RF LDMOS 的发展状况和技术路线RF LDMOS的发展状况1969，Y.Tarui等提出了LDMOS1972，Sigg最先开发出应用于射频领域的LDMOS1976，Declerq和Plummer采用了横向双扩散和轻掺杂的方法做出高压大电流的LDMOS1980，T.O kabe等人研制出了可以在1.1GHz下连续波输出功率为22W、增益为8.5dB、漏极效率为51%LDMOS，这显示出LDMOS器件可以用在射频、微波功率领域上世纪80年代初，美国雷达开始应用了RF LDMOS器件上世纪90年代，RF LDMOS器件逐步进入商业领域1992，Isao Yo shida等人研制出了高效率的靠电池供电移动通信用的低压Mo栅LDMOS，其沟道长度为0.18 m，在1.5GHz下输出功率为2W，增益为8dB，漏极效达65%，功率附加效率为55%。1994，这个团队又研制出了在1.5GHz下连续波输出为35W，增益为13dB，漏极效率为50%的射频LDMOS功率器件。1996年，Motorola的Alan Wood等人研制出了在2GHz下连续波输出功率为60W，增益为11dB，漏极效率为44%
