1、本科毕业设计（20届）用于光子芯片的GESBSE光学薄膜的制备与性能表征所在学院专业班级通信工程学生姓名学号指导教师职称完成日期年月I摘要【摘要】硫系玻璃具有卓越的三阶非线性，已成为全光网络关键器件的理想基质材料。本文首先回顾了硫系玻璃薄膜的材料特性、研究历程及应用背景。介绍了几种常见的薄膜物理气相沉积技术，并根据现有条件采用磁控溅射沉积技术制备用于光子芯片的GESBSE光学薄膜。通过SWANEPOEL光学常数计算方法获得薄膜的相关性能表征参数。另外通过X射线光电子能谱、光谱型椭偏仪、表面轮廓仪、分光光度计、显微拉曼光谱仪等现代测量方法测试了薄膜的厚度、折射率、透过光谱、表面粗糙度、内部微观结
2、构等参数。结果表明磁控溅射制备的GESBSE光学薄膜具有良好的光学特性，并与GESBSE靶材块体玻璃保持较高的一致性，在集成光学器件领域具有较强的应用价值。【关键词】硫系玻璃；硫系薄膜；磁控溅射；光学性能。IIABSTRACT【ABSTRACT】CHALCOGENIDEGLASSESOFFEREXCELLENTPROPERTYOFTHIRDORDERNONLINEAR,WHICHMAKESITHEROMATERIALFORKEYDEVICESOFALLOPTICALNETWORKINTHISTHESIS,THEMATERIALPROPERTIES,RESEARCHBACKGROUNDANDAP
3、PLICATIONOFCHALCOGENIDEGLASSTHINFILMHAVEBEENREVIEWEDALSOSOMENORMALFILMPVDTECHNOLOGIESAREINTRODUCEDGLASSTHINFILMSOFGESBSEWEREDEPOSITEDONSIO2SUBSTRATEBYMAGNETRONSPUTTERINGSOMEKEYOPTICALPARAMETERSSUCHASREFRACTIVEINDEXN,THICKNESSDANDOPTICALBANDGAPEG,WEREDETERMINEDUSINGTHETRANSMISSIONSPECTRABASEDONSWANEP
4、OELSMETHODANDTHOSEPARAMETERSWEREDEMONSTRATEDBYXPS,SPECTRALELLIPSOMETER,SURFACEPROFILER,SPECTROPHOTOMETERANDRAMANSPECTROSCOPYRESPECTIVELYTHERESULTSHOWSTHATOPTICALTHINFILMPREPAREDBYMAGNETRONSPUTTERINGDEPOSITIONHAVEEXCELLENTOPTICALPROPERTYANDHIGHCONSISTENCYWITHGESBSETARGETGLASSITHASGREATDEVELOPMENTFORE
5、GROUNDININTEGRATEDOPTICALDEVICESAPPLICATION【KEYWORDS】SULFURGLASSSULFURFILMMAGUETRONSPUTTERINGOPTICALPROPERTIESIII目录摘要IABSTRACTII目录III1绪论111硫系玻璃简介112硫系玻璃的分类及特点113硫系薄膜的发展现状314硫系薄膜的应用315硫系薄膜的制备工艺416本论文的研究工作42理论基础621薄膜的光学常数计算方法622薄膜的厚度、折射率、色散常数计算方法723薄膜的吸收系数和光学带隙计算方法83GESBSE薄膜制备931实验仪器介绍932玻璃样品的制备933GES
