部分品牌产品的封装命名规则.doc

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资源描述

1、MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 61前缀: MAXIM 公司产品代号 2产品字母后缀:三字母后缀:C=温度范围; P=封装类型; E=管脚数四字母后缀:B=指标等级或附带功能; C=温度范围; P=封装类型; I=管脚数3指标等级或附带功能:A 表示 5%的输出精度, E 表示防静电 4 温度范围: C= 0 至 70(商业级)I =-20 至 +85(工业级)E =-40 至 +85(扩展工业级)A = -40至+85(航空级)M =-55 至 +125(军品级)5封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载

2、封装)B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,MAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装(300mil)J CERDIP (陶瓷双列直插 ) X SC-70(3 脚,5 脚,6脚)K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装 ) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D 裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P

3、塑封双列直插 / W 晶圆6管脚数量: A:8 J:32 K:5,68 S:4,80, B:10,64 L:40 T:6,160C:12,192 M:7,48 U:60D:14 N:18 V:8(圆形),H:44 R:3,84 Z:10(圆形)E:16 O:42 W:10(圆形) I:28 F:22,256 P:20 X:36,G:24 Q:2,100 Y:8(圆形)AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X 1 2 3 4 51前缀:AD 模拟器件, HA 混合集成 A/D, HD 混合集成 D/A 2器件型号 3一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于

4、12V 4温度范围/性能(按参数性能提高排列):I、J、K 、L、M 0至 70A、B 、C-25或-40至 85S、T、U -55至 125 5封装形式:D 陶瓷或金属密封双列直插 R 微型“SQ” 封装E 陶瓷无引线芯片载体 RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装 S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92 型封装 J J 形引线陶瓷封装 U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体 Y 单列直插 Q 陶瓷熔封双列直插 Z 陶瓷有引线芯片载体 P 塑料或环氧树脂密封双列直插 高精度单块

5、器件XXX XXXX BI E X /883 1 2 3 4 5 6 1器件分类: ADC A/D 转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器 PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI 二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A 转换器 RPT PCM 线重复器 JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元 SW 模拟开关 MAT 配对晶体管 SSM 声频产品MUX 多路调制器 TMP 温度传感器 2器件型号 3老化选择 4电性等级 5封装形式: H 6 腿 TO-78 S 微型封装 RC 20 引出端无引线芯片载体J 8 腿 TO

6、-99 T 28 腿陶瓷双列直插 K 10 腿 TO-100 TC 20 引出端无引线芯片载体P 环氧树脂 B 双列直插 V 20 腿陶瓷双列直插 PC 塑料有引线芯片载体 X 18 腿陶瓷双列直插Q 16 腿陶瓷双列直插 Y 14 腿陶瓷双列直插R 20 腿陶瓷双列直插 Z 8 腿陶瓷双列直插 6军品工艺 ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X 1 2 3 4 5 6 1前缀: EP 典型器件EPC 组成的 EPROM 器件EPF FLEX 10K 或 FLFX 6000 系列、FLFX 8000 系列EPM MAX5000 系列、MAX7000 系列、MAX9000 系

7、列EPX 快闪逻辑器件 2器件型号 3封装形式:D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 B 球阵列 P 塑料双列直插 R 功率四面引线扁平封装 L 塑料 J 形引线芯片载体S 塑料微型封装 T 薄型 J 形引线芯片载体J 陶瓷 J 形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装 4温度范围: C 至 70,I -40至 85,M -55至 125 5腿数 6速度 ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X 1 2 3 4 5 6 1前缀:ATMEL 公司产品代号 2器件型号 3速度 4封装形式:A TQFP 封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装

8、C 陶瓷熔封 R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插 S 微型封装集成电路F 扁平封装 T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插,一次可编程 U 针阵列J 塑料 J 形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷 J 形引线芯片载体 W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体,一次可编程 5温度范围: C 0至 70, I -40至 85 , M -55至 125 6工艺: 空白 标准/883 Mil-Std-883, 完全符合 B 级B Mil-Std-883,不符合 B 级BB 产品型号命名 XXX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6

