第四章第四章 外延片的制备外延片的制备4.1硅外延工艺概述硅外延工艺概述 定义定义:外延外延(epitaxy)是在一定条件下，在一片表面是在一定条件下，在一片表面经过细致加工的单晶衬底上，沿其原来的结晶轴经过细致加工的单晶衬底上，沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格方向，生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构完整性都符合要求的新单晶层的过程。结构完整性都符合要求的新单晶层的过程。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。层。长了外延层的衬底称为外延片。同质外延：生长的外延层与衬底材料相同同质外延：生长的外延层与衬底材料相同 异质外延：外延层在结构、性质上与衬底材料不异质外延：外延层在结构、性质上与衬底材料不 同同 外延分类外延分类:气相外延气相外延(VPE)常用常用 液相外延液相外延(LPE)固相外延固相外延(SPE)熔融再结晶熔融再结晶 分子束外延分子束外延(MBE)超薄超薄4.2外延生长动力学原理外延生长动力学原理 外延时，通入含有一定硅源的氢气流，并流经被外延时，通入含有一定硅源的氢