6、BSE硫系薄膜的制备104实验数据分析1241玻璃靶材和薄膜的XPS光电子能谱分析1242GESBSE薄膜的透过光谱测试分析1343硫系薄膜的台阶仪和椭偏仪测试分析1744硫系薄膜的拉曼光谱测试分析195结论21参考文献22致谢错误未定义书签。11绪论11硫系玻璃简介硫系玻璃（CHALCOGENIDEGLASS），就是元素周期表VIA族元素（S，SE，TE）为主，引入一些其它电负性较弱的元素（AS、GA、SB）从而形成的无机玻璃1。20世纪50年代，自从人类发现了它们的半导体性质以来，硫系玻璃一直是非氧化物玻璃领域中的研究重点，在红外光学、非线性光学、半导体材料等诸多领域有广阔的应用空间。硫系
7、非晶半导体薄膜在光的作用下会出现许多现象，如光致暗化，光致漂白，光致结晶，光掺杂，光致二阶非线性等诸多现象，而导致这些现象产生的原因可能是光致结构变化产生的。尤其是在红外光学领域，因为除了它们在较宽的波段具有优秀的红外透过性能，他们还玻璃形成能力强，化学稳定性高，制备简单易于成形，这使得硫系玻璃成为制备红外光学元件的重要材料。在经过很多的努力后，已经研究得到了ASS，GEASS，ASSE，等系统的红外光纤；而且随着红外热成像技术的不断发展，研究硫系玻璃作为红外透镜材料也进入了一个高潮。与目前红外夜视仪上常用的光学材料单晶锗相比，硫系玻璃镜头的性价比很高，易得到大尺寸的产品，因此具有相当的竞争力
8、。如果能够成功制成硫系玻璃镜头的红外夜视仪，那么造价会大大降低，具有极大的潜在商业价值。随着夜视议系统慢慢地转为民用，用硫系玻璃取代单晶锗制作透红外光学部件将为节约成本贡献很大。更重要的是硫系元素能够和其它元素形成化学计量或者非化学计量组成的玻璃,这样的玻璃其性能连续可调。还可以在硫系玻璃中引入卤化物成分，从而在410M的红外波段具有较高的透过率前提下在可见光波段它的透过截止波长更短。重阴离子玻璃是主要含有S、SE、TE的低声子材料为。它重阴离子状况，使得该玻璃的基本振动方式在红外（IR）区位移很大，因而能应用于热成像系统。此外，硫系玻璃还具有一些独特的特性。它拥有着外部孤对电子的巨大离子，当
9、其受到电磁场辐照时，就会表现出优越的非线性光学性质。其中硫系非晶半导体材料具有较大的三阶非线性光学效应2。因为易极化阴离子具有孤对电子，这类玻璃和石英玻璃相比具有非常大的非线性光学极化率，是超快光开关用最佳候选材料之一。这类玻璃在0422M波段有良好的透过性能和高折射率，并且在平常使用的通讯波段具有良好的非共振型非线性光学性能。以上这些特点决定了硫系玻璃在红外窗口材料和全光功能器件之类等方面具有很大的应用潜力3，已经成为学者研究焦点。12硫系玻璃的分类及特点硫系玻璃是一种优良的红外材料。通过实验我们知道，以S为基础的玻璃透过极限能够达11UM，以SE为基础的玻璃透过极限为20UM，以TE为基础
10、的玻璃透过极限达30UM4，具体的以S、SE和TE为基础的硫系玻璃玻璃的最大透过范围如图11所示。2图11几种硫系玻璃的最大透过范围硫系玻璃材料可按下面分类1）纯硫族元素化合物玻璃成分，如S、SE、TE、SXSE1X等，如纯S玻璃，熔化温度的119，TG点27；SE玻璃熔化温度45。2）V族VI族系统成分，如AS2S3、AS2SE3、AS2TE3、P2SE3等以及由这些成分组成的多元系统，如AS2SE3AS2TE3、AS2SE3SB2SE3、AS2S3AS2SE3、AS2S3AS2T3、AS2S3SB2S3等，可用作红外窗口，透过界限可达1518M，也可作玻璃半导体。ASSE可用作实心多模和空
11、心玻璃光纤，损耗低于05DB/KM。AS2S3、ASSSE可用作非线性光学玻璃，三阶非线性极化率分别为721012ESU和171011ESU。3）IV族VI族系统成分，如SISE2、GES2、GESE2等，以及由这些组成的多元系统，GES2的熔化温度800，TG点为492，GESE2的熔化温度为707，TG点为422。GES2和GESE2的电导率分别为1012SM1和109SM1。GEASS、GEASSE、GEASSETE、GEASTE、GEGASE系统成分，红外透过界限在15M以上。SETEASGE成分用作阈值记忆开关。4）IIIVI族系统成分，如B2S3、INXSE1X等及由此组成的多元系
