场效晶体管场效晶体管是是仅由一种载流子仅由一种载流子参与导电的半参与导电的半导体器件，是一种导体器件，是一种用输入电压控用输入电压控制输出电流的制输出电流的半导体器件。半导体器件。从场效晶体管的结构来划分，它有两大类：从场效晶体管的结构来划分，它有两大类：1.结型场效晶体管结型场效晶体管JFET (Junction type Field Effect Transister)2.绝缘栅型场效晶体管绝缘栅型场效晶体管IGFET (Insulated Gate Field Effect Transister)IGFET也称金属氧化物半导体三极管也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道沟道器件和空穴作为载流子的器件和空穴作为载流子的P沟道沟道器件。器件。N沟道增强型沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图的结构示意图和符号见图 16.11.1。其中：。其中：D(Drain)为漏极，相当为漏极，相当c；G(Gate)为栅极，相当为栅
