1、1模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性- 光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓
2、度与温度有关。 *体电阻- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN 结* PN 结的接触电位差-硅材料约为 0.60.8V，锗材料约为 0.20.3V。* PN 结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8. PN 结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性- 正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降- 硅管 0.60.7V，锗管 0.20.3V。*死区电压- 硅管 0.5V，锗管 0.1V。3.分析方法- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V 阳 V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路
3、);若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型 微变等效电路法3. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在 PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章2-1 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型- 分为 NPN 和 PNP 两种。2.特点- 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态32. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极
4、管是电流控制器件式子 称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。* 输出特性曲线(饱和管压降，用 UCES 表示放大区- 发射结正偏，集电结反偏。 截止区- 发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高 ICBO、 ICEO 、 IC 以及 均增加。三. 低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻，常用 rbe 表示； hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用 表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C 1、 C2 的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图
5、解分析法1. 直流通路与静态分析*概念- 直流电流通的回路。*画法- 电容视为开路。4*作用- 确定静态工作点*直流负载线-由 VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1）改变 Rb ：Q 点将沿直流负载线上下移动。 2）改变 Rc ：Q 点在 IBQ 所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变 VCC：直流负载线平移，Q 点发生移动。 2. 交流通路与动态分析*概念- 交流电流流通的回路*画法- 电容视为短路 ,理想直流电压源视为短路。 *作用- 分析信号被放大的过程。*交流负载线- 连接 Q 点和 V CC点 V CC= UCEQ+ICQR L的 直线。 3. 静态
6、工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因- Q 点设置过低 *失真现象-NPN 管削顶，PNP 管削底。*消除方法- 减小 Rb，提高 Q。（2） 饱和失真*产生原因- Q 点设置过高 *失真现象-NPN 管削底，PNP 管削顶。*消除方法- 增大 Rb、减小 Rc、增大 VCC 。 4. 放大器的动态范围（1） Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围*当（U CEQ UCES）（V CC UCEQ ）时，受截止失真限制，U OPP=2UOMAX=2ICQRL。5*当（U CEQ UCES）（V CC UCEQ ）时，受饱和失真限制，U OPP=2UOMAX=2 （U
7、CEQ UCES） 。*当（U CEQ UCES）（V CC UCEQ ） ，放大器将有最大的不失真输出电压。 六. 放大电路的等效电路法1. 静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q 点在放大区的条件欲使 Q 点不进入饱和区，应满足 RBRc 。2. 放大电路的动态分析 * 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻7. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1静态分析62动态分析*电压放大倍数在 Re 两端并一电解电容 Ce 后输入电阻在 Re 两端并一电解电容 Ce 后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1静态分析2动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻73. 电路特点* 电压放大
8、倍数为正，且略小于 1，称为射极跟随器，简称射随器。* 输入电阻高，输出电阻低。2-2 场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（ JFET ）1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线UP - 截止电压 二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号82. 特性曲线*N-EMOS 的输出特性曲线* N-EMOS 的转移特性曲线式中，I DO 是 UGS=2UT 时所对应的 iD 值。* N-DMOS 的输出特性曲线注意：u GS 可正、可零、可负。转移特性曲线上 iD=0 处的值是夹断电压 UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流 IDSS2.夹断电压 Up3.开启电压 UT4.直流输入电阻 RGS5.低频跨导 gm (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导 gm - 9五. 共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析若带有 Cs，则2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析若源极带有 Cs，则六.共漏极基本放大电路* 静态分析10或 ，* 动态分析，