12、统。5）金属硫族化合物，如MOS3、WS3、AG2SGES2等。AG2SE成分科产生光致溶解现象，用于光诱发效应的平板印刷。AG2SGES2AGI成分有较高的离子电导率，有可能制成微电子电路中的薄膜电池。6）卤素硫族化合物玻璃成分，卤硫化合物玻璃又称硫卤化合物玻璃，是将周期表中VII族的卤素（CL、BR、I）和硫族化合物（S、SE、TE）组成的玻璃。硫族化合物与卤化物玻璃是透射中、远红外的优良材料，但同时又各自具有不易逾越缺点。硫系玻璃的化学稳定性、力学性能等均好，有较高的转变温度，但本征损耗相对较高，卤化物玻璃有很低的本征损耗，比硫系玻璃低二个数量级以上，但化学稳定性差，转变温度较低，因此人
13、们开始研制硫卤玻璃，以期获得具有硫系玻璃和卤化物玻璃的基本优点，并在一定程度上抑制二者弱点的新材料。最早的卤硫化合物玻璃，如ASSEI、GESBR、TECL4等。SB2S3PBI2二元系统成分制成的光纤在8M红外最小损耗为102DB/KM（计算值）；SB2S3PBBR2PBI2三元系统成分红外截止界限为15M，制成的光纤在8M的损耗为102DB/KM（计算3值），近年来研制的GES2GA2S3CDI2和GES2GAS2MX（MK、NA、CS、AG，XCL、BR、I）玻璃系统，具有较高的转变温度和玻璃形成能力，透光范围为048115M，密度也较高，但易吸潮。13硫系薄膜的发展现状随着科学技术的飞
14、速发展，现代科技对集成光学器件的需求越来越高，不断的推进着硫系玻璃薄膜的发展。硫系玻璃薄膜由于其在光学以及电学上的优良性能，其发展前景也越来越广泛。目前，人们对于硫系玻璃薄膜的研究方向，主要体现在以下几个方面（1）对硫系玻璃薄膜物理性能的分析5，通过X射线光电子能谱（XPS）研究硫系薄膜的组分，利用傅立叶红外光谱仪（FTIR）、EXAFS、RUTHERFOUL背散射、拉曼光谱（RAMAN）、X射线衍射仪（XRD）、差示扫描量热仪（DSC）、正电子湮灭谱、热膨胀仪和棱镜耦合仪等多种测试手段，研究硫系玻璃薄膜的微观结构特点、基本物化特性6。利用扫描电子显微镜SEM和扫描探针显微镜分别分析膜层的表面
15、形貌和粗糙度。利用台阶仪或椭圆偏振仪测量薄膜层不同区域的厚度和折射率，利用拉力法或剪切法检测薄膜与衬底之间的附着力。（2）对硫系玻璃薄膜电学性能的研究，硫系玻璃薄膜属于半导体非晶材料，其光学带隙通常在13EV左右7。一般情况下硫系薄膜的导电形式属于P型导电，在高温下又会转变为离子导电，然而最近几年人们发现了大量的掺杂也可以改变硫系薄膜的导电性能，比如采用掺杂了大量的BI元素的硫系玻璃为靶材制备的硫系玻璃薄膜的导电性能由一般情况下的P型导电转变成了N型导电8。（3）对硫系玻璃薄膜光学性质的研究，利用分光光度计和傅立叶红外光谱仪测试硫系薄膜在紫外、可见、红外区域的透过光谱、吸收谱和反射谱等，研究硫
16、系玻璃薄膜的透过率、折射率、色散常数、吸收系数、以及光学带隙等光学性质的变化规律9。（4）硫系玻璃薄膜光致效应方向的研究，非晶硫系薄膜在激光的作用下结构和物理性质会出现许多变化10，如光掺杂，光致暗化，光致结晶，光致各向异性，光致二阶非线性现象等，这些变化的产生可能与光致结构变化，光致材料中缺陷的产生与薄膜在光的作用下某些原子的扩散等有关11。（5）硫系玻璃薄膜在化学传感器领域的研究12，利用硫系玻璃薄膜制备的化学传感器可用于检测重PB、CD等重金属。采用硫系薄膜制备的传感器相比较于其他类型的传感器具有工艺操作简单以及制造成本低等优点。（6）硫系玻璃薄膜在信息存储器件领域的研究，硫系非晶半导体
