1、上页 下页 后退模拟电子技术基础2 半导体三极管及放大电路基础半导体三极管 共射极放大电路的组成和工作原理 放大电路的静态分析 放大电路的动态分析静态工作点的选择和稳定 共集电极和共基极放大电路多级放大器放大电路的频率特性上页 下页 后退模拟电子技术基础本章学习重点：1、半导体三极管的特性曲线和主要参数2、放大电路的分析方法3、共射极、共基极、共集电极放大电路特点、主要性能指标的分析估算4、频率响应的表达方式以及放大电路的频率特性上页 下页 后退模拟电子技术基础2.1 半导体三极管 Transistor半导体三极管又称简称晶体管。半导体三极管的放大作用和开关作用，促使了电子技术的的飞跃。上页
2、下页 后退模拟电子技术基础半导体三极管图片上页 下页 后退模拟电子技术基础上页 下页 后退模拟电子技术基础2.1.1 半导体三极管的结构（ 2） 根据使用的半导体材料分（ 1） 根据结构分 三极管的主要类型NPN型PNP型硅管锗管上页 下页 后退模拟电子技术基础NN P发射区 集电区基区发射极集电极 发射结 集电结基极 EBC1. NPN型三极管结构示意图和符号B (b)E(e)TC(c)上页 下页 后退模拟电子技术基础2、 PNP型三极管结构示意图和符号PNP型三极管符号 B ETCE发射区 集电区基区PP NCBJe Jc上页 下页 后退模拟电子技术基础EBC（ 1） 发射区小，掺杂浓度大 。（ 2）集电区掺杂浓度低，集电结面积大。（ 3）基区掺杂浓度很低，且很薄。3、 三极管的内部结构特点（具有放大作用的内部条件） ：平面型晶体管的结构示意图发射区基区集电区上页 下页 后退模拟电子技术基础2.1.2 三极管工作原理（以 NPN型管为例）三极管放大的外部条件：发射结正向偏置集电结反向偏置
