1、数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出第三章 逻辑门电路3.3 TTL逻辑门电路3.4 MOS逻辑门电路3.5 集成逻辑门电路的应用3.6 两种有效电平及两种逻辑符号3.1 二极管的开关特性及二极管门电路3.2 三极管的开关特性及三极管门电路3.7 门电路的 VHDL描述数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出3.1 二极管的开关特性及二极管门电路（ 1）加正向电压 UF时，二极管导通，管压降 UD可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。一、二极管的开关特性1二极管的静态特性DRLF FU IFKF RU LI数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出可见，二极管在电路中表现为一
2、个 受外加电压 ui控制的开关 。当外加电压 vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在 “开 ”态与 “关 ”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的 动态特性 。（ 2）加反向电压 VR时，二极管截止，反向电流 IS可忽略。二极管相当于一个断开的开关。3.1 二极管的开关特性及二极管门电路DLRU SRILKU RR数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出2二极管开关的动态特性给二极管电路加入一个脉冲信号，电流的波形怎样呢？ts为存储时间， tt称为渡越时间。tre ts十 tt称为反向恢复时间+DLi RuiuiUFURt1 t0it1 t0IF IStRtsIFtiI0.1
3、 t0IR t13.1 二极管的开关特性及二极管门电路数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为 开通时间 。反向恢复时间： tre ts十 tt产生反向恢复过程的原因：反向恢复时间 tre就是存储电荷消散所需要的时间。3.1 二极管的开关特性及二极管门电路+ -NPpLx浓度分布耗尽层 NP 区区中空穴区中电子区浓度分布nL数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出二、二极管门电路1.二极管与门0101B LA0011输 入0001输出与 逻辑真值表3.1 二极管的开关特性及二极管门电路B+VA LDD3kR(+5V)CC12&L
4、=ABBA输 入 输 出UA（ V） UB（ V） UL（ V）0V 0V 0V 0V 5V 0V 5V 0V 5V 5V 0V 5V 数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出2或门电路0101B LA0011输 入0111输出或逻辑真值表3.1 二极管的开关特性及二极管门电路LAB DD3k21R1 L=A+BAB输 入 输 出UA（ V） UB（ V） UL（ V）0V 0V 0V 0V 5V 5V 5V 0V 5V 5V 5V 5V 数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出1. 三极管电路的习惯画法一、三极管 的开关特性3.2 三极管的开关特性及三极管门电路6VT-CcCC1
5、50k+-U4kCEV+12VVUbBERBIRBBI+V+TVRCCc150kIRBbBB(6V)(12V)BEU+-U+-CEIC数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出6VT-CcCC150k+-U4kCEV+12VVUbBERBIRBBI2. 图解法非线性部分 线性部分直流负载线UCEQ 6VICQ1.5mA IB=40AIC=1.5mAUCEQ=6V直流工作点M(VCC,0)(12 , 0)(0 , 3)Q用估算法求 IB3.2 三极管的开关特性及三极管门电路iCCE (V)(mA)=60uAIBU=0BBII=20uABI =40uAB =80uAI=100uAIB数字电子技术基础 上一页 下一页 回目录 退出（ 1）截止状态： 当 uI小于三极管发射结死区电压时， IB ICBO0，IC ICEO0， UCEVCC， 三极管工作在截止区，对应图中的 A点。三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压3三极管的三种工作状态CCUBE+-+V+-T3BIRebIuRICbCcCEU-VCICSB1I0.7VB5C/RCIB2BIB3D=0IIBI=I BSCC EVCEAUICCB43.2 三极管的开关特性及三极管门电路
