第五章第五章 场效应管放大电路场效应管放大电路 场效应管场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道沟道器件和空穴作为载流子的P沟道沟道器件。场效应管：结型N沟道P沟道 MOS型N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型5.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体（半导体（MOS）场效应管）场效应管金属氧化物场效应管金属氧化物场效应管MOSFET(Metal OxideMOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)Semiconductor FET)又称绝缘栅型场效应管，绝缘栅型场效应管，它是一种利用半导体表面电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于109。增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。1.1.结构和符号结构和符号 N沟道增强型沟道增强型MOSFET结构左右对称，是在一块浓度较低的P型硅上生成一层SiO2 薄膜绝缘层
