1、第 1章 常用半导体器件1. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。A.带负电 B.带正电 C.不带电 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：2. 将 PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。A.变窄 B.变宽 C.不变 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。A.增大 B.不变 C.减小 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压 ui=10sin tV 时，输出电压最大值为 10V 的电路是(
2、 )。答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：5. 电路如图所示，D1，D2 均为理想二极管，设 U1=10V，ui=40sintV,则输出电压 uO 应为( )。A.最大值为 40V，最小值为 0VB.最大值为 40V，最小值为+10VC.最大值为 10V，最小值为40VD.最大值为 10V，最小值为 0V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：D问题解析：6. 稳压管的动态电阻 rZ 是指( )。A.稳定电压 与相应电流 IZ 之比B.稳压管端电压变化量 UZ 与相应电流变化量 IZ 的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 答题： A. B.
3、 C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。A.PNP 管的集电极 B.PNP 管的发射极 C.NPN 管的发射极 D.NPN 管的基极 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为 VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。A.NPN 型锗管 B.PNP 型锗管C.NPN 型硅管 D.PNP 型硅管 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A第 2 章 基本放大电路1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反
4、偏，则集电极电流( )。A.反向 B.近似等于零C.不变 D.增大 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：3. 晶体管的电流放大系数 是指( )。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：4. 低频小功率晶体管的输入电阻
5、 rbe 等于( )。A. B. C. 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻 RC，根据图中的数据判断该管处在( )。A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。A.P 沟道耗尽型 MOS 管B.N 沟道增强型 MOS 管C.P 沟道增强型 MOS 管D.N 沟道耗尽型 MOS 管答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的
6、夹断电压 约为( )。A.0V B.2V C.2V D.1V答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在 UDS=10V，UGS=0V 处的跨导gm 约为( )。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A问题解析：9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。A.RL B.RB C.C1 D.C2答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：10. 放大电路如图所示，由于 RB1，和 RB2 阻值选取得不合适
7、而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是( )。A.适当增加 RB2，减小 RB1 B.保持 RB1 不变，适当增加 RB2C.适当增加 RB1，减小 RB2 D.保持 RB2 不变，适当减小 RB1答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C11. 图示电路，已知晶体管 ， ，忽略 UBE，如要将集电极电流IC 调整到 1.5mA.，RB 应取( )。A.480kW B.120kW C.240kW D.360kW答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A问题解析：12. 电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位 UC应等于( )。A.6V
8、B.0V C.0.6V D.5.3V答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A问题解析：13. 某固定偏置单管放大电路的静态工作点 Q 如图所示，欲使工作点移至 Q需使( )。A.偏置电阻 RB 增大 B.集电极电阻 RC 减小 C.偏置电阻 RB 减小答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：14. 单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图 2 中的( )。答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A问题解析：15. 对放大电路进行动态分析的主要任务是( )。A.确定静态工作点 Q B.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数
9、 和输入，输出电阻 ri，r0。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：16. 某一固定偏置 NPN 管共射放大电路如图 1 所示，其输入和输出电压波形如图 2 所示，造成这种失真的原因是( )。A.管子的 值太小 B.电路电源电压 太高C.偏置电阻 太小 D.偏置电阻 太大答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析：17. 如图所示的放大电路( )。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点，但比无二极管 D 的电路效果要差。C.能稳定静态工作点且效果比无二极管 D 的电路更好答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C问题解析
10、：18. 与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是( )。A.输入电阻高，输出电阻低 B.输入电阻低，输出电阻高C.输入，输出电阻都很高 D.输入，输出电阻都很低 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A问题解析：19. 27 场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数( )。A.小于但近似等于 1 B.约几十倍 C.为答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A问题解析：20. 某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为 100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为 50 倍,第二级的电压放大倍数为 50倍,则该电路总电压放大倍数为
11、( )。A.5000 倍 B.2500 倍 C.150 倍 D. 1000 倍 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B21. 两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的( )。A.输入电阻 B.信号源内阻 C.负载电阻 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：22. 两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流 IB1，则( )。A.第二级的基极电流 随之而改变B.第二级的静态值( ， ， )均不改变C.第二级的静态电流 不改变，但 要改变 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B问题解析：23. 直流放大器中的级间耦合通常采用（ ）A.阻容耦合 （b）变压器耦合（c）直接耦合 （d）电感抽头耦合 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C第 3 章 多级放大电路1. 差分放大电路的作用是（ ）A.放大差模信号，抑制共模信号 B.放大共模信号，抑制差模信号 C.放大差模信号和共模信号D.差模信号和共模信号都不放大 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A问题解析：2. 集成运放输入级一般采用的电路是（ ）。A.差分放大电路 （b）射极输出电路 （c）共基极电路 （d）电流串联负反馈电路
