唐洁影东南大学电子科学与工程学院第 5章 半导体中电子的控制5.1 半导体与外界作用5.2 半导体与 半导体5.3 半导体与 金属5.4 半导体与绝缘体5.3 半导体与金属 （ metal-semiconductor contact）功函数电子亲和能1. 能带图(1) M-S(n型 ), WmWsn型阻挡层电子耗尽(2) M-S(n型 ) , WmWsp型反阻挡层P型半导体的价带电子向金属一侧转移n型阻挡层p型阻挡层n型反阻挡层p型反阻挡层肖特基势垒高导层整流接触非整流接触欧姆接触?电子耗尽空穴耗尽势垒高度随外加正电压的增加而降低 ,因此由半导体流向金属的净电子流增加 ,且按指数增加。金 -半接触平衡时金 -半接触非平衡时净电流 =0（对阻挡层而言）（ 1）加正电压 （削弱内建电场）2. 整流特性jm-s=js-mjs-mjm-s以 n型阻挡层为例 （金属接 “+”）（ 2）加反向电压（金属接 “ ”）势垒高度随外加反电压的增加而身升高 ,因而 从半导体到金属的电子减少 ,反向电流变大，主要由金属到半导体的电子流构成。反向电流jm-s-js-m反向电压继续增大，致使 js-m近似为零 ， 反向电流趋于饱和。jm-s恒定不变js-m加反向电压
