唐洁影东南大学电子科学与工程学院第 5章 半导体中电子的控制5.1 半导体与外界作用5.2 半导体与 半导体5.3 半导体与 金属5.4 半导体与绝缘体5.3 半导体与金属 （ metal-semiconductor contact）功函数电子亲和能1. 能带图(1) M-S(n型 ), WmWsn型阻挡层(2) M-S(n型 ) , WmWsp型反阻挡层P型半导体的价带电子向金属一侧转移（对阻挡层而言）金属与半导体接触可以形成 阻挡层 （肖特基势垒 Schottky Barrier）与 反阻挡层 ，前者具有与 p-n结相似的 整流特性 ，而后者具有 欧姆特性 。外加电压对 n型半导体的影响：（ 1）加正电压（金属接 “+”）2. 整流特性势垒高度随外加正电压的增加而降低 ,因此由半导体流向金属的净电子流增加 .（ 2）加反向电压（金属接 “ ”）势垒高度随外加反电压的增加而身升高 ,因而从半导体到金属的电子减少 ,反向电流主要由金属到半导体的电子流构成,金属净电子流增加 .实际 I-V特性将偏离理想情况。如1. 反向电流不饱和现象2.正向电流上升比较缓慢 .