17、材料在经过光辐照后很容易发生晶华变成晶态材料再通过高温加热后又会由晶态转变回非晶态，利用这个特性硫系玻璃薄膜可用于图像处理和文字光记忆的光盘等存储器件13。14硫系薄膜的应用硫系薄膜作为现代高科技下的产物，其应用领域非常广泛。作为硫系玻璃材料研究光学器件集成化、小型化领域的一个重要方向，相比较于氧化物薄膜，硫系玻璃薄膜具有透过率高、光学质量优良、4二阶非线性光学系数大等优势，其在光波导、适应光学、光调制、全光开关、太阳能电池、光存储等方面获得了大量的应用14。不仅如此，硫系玻璃薄膜在其他各大领域也有相当广泛的应用。15硫系薄膜的制备工艺制备硫系玻璃薄膜，首先要制备的就是块状的硫系玻璃，真空封熔
18、淬冷法制备硫系玻璃是目前最成熟、并且已经被广泛应用的制备工艺15。利用块状硫系玻璃制备硫系薄膜的方法比较多，其中比较典型的有热蒸发法、溶胶凝胶法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法以及磁控溅射法等几种1617。热蒸发法是最简单的物理气相沉积技术，在真空条件下，对被蒸发的玻璃样品加热使其成为气相，使其沉积到基片上成膜。热蒸发法制备硫系薄膜比较简单，并且薄膜沉积速率比较快，但是由于制备薄膜过程中对玻璃样品的加热不均匀，所制备的薄膜与原靶材之间的组分差异较大1819。溶胶凝胶法制备硫系薄膜是将硫系化合物溶解于溶剂中形成胶体，将其慢慢得滴在高速旋转的基片上，再将基片进行烘烤得到硫系薄膜。利用溶胶凝胶法制备
19、硫系薄膜成本较低，薄膜的组分比较容易控制，制备的薄膜厚度比较均匀，但是该方法制备的薄膜致密性很差20。化学气相沉积法是直接利用玻璃样品进行加热分解或进行化学反应再使其冷却后成膜。该方法制备的硫系薄膜厚度比较均匀，并且适合大面积镀膜，但是由于许多组分的硫系玻璃无法满足化学反应的条件，因此该工艺只适用于制备部分组分特殊的硫系薄膜2122。脉冲激光沉积法是指真空条件下利用透镜将激光束聚焦之后照射到玻璃样品上，使被照射部分的玻璃样品形成等离子体羽辉2324，这些等离子体羽辉再按照一定的方向传输到基片并在其表面沉积成膜。利用该法制备的硫系薄膜与玻璃靶材之间的组分偏差较小，并且薄膜沉积速率较快，但是由于等
20、离子体羽辉传输到基片时具有很强的方向性，造成沉积在基片上所得的薄膜厚度差异较大，薄膜表面比较粗糙。磁控溅射法制备硫系薄膜是指在真空环境中电子在电场的作用下，不断的与氩原子发生碰撞，使其电离出氩离子和二次电子，氩离子又在电场的加速下以极高的能量体轰击玻璃样品表面，使得样品表面的靶原子溅射出去，靶原子飞向基片表面沉积成膜2526。由于环形磁场的存在，使得电子以近视摆线的形式在靶材表面附近做圆周运动，这样便大大加长了电子的运动路径，增加了与氩原子的碰撞几率，有效的提高了薄膜的沉积效率。利用该法制备的硫系薄膜膜层均匀性较好，与玻璃靶材之间组分偏差较小27，然而相比较于热蒸发法而言，磁控溅射法成膜速率相
21、对较慢而且工艺操作比较复杂，对玻璃靶材的要求比较高。16本论文的研究工作基于以上的分析对硫系薄膜方面存在的不足，本次论文主要针对以下几方面进行研究与探索51硫系薄膜的制备以及制备工艺的探索。本次实验采用真空封熔淬冷法制备出硫系玻璃靶材之后再以磁控溅射法制备硫系薄膜。磁控溅射法制备硫系薄膜在现阶段仍然存在工艺不成熟的缺陷，需要我们不断的探索与改善。2硫系薄膜的光学性能的研究。利用X射线光电子能谱（XPS）确认所制备的硫系玻璃和薄膜的组分，利用透过光谱测试硫系玻璃和薄膜的透过率，并用包络线法求出薄膜的折射率、厚度、色散常数、吸收系数以及光学带隙等一系列光学常数，利用台阶仪测量薄膜的厚度以及表面粗糙
22、度，利用拉曼光谱（RAMAN）测试手段对制备的薄膜进行微观结构、基本物化特性的测试和分析，利用椭圆偏振仪测量薄膜层不同区域的厚度和折射率。62理论基础21薄膜的光学常数计算方法根据SWANEPOEL和MARQUEZ所提出的观点，假设用D和N表示薄膜的厚度和折射率，用和K表示薄膜的吸收系数和消光系数，用DS和NS来表示玻璃基底的厚度和折射率，在K2800NM为弱吸收区域，而800NM，而400NM800NM区域折射率应由WDD色散模型进一步确定。80085090095010001050110011501200254256258260262264INDEXOFREFRACTIONINDEXOFRE
