第十章 金属化与平坦化1概 述n n金属化金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜，通过光刻形成互连金属线和淀积金属薄膜，通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程集成电路的孔填充塞的过程。金属线被夹在金属线被夹在两个绝缘介质层中间形成电整体两个绝缘介质层中间形成电整体n n随着电子工业的迅速发展，工艺技术快速进随着电子工业的迅速发展，工艺技术快速进步，已达到极大规模集成电路（步，已达到极大规模集成电路（ULSI）阶段。阶段。而金属化（而金属化（Metallization）成为一个极为重成为一个极为重要的关键步骤要的关键步骤2互连金属34n n在微电子工业硅晶集成电路中金属薄膜主要用于在微电子工业硅晶集成电路中金属薄膜主要用于n n1.欧姆接触（欧姆接触（Ohmic Contact）n n2.肖特基接触（肖特基接触（Schottky Barrier Contact）n n3.低阻栅电极（低阻栅电极（Gate Electrode）n n4.器件间互联（器件间互联（interconnect）5对IC金属化系统的主要要求 (1)(1)(1)(1
