四、位错的来源和增殖四、位错的来源和增殖2 2、位错的生成：、位错的生成：晶体在凝固及生长过程中的位相差、饱和空位晶体在凝固及生长过程中的位相差、饱和空位 的聚集、局部应力集中产生滑移等的聚集、局部应力集中产生滑移等1 1、位错的密度、位错的密度 位错密度位错密度是单位体积晶体中所含的位错线的总长度：是单位体积晶体中所含的位错线的总长度：=L/V（cm-2）一般，位错密度也定义为单位面积所见到的位错数目一般，位错密度也定义为单位面积所见到的位错数目 位错增殖的位错增殖的F-RF-R源机制源机制位错的增殖位错的增殖：晶体在变形过程中位错会大量增殖：晶体在变形过程中位错会大量增殖 弗兰克弗兰克-瑞德源（瑞德源（Frank-Read）SiSi中中中中的的的的位位位位错错错错源源源源本节重点掌握：本节重点掌握：本节重点掌握：本节重点掌握：l概念：概念：位错位错伯格斯矢量伯格斯矢量l位错的类型位错的类型一、一、固体的表面固体的表面二、晶界二、晶界三、堆垛层错三、堆垛层错补充：界面行为（润湿与粘附）补充：界面行为（润湿与粘附）3.3 3.3 面缺陷面缺陷 planar defectplanar d
