微电子制造技术微电子制造技术微电子制造技术微电子制造技术第第第第 13 13 章章章章 光刻光刻光刻光刻:气相成底膜到软烘气相成底膜到软烘气相成底膜到软烘气相成底膜到软烘 学学 习习 目目 标标1.了解光刻的基本概念，包括工艺概述、关键尺寸划分、光谱、分辨率、工艺宽容度等；2.讨论正性胶和负性胶的区别；3.了解光刻的8个基本步骤；4.讨论光刻胶的物理特性；5.解释软烘的目的，并说明它在生产中如何完成；光刻的基本概念光刻的基本概念 光光刻刻就就是是利用光刻胶的感感光光性性和耐耐蚀蚀性性，在各种薄膜上复复印印并刻刻蚀蚀出与掩摸版完全对应的几何图形。以实现选选择择性性掺掺杂杂和金金属属布布线线的目的。是一种非常精细的表面加工技术，在芯片生产过程中广泛应用。光光刻刻精精度度和和质质量量将直接影响器件的性能指标，同时也是影响制造成品率和可靠性的重要因素。光刻过程如图所示有薄膜的晶圆光刻制程正胶工艺开孔-或负胶工艺留岛-光刻是一种多步骤的图形转移过程多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每一层。图图形形转转移移通通过过两两步步完
