1、MOS 管参数解释 MOS 管介绍在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑 MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。MOSFET 管是 FET 的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或 N 沟道共 4 种类型，一般主要应用的为增强型的 NMOS 管和增强型的 PMOS 管，所以通常提到的就是这两种。这两种增强型 MOS 管，比较常用的是 NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用 NMOS。在 MOS 管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的 M
2、OS 管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS 管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况( 低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如 4V 或 10V, 其他电压，看手册）就可以了。PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况(高端驱动)。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价
3、格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。MOS 开关管损失不管是 NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在 DS 间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率 MOS 管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS 管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘
4、积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。MOS 管驱动MOS 管导通不需要电流，只要 GS 电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。在 MOS 管的结构中可以看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。普遍用于高端驱动的 NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS 管
5、导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大(4V 或 10V 其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比 VCC 大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动 MOS 管。Mosfet 参数含义说明Features:Vds： DS 击穿电压.当 Vgs=0V 时，MOS 的 DS 所能承受的最大电压Rds(on)：DS 的导通电阻.当 Vgs=10V 时，MOS 的 DS 之间的电阻Id： 最大 DS 电流.会随温度的升高而降低Vgs: 最大 GS 电压.一般为：-20V+20VI
6、dm: 最大脉冲 DS 电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd: 最大耗散功率Tj: 最大工作结温，通常为 150 度和 175 度Tstg: 最大存储温度Iar: 雪崩电流Ear: 重复雪崩击穿能量Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量BVdss： DS 击穿电压Idss: 饱和 DS 电流，uA 级的电流Igss: GS 驱动电流，nA 级的电流.gfs: 跨导Qg: G 总充电电量Qgs: GS 充电电量 Qgd: GD 充电电量Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到 10%开始到 Vds 下降到其幅值 90%的时间Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从
7、 90% 下降到其幅值 10% 的时间Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc. 其实 MOS 主要是通过栅控制器件的开启和导通，所以以 NMOS 管为例，只需要将栅压降得足够低，让它在衬底中无法形成反型层，也就没有了沟道，没有低阻通路，自然就变成高阻态，从漏源两端看上去，它便是关断的追
8、问谢谢您的回答，不过，我还是不明白！您的意思是不是说：N 沟道 MOS 管，在常态下是低阻通路，测量 D,S 两端的电阻有几百欧是正常的，当它工作时给它加反压，就是关断的了吗？ 如果我说的不对，请您把常态下怎样检测 MOS 管的好坏方法及测量的依据告诉我好吗？我用数字万用表。请不吝赐教回答因为 MOS 管包括栅、源、漏三个电极，而一般情况下，源和漏是对称的，如果有特别标明的话，以 NMOS 为例，在测量时，漏极接高电位端，源极接低电位端。由于栅极的电压决定了 MOS 管的工作状态，因此，当NMOS 正常时，栅极接地，器件是不导通的，测量得到的源漏之间的电阻应该会很大，而当你对照器件的手册资料查找它正常工作时栅极电压一般为多少，将栅压逐渐升高（最好不要超过额定电压），源漏之间的电阻应该是逐渐降低的几百欧的电阻属于不大不小，总觉得不算是一个正常的数值，应该是 MOS 管工作在了饱和区时的值，你最好将MOS 管限定在线性区的工作状态，可能需要在 MOS 管漏极与漏处的电压源之间串联一个分压电阻也就是说你需要两个电压信号源：一个提供给栅极、一个提供给漏极，还需要一个电阻（1K 欧的应该也可以）
