半导体材料 2第五第五章硅章硅外延生长外延生长 5.15.1外延生长概述外延生长概述外延生长外延生长用来用来生长生长薄层单晶材料，即薄层单晶材料，即薄膜薄膜外延生长：外延生长：在一定条件下，在一定条件下，在单晶衬底在单晶衬底上，上，生长生长一层合乎要求的一层合乎要求的单晶单晶层的方法。层的方法。生长的这层生长的这层单晶单晶叫叫外延层外延层。（厚度为几微米）（厚度为几微米）（厚度为几微米）（厚度为几微米）3外延生长分类外延生长分类根据外延层性质根据外延层性质 正外延：正外延：器件制作在外延层上器件制作在外延层上 反外延：反外延：器件制作在衬底上器件制作在衬底上同质外延同质外延：外延层与衬底：外延层与衬底同种材料同种材料如如如如Si/SiSi/Si、GaAs/GaAs GaAs/GaAs、GaP/GaP;GaP/GaP;异质外延异质外延：外延层与衬底：外延层与衬底不同材料不同材料如如如如Si/AlSi/Al2 2OO3 3、GaS/SiGaS/Si、GaAlAs/GaAsGaAlAs/GaAs；4根据外延生长方法：根据外延生长方法：直接外延直接外延间接外延间接外延是用加热、电子轰击或外加电
