPT课件第三章第三章 3.1 硅平面工艺硅平面工艺 3.2 氧化绝缘层工艺氧化绝缘层工艺 3.3 扩散掺杂工艺扩散掺杂工艺 3.4 光刻工艺光刻工艺 3.5 掩模制版技术掩模制版技术 3.6 外延生长工艺外延生长工艺 3.7 金属层制备工艺金属层制备工艺 3.8 隔离工艺技术隔离工艺技术 3.9 CMOS集成电路工艺流程集成电路工艺流程 主要内容主要内容2PPT课件第三章第三章集成电路的核心是半导体器件包括：电阻 电容 电感 二极管 三极管 结型场效应晶体管 MOS场效应晶体管.不同类型的半导体区域和它们之间一个或多个PN结组成半导体器件生产工艺的基本原理半导体器件生产工艺的基本原理根据电路设计要求，在半导体材料不同区域形成不同导电区域(P型以及N型)进而形成一个或多个PN结3PPT课件第三章第三章19501950年年，合合金金法法制制备备的的晶晶体体管管即即合合金金管管或或台台面面管管半导体器件工艺技术发展的三个阶段半导体器件工艺技术发展的三个阶段4PPT课件第三章第三章19551955年，发明扩散技术，扩散能够精确控制
