第二章 模拟电路基础知识模拟与数字模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间连续的信号）数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号）CMOS工艺中常用的器件二极管(D)BJT(Q)MOS管(M)电容(C)电阻（R）电感（射频IC中用到）1、PN结二极管部分符号与结构：电流电压特性2、MOS管部分图中D为漏极，G为栅极，S为源极，B为衬底。NMOS管的高电位端为漏极，低电位端为源极；PMOS管的高电位端为源极，低电位端为漏极。NMOS管的剖面结构图MOS的符号MOS 管工作I-V特性阈值电压（Vt）：栅氧化层下源漏之间形成载流子沟道所需要的栅极电压为阈值电压。1.Vgs0时，Ids0NMOS 管工作I-V特性（线性区）当0VdsVgs-Vtn时（线性区），MOS管工作特性下图所示。当Vds很小时，可近似看为：Ids随Vds变化呈线性关系此时一般将mos管用作电阻或者开关MOS的线性区、饱和区（存在沟道调制效应）NMOS 管工作I-V特性（饱和区）二极效应：体效应衬底偏置效应：当NMOS管源极和衬底电位不一致时（衬底电位更低），有更多的空
