纳米结构的图形转移技术纳米结构的图形转移技术纳米结构的图形转移技术纳米结构的图形转移技术物理方法化学方法图形转移技术光学光刻技术非光刻图形制备技术纳米结构的自组装技术传统方法Page 2传统的光学光刻技术 光刻是制造半导体器件和集成电路微图形结构的关键工艺技术，思路起源于印制技术中的照相制版，属于平面工艺。光学平面印制工艺分为两步：掩膜的制备和图形的转移。Page 3传统光刻技术遇到的困境：最小特征线宽（Minimum Feature Size，MFS）决定不仅与曝光光源波长以及光学系统有关，而且还与曝光材料等工艺细节有关：MFS=k1/NA式中：k1是为工艺因子；为曝光波长；NA 为投 影光刻物镜的数值孔径。1）降低工艺因子(k1)：OAI（离轴照明）、PSM（移相掩模）及OPC（光学邻近效应校正）等2）缩短曝光波长()：436nm(g线)365nm(i线)248nm(KrF)193nm(ArF)157nm NGL(下一代光刻术)3）提高物镜的数值孔径(NA)：非浸没式：0.280.420.480.600.680.750.780.82 0.85(极限)浸没式：1.3(2003)1.4
