1、 电工电子学 期末复习题 （下篇） 本复习题使用说明 ： 复习题内容是按照 知识点 编写的 非按章节 编写请同学们阅读时注意！ 第大部分：下篇 一、客观题（选择题） 单项选择题部分：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 （一）、 二极管三极管 1、 17、 电路如图所示，二极管 D1、 D2 为理想元件，则在电路中 （） 。 (a) D1起箝位 作用， D2 起隔 离作用 (b) D1起隔离作用， D2 起箝位作用 (c) D1、 D2均起箝位作用 (d) D1、 D2 均起隔离作用 D 1D 2R0V2V 12VuO2、 45、电路如图所示，二极管 D1， D2， D3 均为理想元件
2、，则输出电压 uO（） 。 (a) 0V (b) 6V (c) 18V 0 VD2D1D36 V6 V 18 V6 kuO+-3、 51、电路如图所示，二极管 D1， D2 均为理想元件，则电压 uAO=（） 。 (a) 12V (b) 0V (c) 15V 4、 33、 电路如图所示，二极管为理想元件， ui=6sin t V， U=3V，当 t =2瞬间，输出电压 uO等于 （） 。 (a) 0 V (b) 6 V (c) 3 V u i RUDu O+-+-+-5、 35、电路如图所示， D 为理想二极管， ui = 6sin t V，则输出电压的最大值 uOM = （） 。 (a) 6
3、 V (b) 3 V (c) ?3 V 6、 37、电路如图所示，二极管 D 为理想元件，当输入信号 ui =12sin tV 时，输出电压的最大值为 （） 。 (a) 12 V (b) -6 V (c) 0 V (d) 6 V 3k 15V 12 Vu AOD 1D 2+-+-+-U3Vu iDR uO+-+-+-7、 49、电路如图所示， D1， D2 均为理想二极管，当输入电压 ui 6V 时，则 uO=（） 。 (a) 6V (b) 3V (c) ui 8、 53、电路如图所示， D1， D2 均为理想二极管，设 U1 =10 V， ui = 40 sin tV, 则输出电压 uO应为
4、 ( )。 (a) 最大值为 40V，最小值为 0V (b) 最大值为 40V，最小值为 +10V (c) 最大值为 10V，最小值为 40V (d)最大值为 10V，最小值为 0V 9、 55、电路如图所示，若忽略二极管 D 的正向压降和正向电阻，则输出电压 uO为 （） 。 (a) +12V (b) +6V (c) +2V 10 k6 Vu iDu O+-+-+ -R1 6 VR23VD1D2uOu i+-+-+-R 1R 2U 1u i uOD 1D 2+-+-+-10、 57、 电路如图所示， D 为硅二极管，根据所给出的电路参数判断该管为 ( )。 (a) 正偏 (b) 反偏 (c)
5、 零偏 11、 71、晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为 （） 。 (a) 发射结反偏，集电结正偏 (b)发射结、集电结均反偏 (c) 发射结、集电结均正偏 (d) 发射结 正偏，集电结反偏 12、 73、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 6V、 9V 和 6.3V，则 6V所对应的电极为 （） 。 (a) 发射极 (b)集电极 (c) 基极 13、 77、当晶体管的集电极电流 IC 超过其最大允许值 ICM 时，其后果为 （） 。 (a) 晶体管一定损坏 (b) 不一定损坏、但 要下降 (c) 不一定损坏、但 要升高 14、 87、在计算低频小功率晶体管输入电
6、阻 rbe时，有三位同学用了三 种方法，而且计算结果差别很大，请指出正确的表达式是 （） 。 (a) rbe = UIBEB(b) rbe = UICEB(c) rbe = 300 26mVmABI15、 89、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指 （） 。 (a) 放大区 (b) 饱和区 (c) 截止区 6 V2 V10 k u i u OD 1 D 2 +-+-+-+- 12 V 12 V10 k20 k15k D15k 16、 91、如果接在电路中某晶体管的基极与发射极短路，则 （） 。 (a) 管子深度饱和 (b) 管子截止 (c) 管子工作在放大状态 17、 93、根据图中已标出各
7、晶体管电极的电位，判断处于饱和状态的晶体管是 （） 。 18、 95、工作在饱和状态的 PNP 型晶体管，其三个极的电位应为 （） 。 (a) VE VB， VC VB， VE VC (b) VE VB， VCVC (c) VB VE， VBVC 19、 97、某工作在放大状态的晶体管，测出其三个极 X， Y， Z 的电位分别为： VX = 9V，VY = 3.8V， VZ = 4V，则 （） 。 (a) X 为基极， Y 为集 电极， Z 为发射极 (b) X 为发射极， Y 为基极， Z 为集电极 (c) X 为集电极， Z 为基极， Y 为发射极 20、 99、电路如图所示，晶体管处于
8、（） 。 (a) 饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态 21、 101、 电路如图所示，静态时晶体管处于 （） 。 (a) 饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态 2 V2. 4 V2. 6 V3V12 V4 V0 V 6 V0 . 3V(a ) ( b ) (c )T12 VR ER C22、 103 电路如图所示，晶体管 UBE = 0.7 V ， = 50，则晶体管工作在 （） 。 (a) 放大区 (b) 饱和区 (c) 截止区 23、 105、某电路如图所示，晶体管集电极接有电阻 RC，根据图中的数据判断该管处在 ( )。 (a) 截止状态 (b) 放大状态 (c) 饱和
