电力电子技术试题.doc

1、 1 / 49 电力电子技术试题填空 0000002、电子技术包括 _信息电子技术 _和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 0000001、电力变换通常可分为： 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 和 交流变交流 。 0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 _开关 _状态。当器件的工作频率较高时， _开关 _损耗会成为主要的损耗。 0000001、电力变换通常分为四大类，即 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 、 交流变交流 。 0100004、过电压产生的原因 操作过电压 、 雷击过电压 ，可采取 RC 过电压抑

2、制电路 、 压敏电阻 等措施进行保护。 0100002、 请在空格内 标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ； IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 、 触发脉冲应有足够的幅度 、 触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额 和 应有良好的抗干扰性能、温度 稳定性及与主电路的电气隔离 。（可作简答题） 0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是 挑选特性参数尽量一致的器件和采用均

3、流电抗器 。 0100004、抑制过电压的方法之一是用 电容 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 0100001、型号为 KP100-8 的晶闸管表示其额定电压为 800 伏、额定有效电流为 100 安。 0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器 ； RC 过电压抑制电路 /阻容吸收 ； 硒堆 ； 压敏电阻 等几种。（写出 2 种即可） 0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 几种。 0100003、普通晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 阳极 A ， 阴极 K 和 门极 G 晶闸管的导通条

4、件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或2 / 49 者 UAK 0 且 UGK0 ；关断条件是 使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下 。 0100002、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 ，绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 0100003、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极 作为栅极，以 电力晶体管发射极和集电极 作为发射极与集电极复合而成。 0100004、有一晶闸管的型号为 KK200 9，请说明 KK 快速晶闸管 ； 200表示表示 额定电流 200A ， 9 表示 额定电压 900V 。 010000

5、4、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为 220V，流过晶闸管的电流有效值为 15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为 （ 1.5 2） 1.414 220 ；晶闸管的额定电流可选 为 （ 1.5 2） 15/1.57 。 0100003、常用的过电流保护措施有 电子电路 、 快速熔断器 、 直流快速熔断器 、 过电流继电器 。（写出 2 种即可） 0100003、给晶闸管阳极加上一定的 正向 电压；在门极加上 正向门极 电压，并形成足够的 门极触发 电流，晶闸管才能导通。 0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于 擎住 电流之前，如去掉 触发 脉冲，晶闸管又会关断。 0

6、100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘 栅双极型晶体管 IGBT ； IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是 首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件、采用均流电抗器 。 0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流 IT等于 1.57 倍 IT（ AV） ，如果IT（ AV） =100 安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5 2 倍的裕量。 0100001、晶闸

7、管的维持电流 IH是指在 40 度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从 较大3 / 49 通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小 阳极 电流。 0100001、普通晶闸管内部有 PN 结 ,，外部有三个电极，分别是 极 极和 极 。 1、两个、阳极 A、阴极 K、门极 G。 0100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时，门极上加上 电压，晶闸管就导通。 2、正向、触发。 0100001、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。 3、阻断、导通、阻断。 0100002、某半导体器件的型号为 KP50 7 的，其中 KP 表示该器件的名称为 ， 50 表示 ， 7表示

8、。 4、普通晶闸管、额定 电流 50A、额定电压 700V。 0100001、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。 5、维持电流。 0100003、在晶闸管两端并联的 RC 回路是用来防止 损坏晶闸管的。 15、（关断）过电压。 0100002、 GTO 的全称是 ，图形符号为 ； GTR 的全称是 ，图形符号为 ； P-MOSFET 的全称是 ，图形符号为 ； IGBT的全称是 ，图形符号为 。 33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管。 0100003、 GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。 33、负脉冲、反向电流。 0100001

9、、 大功率晶体管简称 。 34、 GTR。 0100003、 功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是 和 。 35、电流不够大、耐压不够高。 0100002、在 GTR、 GTO、 IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 _MOSFET_，单管输出功率最大的是 _GTO_，应用最为广泛的是 _IGBT_。 0100003、 _GTR_存在二次击穿现象， _IGBT_存在擎住现象。 4 / 49 0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是 均压 _措施。 0100003、同一晶闸管，维持电流 IH与掣住电流 IL在数值大小上有 IL_ 大于 _IH。 01

10、00003、常用的过电流保护措施有 电子电路 、 快速熔断器 。（写出二种即可） 0100001、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 螺栓型 与 平板型 。 0100002、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 1.5 2 。 0100003、晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者 UAK 0 且 UGK0 。 0100004、晶闸管的断态不重 复峰值电压 UDSM与转折电压 UBO在数值大小上应为， UDSM IH。 0100003、某晶闸管的型号为 KP200-5，其中 200 表示 额 定电流为 200A ， 5 表示

