1、新疆大学材料物理（材料科学基础）物理科学与技术学院 李强2007.1st TermMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错只讨论 fcc晶体中的位错。 l 实际晶体中位错的伯格斯矢量根据 Burgers矢量的特征，晶体中的位错分为：l 全位错 ：伯格斯矢量的长度等于沿滑移方向原子间距的整数 倍（如果是一倍，又称为单位矢量）。l 不全位错 ：伯格斯矢量的长度不等于沿滑移方向原子间距的整数倍。n 全位错的伯格斯矢量一般沿 密排方向 。参见书 P107表 3.1。我们前面所讲的理论均适用于全位错。下面我们主要介绍 不全位
2、错 。不全位错经常伴随形成 堆垛层错 。DateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错l 堆垛层错： 这里只讨论 fcc晶体 fcc晶体的密排面 111面的正常堆垛顺序是：ABCABCABCA、 B、 C的规定是任意的，但它们的顺序是一定的。我们将 正常 的堆垛顺序 AB， BC， CA标为 将 不正常 的堆垛 顺序 BA， CB， AC标为 l 堆垛层错分为两种： n 抽出型层错： ABCABC ABCBC n 插入型层错： ABCABC ABACABC A相当于两个抽出型
3、层错。DateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li1111121103.2.6 实际晶体结构中的位错l fcc晶体中堆垛层错的形成 112110110111ABCBCABCA11216ABCABC ABCBCA 抽出型层错ABC11216DateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错l fcc晶体中的不全位错：如果堆垛层错只是发生在部分区域，那么层错的边缘则将存在 位错 (不全位错 )。
4、ABCBAABCBAABAB插入型层错抽出型层错ABACABACACBAAl fcc中有两种重要的不全位错： Shockley不全位错 Frank不全位错DateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错l Shockley不全位错： 112110110111ABCBCABCA11216 112110ABCB110111CAl Shockley不全位错： b = 1/6l Shockley不全位错可以为螺位错，刃位错或混合位错。l Shockley不全位错可以滑移，但无法攀移。D
5、ateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错l Frank不全位错： 112110110111ABCBCA 11113111112110ABCDateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错l Frank不全位错：l Frank不全位错： b = 1/3l Frank不全位错只能是刃位错。l Frank不全位错的 位错线 l 沿 , l 和 b确定的平面的法线
6、为l b = 112, 而 （ 112） 不是 滑移面， Frank不全位错无法滑移(但可攀移），又称为不动位错。DateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错l 位错反应：位错可以发生分解或合并，但必须满足下面两个条才能发生：n 几何条件 ：b1b2b3n 能量条件 ：注意： b的方向与规定的 l的正向有关。所 以位错反应中，一般规定 反应前位 错线指向节点，反应后离开节点。DateXinjiang UniversityMaterials Science and Engineering, Dr. Q. Li3.2.6 实际晶体结构中的位错l 面心立方中的位错： Thompson四面体： 可以帮助确定 fcc结构中的位错反应。DateXinjiang University