23、FRACTIONWAVELENGTHNM图45GE20SB15SE65薄膜的折射率曲线强吸收区域的折射率由得到的折射率参数，通过WDD色散模型，外延至400NM800NM区域，算得该波段的折射率参数。首先，利用ORIGIN软件对（N21）1与（HV）2进行绘图并线性拟合，16如图46所示，获得拟合直线的斜率（E0ED）1和截距（E0/ED），进而获得单振子能量E0与色散能ED。在确定E0，ED后可通过公式（213）计算得到强吸收区域折射率。141618202201700172017401760178018001820184N211HV2EVN211VSHV2LINEARFIT图46线性拟合的（
24、N21）1（H）2曲线表42为GESBSE基质玻璃与磁控溅射制备薄膜的折射率参数对比，由此可以得出，通过磁控溅射法工艺制备出的GESBSE薄膜与原始玻璃靶材之间的折射率偏差不大。表42硫系玻璃的折射率指标测试波长GESBSE玻璃GESBSE薄膜折射率800NM259292624900NM2589525971000NM2585825631100NM258162543另外，再得出折射率后可以根据透过光谱中的峰、谷值以及其相对应折射率，依照公式（214）计算得出薄膜样品的厚度D5381921NM。计算薄膜的光学带隙主要是计算其吸收系数，而吸收系数主要分布在400NM800NM的强吸收区域，因此可以根
25、据公式（213）与（217）计算出薄膜在该区域的吸收系数，在作出（H）2和（H）1/2和（H）相对应的曲线，并相应地作出切线便可得到薄膜的光学带隙，如图46所示图形。通过查阅文献可知硫系玻璃的直接光学带隙为15EV29，简介光学带隙为12EV，比较图46中的数据可以看出，磁控溅射工艺制备出的硫系薄膜与玻璃靶材的光学带隙偏差不大。170002040608101214160000000001000020000300004000050000600007AHV2HVEV（A）GESBSE硫系薄膜直接带隙000204060810121416002000002004006008010012014016AH
26、V05HVEV（B）GESBSE硫系薄膜间接带隙图47GESBSE硫系薄膜的光学带隙43硫系薄膜的台阶仪和椭偏仪测试分析图48为磁控溅射工艺制备的GESBSE硫系薄膜在台阶仪下检测的薄膜厚度和表面粗糙度测试图。从图48（A）中可以看出磁控溅射2小时获得的薄膜厚度为215NM，通过计算可以得出溅射速率为18NM/MIN；图48（B）中可以看出薄膜表面粗糙度RA057NM。18（A）GESBSE硫系薄膜在台阶仪下测得的厚度（B）GESBSE硫系薄膜在台阶仪下测得的表面粗糙度图48GESBSE硫系薄膜台阶仪测试图图49为GESBSE硫系薄膜在椭偏仪下测得的薄膜折射率曲线。通过对比表42我们可以看出该
27、薄膜与玻璃靶材之间折射率略有偏差，初步分析可能在制备玻璃靶材的过程中组分略有偏差所致。该薄膜在椭偏仪下测得的薄膜厚度为222070NM，比较图47（A）中在台阶仪下测得的薄膜厚度数据偏差不大。1960070080090010001100120013001400192021222324INDEXOFREFRACTIONEXTINCTIONCOEFFICIENTWAVELENGTHNMINDEXOFREFRACTION0200020406EXTINCTIONCOEFFICIENT图49椭偏仪测得GE20SB15SE65薄膜折射率及消光系数曲线44硫系薄膜的拉曼光谱测试分析图49为磁控溅射制备的硫系