9、状态 （二）、分立元件基本放大电路 1、 1、如图示放大电路中接线有错误的元件是（）。 ( a) RL ( b) RB (c)C1 (d)C2 T 12 VR BR C3 k 6 k 1 k 12 V 3V 12 V15VR C15V15V2、 4、下列电路中能实现交流放大的是图 ( )。 3、 7、电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流 IC减小，则应（。 (a) 保持 UCC， RB一定，减小 RC (b) 保持 UCC， RC一定，增大 RB (c)保持 RB， RC一定，增大 UCC +T-R BR L u oU CC+C 1C 2R Cu i+-+-+ +UCCuoUCC
10、UCCUCC( )a ( )b( c ) ( d )+-+-+-+-+-+-+-+-uiuiuououiuoui+ + +C 1C 2R BR C U CC+-+-u ou i4、 10、放 大电路 如图所 示，已 知： R B 24 0 k， R C 3 k， 晶体管 40， U CC 12 V , 现该 电路中 的三极 管损坏 ，换 上一个 80 的新 管子 ，若要 保 持 原 来 的静态 电流 I C不变且忽略 U BE， 应把 RB调 整为 （）。 (a) 480 k (b) 120 k (c) 700 k (d) 240 k 5、 16、 固定 偏置 放 大电 路 中， 晶体 管 的
11、 50， 若将 该管 调 换为 = 8 0的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流 I C将（ ）。 ( a )增加 ( b)减少 ( c )基本不变 6、 22、 电路 如图 所示 ， 若晶 体管 的 发射 结被 烧坏 而 形成 开路 ，那 么 集电极电位 U C 应等于 ( )。 (a) 6 V (b) 0 V (c) 0.6 V (d) 5.3 V 7、 25、某固定偏置单管放大电路的静态工作点 Q 如下图所示 ， 若将直流电源 U CC适当降低，则 Q 点 将 移 至 （ ）。 (a) Q (b) Q (c)Q +C 2R BC 1+-u i+R Cu oU CC+6VT+R BR
12、 EC 1 C2R C+-+-u iu o/mA/VQQQ Q U CEI CO U CC8、 28、 在 画 放 大 电 路 的 交 流 通 路 时 常 将 耦 合 电 容 视 作 短 路 ， 直 流 电 源也视为短路，这种处理方法是 ( )。 ( a )正确的 ( b)不正确的 ( c ) 耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。 9、 31、 单 管 共 射 交 流 放 大 电 路 如 下 图 所 示 ， 该 电 路 的 输 出 电 压 uo 与输入电压 ui ， 的相位 ( )。 (a)相同 (b)相反 (c)相差 2 10、 34、某一固定偏置 NP N 管共射放大电路如
13、图 1 所示，其输入和输出电压波形如图 2 所示，造成这种失真的原因是（）。 ( a )管子的 值太小 ( b)电路电源电压 UCC 太高 ( c )偏置电阻 RB 太小 ( d)偏置电阻 RB 太大 11、 46、 放大电路如图所示，其输入电阻 ri 的正确表达式是（）。 (a) RS +(rbe+(1+)RE)/RB (b) (RS /RB)/rbe+(1+)(RE/RL) (c) RB/rbe+(1+)RE (d) RB/(rbe+(1+)(RE/RL) +TC 1C 2R CR BU CC+-u i+-u o+RBRCUCC+uoui t t图1 图2OO+-uo+-ui12、 55、
14、在 单 管 放 大 电 路 中 ，引 入 电 流 负 反 馈 ，放 大 电 路 的 输 出 电 阻 将( )。 ( a ) 减小 ( b) 增加 ( c ) 不变 13、 61、两 极 共 射 极 交 流 放 大 电 路 ，由 后 极 至 前 极 引 入 串 联 电 压 负 反 馈后起到的作用是 ( )。 ( a ) 提高输入电阻，稳定输出电压 ( b) 减小输入电阻，稳定输出电流 ( c ) 提高输入电阻，稳定输出电流 14、 67、两 级 阻 容 耦 合 放 大 电 路 中 ，若 改 变 第 一 级 静 态 基 极 电 流 I B1 则 ()。 ( a ) 第二级的基极电流 IB2 随之而
15、改变 ( b) 第二级的静态值 ( IB2 ， IC2 ， UCE2 )均不改变 ( c ) 第二级的静态电流 IB2 不改变，但 IC2 要改变 15、 70、 某 两 级 阻 容 耦 合 共 射 放 大 电 路 ,不 接 第 二 级 时 第 一 级 的 电 压 放大倍数为 100 倍 ,接上第二级后第一级电压放大倍数降为 50 倍 , 第二级的电压放大倍数为 50 倍 , 则该电路总电压放大倍数为 ( )。 ( a ) 5 0 0 0 倍 ( b) 2 5 0 0 倍 ( c ) 1 5 0 倍 16、 76、在 两 级 共 射 直 接 耦 合 放 大 电 路 中 前 后 两 极 的 静 态 工 作 点 ( )。 ( a ) 彼此独立，互不影响 ( b) 互相影响，互相牵制 ( c ) 后级对前级有影响，前级对后级无影响 17、 79、 在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是 ( )。 ( a ) 提高电压放大倍数 ( b) 抑制零点漂移 +R ER LC 1C 2R BBRSu SU CCu i+-+-u o
