1、实验八 43 5 锑化铟磁阻特性测量磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等，其中最典型的锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（GaAs ）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb ）磁阻传感器的电阻随磁感应强度的变化情况。一、实验目的1 、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。 2 、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。3 、对此关系曲线
2、的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。二、实验仪器FD-MR -型磁阻效应实验仪（：直流双路恒流电源、 022 V 直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪（GaAs 作探测器） 、锑化铟（InSb ）磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等） 、示波器、电阻箱、电磁铁、正弦交流低频发生器，双向单刀开关及导线若干。三、实验原理在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值 R 随磁感应强度 B 变化的规律称为磁阻效应。如图 43-1 所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场，如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那
3、么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大出现横向磁阻效应。如果将图 43-1 中的 a 端和 b 端短路，磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用 表示。其中 为零磁场时的电阻率，设磁阻在磁感应强度为 B 的磁场作用下的)0(/)0(电阻率为 ，则 。由于磁阻传感器电阻的相对变化率 R/R(0)正比于B)(B，这里R = R(B)R(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量R/R(0)来/表示磁阻效应的大小。 测量磁阻电阻值 R 与磁感应强度 B 的关系所用实验装置及线路如图 43-2 所示。d - URbB aIId
4、- URbB aIId - URbBaII图 43-1 磁阻效应实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率R/R(0)正比于磁感应强度 B 的二次方，而在强磁场中R/ R(0)与磁感应强度 B 呈线性函数关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为 的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量 R/R(0)正比于 B2，那么磁阻传感器的电阻 R 将随角频率 2作周期性变化。图 43-2 测量磁电阻实验装置若外界交流磁场的磁感应强度 B 为： B=B 0cost (43-1)(43-1)式中，B 0 为磁感应强度的振幅
5、， 为角频率，t 为时间。设在弱磁场中 R/R(0)=KB2 (43-2)(43-2)式中， K 为常量。由（ 43-1）式和（43-2）式可得 (43-3)tKBRRtDB2cos)0(21)0(21cos)()(/22020() 0()/()cos11()()()cosRKBtRBtw=+D(43-3)(43-3) 式中， 为不随时间变化的电阻值， 而 为以角20)(1)0(KBR tsk)(R220频率 2作余弦变化的电阻值。因此，磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中，将产生倍频交流电阻阻值变化。以锑化铟为例，磁阻在交流磁场下对正弦信号的倍频效应可以形象直观地说明磁场在小于 0.06T
6、 时，该磁阻器件的特性非常类似于光学二阶非线性效应。与锑化铟器件有类似性质的由四只薄膜合金器件组成的非平衡电桥磁阻传感器已将磁阻器件集成化，并通过附加场的补偿作用使测量区域处于线性区域，更方便地应用于工业、医疗、探矿和军事等领域中。四、实验内容及步骤1在锑化铟磁阻传感器电流或电压保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的变化关系，作R/R(0）与 B 的关系曲线，并进行曲线拟合。实验时注意 GaAs 和 InSb 传感器工作电流应小于 3mA。具体实验步骤如下：（1）直流励磁恒流源与电磁铁输入端相联连，通过调节该直流恒流电源控制电位器可改变输入电磁铁电流大小，从而改变电磁铁间隙
7、中磁感应强度的大小。 （2）按图 43-2 所示将锑化铟磁阻传感器与电阻箱串联，并与可调直流电源相接，数字电压表的一端连接磁阻传感器电阻箱公共接点，另一端与单刀双向开关的刀口处相连；。（3）确定通过锑化铟磁阻传感器的工作电流。（34）通过电磁铁的直流电流逐渐由小增加，读出磁感应强度 B。通过分别测量通过锑化铟磁阻传感器的不同的电流值及磁阻器件两端的电压值。以求得磁感应强度 B 时锑化铟磁阻传感器的电阻 R，作出求出 R 与 B 的关系图。注：由上述实验数据和曲线得出锑化铟磁阻器件在 B 0.12T 时，R / R (0)为 B 的一次函数，如果要使磁阻器件工作在线性范围内，应使其工作在大于 0
8、.12T 强的磁场下，其他的正常磁阻器件也有类似的特性。2如图 43-3 所示，将电磁铁的线圈引线与正弦交流低频发生器输出端相接；锑化铟磁阻传感器通以 2.5mA 直流电，用示波器测量磁阻传感器两端电压与电磁铁两端电压构成的李萨如图形如 43-4 所示，证明在弱正弦交流磁场情况下，磁阻传感器的阻值具有交流正弦倍频特性。A BDRSNV图 43-3 观察 磁阻传感器倍频效应原理图电磁铁分压图 43-4 李萨如图形五、思考题 1 什么叫做磁阻效应？霍尔传感器为何有磁阻效应？ 2 锑化铟磁阻传感器在弱磁场时和强磁场时的电阻值与磁感应强度关系有何不同？这两种特性有什么应用？附录一 ：实验数据处理参考1
9、、. 取样电阻 R= 298 . 9300 电压 U= 298.9300m V ;。2. 、求出电流 。U30I1.AR=表 43-1电磁铁 InSb BR/R(0)对应关系I /(mA)MU / (mvmV)RB /(mT) R (/) R/R(0)0 395.1 0.0 395.1 09.9 396.1 10.0 396.1 0.00319 400.5 20.0 400.5 0.01429 406.8 30.0 406.8 0.030电磁铁分压(和纵轴不一样)38 415.0 40.0 415 0.05047 425.1 50.0 425.1 0.07656 436.3 60.0 436.
10、3 0.10466 449.0 70.0 449 0.13494 491.5 100.0 491.5 0.244141 552.1 150.0 552.1 0.397188 590.3 200.0 590.3 0.494236 623.9 250.0 623.9 0.580284 655.6 300.0 655.6 0.659332 688.3 350.0 688.3 0.742381 722.5 400.0 722.5 0.829430 758.0 450.0 758.0 0.919479 793.5 500.0 793.5 1.00813. 、对表 43-1 数据在 时，对 R/R（0）作
11、曲线拟合见如下表 43-2，拟合得：06T.B(43-4)251B.37)(R/可知，在 B0.。12T 时对 R/R(0）作曲线拟合见如下表 43-3： ，拟合得(43-5)14.072B.)(R/由上面拟合可知，在 B0.12 时磁阻变化率R/R(0) 与磁感应强度 B 成一次函数关系。整体磁阻变化率R/R(0)与磁感应强度 B 的关系曲线如图 43-5 所示。表 43-3iR)0(/ iBiiBR)0(/ 2)0(/iR iB0.39730.4940.57990.65930.742090.82860.91851.00830.150.200.250.300.350.400.450.500.05956 0.09880.14477340.197790.259730.331440.4133250.505140.1578470.2440360.33534970.43467640.55069750.68657790.84364221.01666880.02250.040.06250.090.12250.1 60.20250.250.2740569 2.6 2.0095684 4.2694955 0.95图 43-5 R/R 与 B 的关系曲线
