1、认识零件1 电阻1.1 种类及外观1.2 阻值计算 电容2.1 种类及外观2.2 容值计算2.3 极性2.4 电容耐压2.5 电容误差 电感3.1 种类及外观 二极管4.1 种类及外观4.2 极性 发光二极管5.1 外观5.2 极性 晶体管6.1 外观 震荡装置7.1 种类7.2 频率辨识7.3 极性 保险丝8.1 外观 类9.1 外观9.2 第脚标示方式9.3 封装方式 常用连接装置10.1 外观 PIN 座，短路帽11.1 外观 其它电阻1.1 种类及外观：芯片电阻，排阻金属膜电阻 水泥绕线型电阻金属氧化膜电阻 碳膜电阻绕线电阻 热敏电阻排阻 可变电阻1.2 阻值计算（单位为 ，）：一般是
2、以数字标示其阻值。码电阻：阻值计算方式为前码标示数值，后码标示其倍数。如标示的前位为数值后位为倍数即的次方即快速算法为在的后面加上个即为阻值。码电阻：一般用于精密电阻其阻值计算方式为前码标示数值，后码标示其倍数。如标示的前位为数值后位为倍数即的次方，即快速算法为在的后面加上个即为阻值。：一般是以色码标示其阻值，计算方式参考图一色码表。码电阻：阻值计算方式为前码标示阻值，后码标示其误差值。如标示 黄紫橙 金 其阻值计算方式为： 计算方式同电阻计算方式。黄紫橙 其误差值为。码电阻：一般用于精密电阻其阻值计算方式为前码标示阻值，后码标示其误差值。如标示 黄紫橙橙 银 其阻值计算方式为： 计算方式为前
3、码为数值后码为倍数黄紫橙橙 的次方 ，误差值为。黑 棕红橙黄绿蓝紫灰白金银无图一 色码表电容2.1 种类及外观：芯片电容，钽质电容 电解电容电解电容 钽质电容 基层电容塑料薄膜电容2.2 容值计算：电容器的代表字母是 C capacitor，单位为法拉farad，但是因为法拉的额度太大并不符合电容实际使用容量大小的标示需要，所以又有较小的微法拉 Fmicro farad相当于 10-6 法拉，以及更小的微微法拉 pFpico farad相当于 10-12 法拉，以及介于两者之间的 nFnano farad，相当于 10-9 法拉。无标示之电容须使用仪器测量才能计算其容值。有标示数值者如 104
4、 (计算方式同电阻)，即10 10000100000 1000.1F(1010 的 4 次方)，与计算方式相同。(1)以 F 为单位：电容容量 1uF 以上者，直接以数值标示容量，例如10000F，3300F 。 (2)以 pF 为单位：第一位数与第二位数代表电容数值，第三个数字代表 10 的次方，亦即数值后面 0 的个数。例如电容容量标示为 104 者，代表 10 后面有四个0，亦即 100000pF。 (3)以 nF 为单位：电容容量标示为 100n 代表 100x10-9=10-7 法拉，亦等于 0.1x10-6 法拉，所以等于 0.1F 。 以上关系可以表示为 1F=103nF=106
5、pF 2.3 极性：除钽质电容白线标示为正极外一般都以标示白线处为负极；的有极性电容会另外以脚的长短来区分正负极，长脚为正极短脚为负极，基层电容为无极性。2.4 电容耐压：电容耐压以伏特 v 表示，直接标示在电容外壳或印在套膜上，选用电容时应注意电路电压峰值并预留余裕。 2.5 电容误差： 电容误差以字母标示如下页 电容误差表电感3.1 种类及外观：10pF 10pFB 0.1pF C 2.25pF D 0.5pF E 25%F 1pF 1%G 2%H 2.5%J 5%K 10%M 20%P -0+100%S -20+50%W -0+200%X -20+40%Z -20+80% 线 圈 二极管
