干蚀刻简介一、干蚀刻的定义二、干蚀刻的原理三、干蚀刻的模式四、干蚀刻设备结构五、干蚀刻制程腔的构造目录镀膜(PVD、CVD)上光阻(Coater)光罩 曝光(Exposure)去光阻液(Stripper)去光阻蚀刻(Dry、Wet)酸气体镀下一层膜显影(Developer)显影液清洗一、干蚀刻的定义干蚀刻的定义：干蚀刻的定义：p蚀刻，就是通过“电浆（Plasma）蚀刻”即干蚀刻或“湿式化学蚀刻”将显影后没有被光阻覆盖的薄膜去除，做出需要的线路图案；p干蚀刻，即将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成电浆，对特定膜层加以化学性蚀刻或离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式；p简单的说，干蚀刻：去掉不想要的薄膜，留下想要的。干蚀刻一般用于非金属膜的蚀刻一、干蚀刻的定义p电浆是除固、液、气外，物质存在的第四态。固体液体气体电浆加热加热加电正离子电子自由基分子什么是电浆？什么是电浆？p它主要由电子、正离子、分子、自由基等组成，但其中正负电荷总数却处处相等，对外显示电中性。这种状态的气体被称为电浆（Plasma）。二、干蚀刻的原理二、干蚀刻的原理电浆中的碰撞电浆中的碰撞电浆中有两类碰电浆中有两类
