第九章第九章半导体中的光吸收和光探测器半导体中的光吸收和光探测器9.1半导体中的光吸收理论半导体中的光吸收理论9.2半导体中的本征吸收和其他光吸收半导体中的本征吸收和其他光吸收9.3半导体光电探测器的材料和性能参数半导体光电探测器的材料和性能参数9.4半导体光电探测器半导体光电探测器第九章第九章 半导体中的光吸收和光探测半导体中的光吸收和光探测n半导体对光的吸收机构大致可分为：半导体对光的吸收机构大致可分为：n 本征吸收；本征吸收；n 激子吸收；激子吸收；n 晶格振动吸收；晶格振动吸收；n 杂质吸收；杂质吸收；n 自由载流子吸收自由载流子吸收.n参与光吸收跃迁的电子可涉及四种：参与光吸收跃迁的电子可涉及四种：n 价电子；价电子；n 内壳层电子；内壳层电子；n 自由电子；自由电子；n 杂质或缺陷中的束缚电子，杂质或缺陷中的束缚电子，(1)光吸收系数：光吸收系数：半导体吸收光的机理主要有带间跃迁吸收（本征半导体吸收光的机理主要有带间跃迁吸收（本征吸收）、载流子吸收、晶格振动吸收等。吸收光的强吸收）、载流子吸收、晶格振动吸收等。吸收光的强弱常常采用描述光在半导体中衰减快慢的参量弱常常采用描述