11、额定电压为 500V 。 0100004、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的 RC 电路是 均压 措施。 0100001、晶闸管的三个电极分别是 阳极 A 、 阴极 K 、 门极 G 。 0100002、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 1.5 2 倍，使其有一定5 / 49 的电压裕量。 0100002、当晶闸管加上正向 阳极电压 后，门极加上适当的正向 触发电流 ，使晶闸管导通的过程，称为触发。 0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是 均压 措施。 0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为 ITn等于 1.57 倍 IT（

12、 AV） ，如果 IT（ AV） =100 安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5 2 倍的裕量。 0200004、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是 _出现换相重叠角，整流输出电压平均值降低 _ 、 _整流电路的工作状态增多 _、 _使电网电压出现缺口，称为干扰源 _。 0200001、晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由 _负载 _决定。 0200004、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是 给负载并联续流二极管 。 0200004、单相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0 180或 180 ；三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围

13、0 150或 150 ；三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0 120或 120 。 0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由 同步环节 、 锯齿波形成环节 、 脉冲形成与脉冲移相 及其它环节成。 0200002、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的 导通角 。 0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向 电压 UFM 等于 22U （设 U2为相电压有效值）。 0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角 /2，同时 |Ed| |Ud|。 0200003、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导6 / 49 通，

14、对应的电角度称为 换相重叠角 。 0200003、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差 180 。 0200004、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角 /2，使 Ud为负值 。（可做简答题） 0200002、有源逆变指的是把 直流 能量转变成 交流 能量后送给 电网 的装置。 0200003、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 22U 。三相半 波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 26U 。（电源相电压为 U2） 0200003、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 大于60小于 120的宽脉冲 触发；二是

15、用 脉冲前沿相差 60的双窄脉冲 触发。 0200002、逆变角与控制角之间的关系为 。 3、 = 0200004、当电源电压发生瞬时与直流侧电源 联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为 或 。 5、顺向串、逆变失败、逆变颠覆。 0200004、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为 。 6、 30 35 0300002、斩波器是接在恒定直流电源和负载电路之间，用于 将直流电变为另一直流电 。 0300004、设 DC/DC 变换器的 Boost 电路中， E=10V， =0.7，则 Uo=_10/0.3_。 0300002、将直流电源的恒定电压， 通过电子器件的开关控制，变

16、换为可调的直流电压的装置称为 器。 8、斩波。 0300003、斩波器的时间比控制方式分为 脉冲宽度调制 、 频率调制 、 混合调制 三种方式。 0300003、 由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有 式， 式和 式三种工作方式。 1、定频调宽，定宽调频。调宽调频。 0300003、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有 脉冲宽度调制 、 频9 / 49 率调制 、 混合调制 三种。 0300003、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 升压 斩波电路； 降压 斩波电路； 升降压 斩波电路。 0300004、在下图中， _V1_和 _VD1_构成降压斩波电路使直流电

17、动机电动运行； _V2_和 _VD2_构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行。 0400003、在 单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是 0 180 ，负载是阻感性时移相范围是 180 。 0400003、 变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。 15、交流 交流，交流 直流 交流。 0500004、在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦 波，输出电流波形为 矩形 /方 波。 0500001、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。 0500003、通常变流电路实现换流的方式

18、有 器件换流 、 电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 四种。 0500001、逆变电路分为 逆变电路和 逆变电路两种。 2、有源、无源。 0500003、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 有源 逆变，如果接到负载，则称为 无源 逆变。 0500004、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路 (用V1,VD1,V2,VD2 表示 )。 (1) 0t1 时间段内，电流的通路为 _VD1_； (2) t1t2 时间段内，电流的通路为 _V1_； 10 / 49 (3) t2t3 时间段内，电流的通路为 _VD2_； (4) t3t4 时间 段内，电流的通路为 _V2_

19、； (5) t4t5 时间段内，电流的通路为 _VD1_； 0500002、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 电压 型逆变器和 电流 型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用 电容 器进行滤波；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠 近逆变桥侧是用 电感 滤波。 0500004、在电压型逆变器中，输出电压波形为 矩形 波，输出电流波形与 负载阻抗 有关 。 0500002、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接 供给负载 的过程称为无源逆变。 0500003、电压型逆变器其中间直流环节以 电容 贮能。 0500003、换流的方式有器件换流、电网换流、 负载换流 和 强迫换流 四种。 0500004、换流的方式有 _器件换流 _、 _电网换流 _、 _负载换流 _、 _强迫换流 _，全控型器件用 _器件换流 _方式换流 0600002、 PWM 波形的生成方法主要有 _计算法 _和 _调制法 _两种。 0600004、 SPWM 脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制，使输出端得到 一系列幅度相等，脉宽与正弦波幅值成正比的 脉冲列来等效正弦波。 0600003、 PWM 调制方式有 同步调制 、 异步调制 、 分段同步调制 三种。