n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础11.1 双端双端MOS结构结构n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础n能带图n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础多子积累：1）能带）能带（向上向上）弯曲并接近弯曲并接近EF；2）多子（空穴）在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。）多子（空穴）在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 (a)加负栅压n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础多子耗尽：多子耗尽：1）表面能带向下弯曲；2）表面上的多子浓度比体内少得多，基本上耗尽，表面带负电。图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 (b)加小正栅压n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础少子反型：少子反型：1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）；2）表面区的少子数多子数表面反型；3）反型层和半导体内部之间还夹着一层