28、薄膜拉曼光谱测试。从图中可以看出，黑色线代表的玻璃靶材样品拉曼曲线在100300CM1区间内包含了几个重要的分峰，分别在132CM1、143CM1、195CM1和256CM1处。通过查阅文献30以及分析可以得出在195CM1处出现最大的拉曼峰，是由GESE4四面体结构单元在203CM1振动峰和SBSE键在190CM1的振动峰叠加而成。但由于样品中GE的含量大于SB，因此在拉曼光谱上表现出偏向于短波方向的不对称性。而在143CM1与265CM1处拉曼峰分别由SE2SBSBSE2的结构单元振动与SE环或SE链的振动引起；另外在256CM1处分峰为GEGE相，其存在形式为GEGEMSE4M，其中M1
29、,2,3,4。另外从该光谱图中得到磁控溅射制备的GESBSE薄膜与原始玻璃靶材相比，两者结构单元基本吻合，唯一的差别在于薄膜样品的拉曼谱线在240CM1处有一个峰值，经过分析，该峰值是CUSE相，说明了薄膜组分中含有CU元素，证实了前面薄膜的XPS测试结果。根据BICERMO和OVSHINSKY提出的化学键形成理论，结合表43可以得出在GESBSE薄膜的拓扑网络结构中，主要以GESE键、SBSE键以及SESE键的形式存在。但是在沉积过程中并未对薄膜进行退火，因此在薄膜中可能会存在少量的GEGE，SBSB，GESB等“错键”。表43GESBSE薄膜中主要键能、键长及其对应波数BONDLENGTH
30、BONDENERGYWAVENUMBERCM120NMD（KJ/MOL）GEGE022415732231GESE023920677203SBSB028212636173SESB025818389190SESE0234184102708012016020024028032036000020406081012INTENSITYARBUWAVENUMBERCM1BASEGLASSFILMSAMPLE1图49GESBSE块体玻璃及磁控溅射制备薄膜的拉曼光谱图215结论本次实验采用磁控溅射法制备了硫系玻璃薄膜，并研究了薄膜的光学性能，最终整理得出以下结论1采用磁控溅射工艺制备硫系玻璃薄膜过程中出现了靶材
31、碎裂的情况，说明了该工艺在技术操作上的不成熟，以及该工艺对玻璃靶材硬度的要求比较高，如何在制备玻璃靶材的过程中提高玻璃的质量或者在制备薄膜的过程中完善整个工艺操作，找出可行靶材优化方案，将是未来研究中需要解决的问题。2测试了制备出的硫系玻璃靶材和硫系薄膜样品的X射线电子能谱（XPS），测试了靶材玻璃和薄膜样品的组分，发现薄膜样品相比较于原玻璃靶材主要元素之间的原子比和质量比差距不大，但是薄膜样品中却比玻璃靶材多了一种CU元素，初步分析为制备硫系薄膜的过程中因为靶材碎裂而导致的托盘表面的CU元素被溅射沉积到基片表面的缘故。3测试了硫系薄膜的透过谱，通过包络线法计算出了硫系薄膜的厚度、折射率、色散
32、常数、吸收系数以及光学带隙等光学常数，与玻璃靶材的理论光学常数之间偏差很小，可以看出通过磁控溅射工艺制备的硫系薄膜样品的薄膜质量比较好。4对制备出的硫系玻璃靶材和硫系薄膜样品进行拉曼光谱测试，观察其微观结构组成，对比两者之间的键能差异，可以看出硫系薄膜样品相比于玻璃靶材的组分除了有CU元素出现以外其他组分以及化学键能基本吻合。22参考文献1王华,杨光,许银生等新型GESE2GA2SE3KI系统硫卤玻璃形成的研究J硅酸盐学报,2007,35（7）9229252王学锋,赵修建,薛建强等三阶非线性光学玻璃研究进展J材料导报,2003,17（1）27293王德强,陈玮,程继健玻璃光波导研究进展J材料导
33、报,2000,14（1）40434顾少轩,马志军,赵修建GES2GA2S3CDS玻璃的折射率与三阶非线性光学性能J硅酸盐学报,2006,34（11）131113145DONGHOKIMA,EUNGSUNBYONA,GUNHWANLEEA,SUNGLAECHOEFFECTOFDEPOSITIONTEMPERATUREONTHESTRUCTURALANDTHERMOELECTRICPROPERTIESOFBISMUTHTELLURIDETHINFILMSGROWNBYCOSPUTTERINGJTHINSOLIDFILMS,2006,5101481536汪中柱,程继健GEASSETE系统玻璃的结构J
