1、1. 粒子能量 hcE2. 德布罗意波长 p3. 能量与动量的关系 2mEPP24. 波数 ，相速度2kT5. 边界条件 1)(2-dx6. 无限深势阱中电子的能量 （n 为电子的能级， a 为势阱的宽度）23nmahE7. /内力的作用 amF8. 电子的有效质量 （价带顶(空穴)m *0）*21kdEh9. 状态密度函数 Em32/)4(g10. 导带中的电子有效状态密度 cnc Ehm32/*)(411. 价带中的电子有效状态密度 v32/*pv）（）E（g12. 概率密度函数 （E F 为费米能级）kT-（exp1）（)(NFfE13. T=300K，kT=0.0259eV 0.259
2、VkT本征半导体14. 热平衡时电子浓度为 dE）（f）（gnFc0或 （N c 为导带有效状态密度，kT)(exp0 FccNn0Nc）15. 热平衡时空穴浓度为 )(exp0kTENvFv16. 本征载流-子浓度 ，E Fi 为本征费米能级in17. 本征费米能级相对禁带中央的位置 )mkTln(43E-*pmidF（若 ， ；*pmnmidFE若 ， ；若 ， ；）*pnmidF推导 非本征半导体18. 热平衡时电子浓度为 kT)(expnFii0EN19. 热平衡时空穴浓度为 Fii020. 热平衡状态下的半导体 02inp补偿半导体（指在同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体，
3、n 型补偿半导体aNd，p 型补偿半导体，完全补偿半导体）ad21. /电子浓度（N 型） 20 )(2niadnNN22. /空穴浓度（P 型） 20pidada23. EF 随掺杂浓度和温度的变化随着掺杂浓度的提高，n 型半导体的费米能级逐渐向导带靠近，p 型半导体逐渐向价带靠近；随着温度的升高，n i 增加，费米能级趋近于本征费米能级。载流子运输（漂移运动和扩散运动）24. 电导率 1Ne25. 电子漂移电流密度 （u 为迁移率）nEedrf/nJ26. 空穴漂移电流密度 pp27. 电子扩散电流密度 （D 为扩散系数）dxenn/difJ28. 空穴扩散电流密度 pp/dif29. /
4、总电流密度 dxpeDExneDEJpn 霍尔效应30. 霍尔电压 VH 为正，P 型半导体；霍尔电压为负，N 型半导体。 31. 载流子浓度与霍尔电压成反比，金属的霍尔效应不明显/空穴浓度 HedVIBp32. 浓度为正/电子浓度 HedVIBn33. 载流子浓度和电场强度与迁移率成反比/ 空穴迁移率 WdepVILx34. /电子迁移率 WdenVILx非平衡过剩载流子35. 稳态时（ ）过剩电子浓度t0,ng36. /小注入 P 型半导体的双极运输方程 tngxnEno )()(x）（D,2n 37. /小注入 N 型半导体的双极运输方程 pppp)(0,238. 双极运输方程的常见简化
5、形式 P146Pn 结二极管39. 反向饱和电流密度 eDJ00psnpnL或 1002pdnais DN40. 电流密度 )exp(kTVJs41. 空间电荷区随反向偏压增加而增大，随掺杂浓度增加而减小，随正向电压增加而减小简答题42. 在 pn 结的伏安曲线中，当外加电压很大时，要考虑串联电阻 的影响43. 金属、绝缘体、半导体的能带理论解释1. 满带的电子不导电；2. 对于导体，除有完全填充的满带，还有部分填充的能带；3. 对于绝缘体和半导体，只有完全填充的满带，没有部分填充的能带；4. 相当于绝缘体，半导体的带隙宽度较小，受热激发或光照时，价带的电子容易跃迁到导带导电。44. 空间电荷
6、区（耗尽区）：半导体带净正电荷和净负电荷的区域，不存在电子和空穴。45. 空穴 ：与价带顶部空状态相关的带正电“粒子”46. 量子力学三定律能量量子化、波粒二相性、不确定原理47. 影响载流子的迁移率的两种散射机制：晶格散射和电离杂质散射温度升高，晶格散射增加，迁移率下降；温度升高，电离杂质散射减少，迁移率上升；杂质浓度增加，电离杂质散射增加，迁移率下降。48. 电子浓度和电导率随温度的变化关系：在低温区，电子浓度主要由杂质电离提供，电子浓度和电导率随温度的升高而增加；在中温区，杂质已全部电离，电子浓度保持恒定，但由于晶格散射作用，迁移率和电导率随温度升高而降低；在高温区，本征载流子浓度增加并主导电子浓度和电导率，电子浓度和电导率随温度的升高而增加。49. 霍尔效应：电场和磁场对运动电荷施加力的作用产生的效应。50. 本征半导体：没有杂质原子和晶体中无晶格缺陷的纯净半导体。