6、4.1 ,种类及外观： 半导体是一种导电度介于决缘材料(导电度非常低)及导体(导电度非常高)之间的材。若将某些杂质原子掺入相当纯的半导体材料中就会对这半导体材料的特性产生很大的影响。即使所加的杂质只有千万分之一的程度，却会藉能带结构的改变 而使得材料的电气特性完全改观。经过这种掺杂过程的半导体材料称为外质材料。在半导体装置的制造上有两种非常重要的外质材料 : n 型及 p 型。他们也是构成半导体装置的基本单元。n 型材料是当所加的杂质为像锑、砷及磷这种五个价电子的元素。p 型材料是在纯锗或硅晶体中掺入具有三个价电子的杂质原子而形成，如硼、镓合铟。下面为我们常见二极管的种类和其功用: 1稽纳二极
7、管(Zener Diode):稽纳二极管常用来调整电压，而且就像整流二极管一样，在许多电源供应的用途上非常重要。稽纳二极管是一种硅材料 pn 接面组件，其与整流二极管的差别在于专门选用其逆向崩溃区。稽纳二极管的崩溃电压，是在制造时仔细地控制掺杂程度。2变容二极管(Varactor Diodes):变容二极管可随电压控制的电容器，其原理为 pn 接面逆向偏压时，由空乏区两边形成的接面电容。变容二极管主要用于调谐电路，例如电视的调谐器及其它市售的收音机，均用变容二极管为其零件。变容二极管在高频范围(由最小的电容量来限定)的应用包括了调频调变器、自动频率控制装置、可调带通滤波器及参数放大器等。3萧基
8、特二极管(Schottky Diodes):萧基特二极管主要应用于高频和高速切换中，它们又称为热载子二极管。萧基特二极管是由微量掺杂的半导体(通常为 n 型)，与诸如金、银或铂等金属结合而成，因此其接面并非 pn 接面。萧基特二极管是一种快速切换二极管，而其应用即着眼于此特性，例如它们可作高频信号的整流作用。4透纳二极管(Tunnel Diodes):透纳二极管具有一种负电阻的特性，其特性使其在振荡器与微波放大器内非常有用。透纳二极管是由锗或砷化镓所组成，其 p 与 n 型区都比一般二极管掺杂较浓。因掺杂浓而使其空乏区变窄，同时也能在逆向偏压时导通，所以并无一般二极管的崩溃效应。5功率二极管(
9、Power Diodes):有些二集体是专门为了在高功率及高温下应用工作而设计的。功率二极管最常备用在整流的过程中，这时交流信号(平均值均零)将被转换成有一平均值(或直流位准)的信号。当应用在这方面的工作时，二极管通常被称为整流器。在大电流、高温及 PIV 额定的要求下，大多数的功率二极管都是以硅质材料制成的。 PIN 二极管(Pin Diode):此类二极管由高掺杂浓度的 p 型与 n 型，夹着一层纯半导体区所构成。PIN 可作为由变化快速的偏压所控制的微波开关，或者利用其顺向电阻可变的特性作为调谐组件。又由于其 pn接面无整流作用，所以高频信号可用较低频率的偏压变化来调谐。PIN 二极管又
10、可应用其电流控制电阻的原理，用于衰减器内。步复式二极管(Step-Recovery Diode):步复式二极管应用了阶梯状的掺杂，使半导体材料内掺杂浓度愈接近 pn 接面愈低，这会使其顺向切换成逆向偏压时，快速地放出贮存电荷而突然地关闭。同时也能在由逆向切换成顺向偏压时，迅速地建立起顺向电流。IMPATT 二极管(Impatt Diode): IMPATT 二极管，这是一种特殊的微波二极管，应用其引起累增崩溃所需的延迟时间或过度时间，来产生副电阻性，通常均用于微波振荡器内。甘恩二极管(Gunn Diode):甘恩二极管也是一种负电阻性的微波振荡组件，它们并非由 pn 接面构成，而是在两金属导体间夹着一层薄的 n 型砷化镓。 4.2 极性：一般标示线条一方为负极。