34、华东理工大学学报,1992,118237闵嗣桂,杨涵美,陈宗才GESETE系统玻璃的光电能隙J硅酸盐学报,1981,9（4）3743798马英仁,陆家福,闵嗣桂硫系玻璃存储薄膜中的导电沟道J玻璃与搪瓷,1984,23（2）11169陈飞飞,戴世勋,沈祥等BI2O3B2O3BAO系玻璃的光学折射率与带隙J硅酸盐学报,2008,36（4）51551910LYUBINV,KLEBANOVM,TIKHOMIROVVKPHOTOINDUCEDANISOTROPYOFPHOTOCONDUCTIVITYINCHALCOGENIDEAMORPHOUSFILMJJNONCRYSTSOLIDS,200229929
35、4594811MOURAPR,ALMEIDADP,LIMAJCPHOTOINDUCEDEFFECTSINCHALCOGENIDETHINFILMSUNDERIRRADIATIONBYSYNCHROTRONLIGHTJJELECTRONSPECTRRELATPHENO,2007,155212913512门洪,邹绍芳,王平等脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究J浙江大学学报,2005,39（4）60060413薛建强,徐曼,龚跃球等硫系玻璃的制备特性及应用J光电子技术与信息,2003,16（4）283114刘启明,赵修建,顾玉宗等硫系GEASS玻璃和薄膜的特性J材料研究学报,2002,16（2）
36、16416715曹莹,聂秋华,徐铁峰等GESBSSE硫系玻璃的三阶非线性光学特性研究J光子学报,2008,3720320616卢进军,刘卫国光学薄膜技术M西北工业大学出版社,20051017王力衡,黄运添,郑海涛薄膜技术M清华大学出版社,19911018司磊,王玉霞,刘国军光学薄膜制备技术J长春理工大学学报,2004,27238402319顾培夫薄膜技术M浙江大学出版社,199020梁丽萍,赫建英,秦梅等基于透射光谱确定溶胶凝胶ZRO2薄膜的光学常数J物理学报,2008,57（12）7906791121王鹤,杨宏纳米TIOX光学薄膜的制备及性能分析J应用光学,2001,22（5）434522林
37、永昌,卢维强光学薄膜原理M国防工业出版社,199023顾少轩脉冲机激光沉积GEGASCDS非晶薄膜J国外建材科技,2007,28（6）5724JGUTWIRTH,TWAGNER,EKOTULANOVAETALONRFMAGNETRONSPUTTERINGPREPARATIONOFAGSBSTHINFILMSJJOURNALOFPHYSICSANDCHEMISTRYOFSOLIDS,2007,6883584025赖发春,翟燕,盖容权反应磁控溅射制备五氧化二铌光学薄膜J福建师范大学学报,2004,204474926顾少轩,张林,赵光华磁控溅射法制备ASS玻璃薄膜J硅酸盐通报,2007,26（1）8
38、48627赖发春,翟燕,詹仁辉等退火对TIO2和TA2O5光学薄膜的结构和光学性质的影响J福建师范大学学报,2006,221545628刘翔宇,赵来,许生等磁控溅射镀膜设备中靶的优化设计J真空,2003,（4）162229AAABUSEHLY,ASSOLTANOPTICALANDSTRUCTUREOFGE20SBXSE80XFILMSJAPPLIEDSURFACESCIENCE,2002,19914715930ZGIVANOVA,VPAMUKCHIEVA,MVLCEKONTHESTRUCTURALPHASETRANSFORMATIONSINGEXSB40XSE60GLASSJJOURNALOFNONCRYSTALLINESOLIDS,2001,293850858