9、 DAC 87 X XXX X /883B4 7 8 1前缀:ADC A/D 转换器 MPY 乘法器 MFC 多功能转换器ADS 有采样/ 保持的 A/D 转换器 OPA 运算放大器 DAC D/A 转换器 PCM 音频和数字信号处理的 A/D 和 D/A 转换器 DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器 VFC V/F、F/V 变换器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路 XTR 信号调理器ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块 MPC 多路转换器2器件型号 3一般说明: A 改进参数性能 L 锁定 Z + 12V 电源工作 HT 宽温度范围4温度范围: H、J、K、L 0至 70A

10、 、B、C -25 至 85 R、S 、T 、V 、W -55至 1255封装形式:L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插 N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插 6筛选等级: Q 高可靠性 QM 高可靠性,军用 7输入编码: CBI 互补二进制输入 COB 互补余码补偿二进制输入 CSB 互补直接二进制输入 CTC 互补的两余码8输出: V 电压输出 I 电流输出 CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X 1 2 3 4 5 6 1前缀: CY Cypress 公司产品, CYM 模块, VIC VME 总线2器件型号

11、:7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器 3速度: A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J 形引线的微型封装 B 塑料针阵列 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插 F 扁平封装修 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体 K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 P 塑料 PF 塑料扁平单列直插 PS 塑料单列直插 Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装 IC T 带窗口的陶瓷

12、熔封 N 塑料四面引线扁平封装 5温度范围: C 民用 (0至 70) I 工业用 (-40 至 85) M 军用 ( -55至 125) 6工艺: B 高可靠性 HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X 1 2 3 4 1前缀: HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件(激光二极管/LED )HM 存储器(RAM) HR 光电器件(光纤)HN 存储器(NVM) PF RF 功率放大器 HG 专用集成电路 2器件型号 3改进类型 4封装形式: P 塑料双列 PG 针阵列 FP 塑料扁平封装C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插 SO 微型封装CP 塑料有

13、引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体G 陶瓷熔封双列直插INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X 1 2 3 4 5 6 1前缀: D 混合驱动器 G 混合多路 FET ICL 线性电路 ICM 钟表电路 IH 混合/模拟门 IM 存储器 AD 模拟器件 DG 模拟开关 DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路 MM 高压开关 NE/SE SIC 产品2器件型号 3电性能选择 4温度范围: A -55至 125, B -20至 85, C 0至 70 I -40至 125, M -55至 125 5封装形式: A TO-237 型 L 无引线陶瓷芯片载体 K T

14、 O-3 型B 微型塑料扁平封装 P 塑料双列直插 Q 2 引线金属管帽C TO-220 型 S TO-52 型 J 陶瓷双列直插D 陶瓷双列直插 T TO-5、TO-78、TO-99 、TO-100 型E TO-8 微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71 型F 陶瓷扁平封装 V TO-39 型 /D 芯片H TO- 66 型 Z TO-92 型I 16 脚密封双列直插 /W 大圆片6管脚数: A 8, B 10, C 12, D 14, E 16, F 22, G 24,H 42, I 28, J 32, K 35, L 40, M 48, N 18, P 20, Q 2, R 3

15、, S 4, T 6, U 7,V 8(引线间距 0.2“,绝缘外壳) W 10(引线间距 0.23“,绝缘外壳)Y 8(引线间距 0.2“,4 脚接外壳) Z 10(引线间距 0.23“,5 脚接外壳) NEC 常用产品型号命名 P X XXXX X 1 2 3 4 1前缀 2产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路, C 双极模拟电路 D 单极型数字电路 3器件型号: 4封装形式:A 金属壳类似 TO-5 型封装 J 塑封类似 TO-92 型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶

16、瓷背的双列直插 MICROCHIP 产品型号命名 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 1. 前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号 2. 器件型号(类型): C CMOS 电路 CR CMOS ROMLC 小功率 CMOS 电路 LCS 小功率保护 F 快闪可编程存储器AA 1.8V LCR 小功率 CMOS ROM LV 低电压HC 高速 CMOS FR FLEX ROM3改进类型或选择 4速度标示: -55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns, -17 170

17、ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示: LP 小功率晶体, RC 电阻电容, XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体频率标示: -20 2MHZ, -04 4MHZ, -10 10MHZ, -16 16MHZ-20 20MHZ, -25 25MHZ, -33 33MHZ5温度范围: 空白 0至 70, I -45至 85, E -40至 125 6封装形式: L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口 SM 8 腿微型封装-207milP 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 SL 14 腿微型封装-150mil SN 8 腿微型

18、封装-150 milJN 陶瓷熔封双列直插,无窗口 VS 超微型封装 8mm13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68 腿陶瓷四面引线,带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装 8mm20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名 普通线性、逻辑器件 MXXX XXXXX XX X X 1 2 3 4 5 1产品系列:74AC/ACT 先进 CMOS HCF4XXX M74HC 高速 CMOS 2序列号3速度4封装: BIR,BEY 陶瓷双列直插M,MIR 塑料微型封装5温度

19、普通存贮器件 XX X XXXX X XX X XX 1 2 3 4 5 6 71系列:ET21 静态 RAM ETL21 静态 RAMETC27 EPROM MK41 快静态 RAMMK45 双极端口 FIFO MK48 静态 RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2技术: 空白NMOS CCMOS L小功率 3序列号4封装: C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插5速度6温度: 空白 070 E -2570 V -4085 M -551257质量等级: 空白 标准 B/B MIL-STD-883B B 级存储器编号(U.V E

20、PROM 和一次可编程 OTP) M XX X XXX X X XXX X X 1 2 3 4 5 6 7 8 1系列: 27EPROM 87EPROM 锁存2类型: 空白 NMOS, CCMOS,V小功率3容量: 6464K 位(X8) 256256K 位(X8)512512K 位(X8) 10011M 位(X8 )1011M 位(X8 )低电压 10241M 位(X8)20012M 位(X8) 2012M 位(X8 )低电压40014M 位(X8) 4014M 位(X8 )低电压40024M 位(X16) 8014M 位(X8)16116M 位(X8/16 )可选择 16016M 位(X8

21、/16)4 改进等级5电压范围: 空白 5V +10%Vcc, X 5V +10%Vcc6速度: 55 55n, 60 60ns, 70 70ns, 80 80ns 90 90ns, 100/10 100 n 120/12 120 ns, 150/15 150 ns200/20 200 ns, 250/25 250 ns7封装:F 陶瓷双列直插(窗口) L 无引线芯片载体(窗口)B 塑料双列直插 C 塑料有引线芯片载体(标准)M 塑料微型封装 N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体(低电压)8温度: 1 070, 6 -4085, 3 -40125快闪 EPROM 的编号 M XX X A B

22、 C X X XXX X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1电源 2类型: F 5V +10%, V 3.3V +0.3V3容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M, 8M, 16 16M 4擦除: 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区5结构: 0 8/16 可选择, 1 仅8, 2 仅166改型: 空白 A 7Vcc: 空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8速度:60 60ns, 70 70ns, 80 80ns, 90 90ns100 100ns, 120 120ns, 150 150ns, 200 200ns9封装:M 塑料微型封装 N 薄型微

23、型封装,双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10温度:1 070, 6 -4085, 3 -40125仅为 3V 和仅为 5V 的快闪 EPROM 编号 M XX X XXX X XXX X X 1 2 3 4 5 6 7 1器件系列: 29 快闪2类型: F 5V 单电源 V 3.3 单电源3容量:100T (128K8.64K16)顶部块, 100B (128K8.64K16)底部块200T (256K8.64K16)顶部块, 200B (256K8.64K16)底部块400T (512K8.64K16)顶部块, 400B (512K8.64K16)底部块040 (12

24、K8 )扇区, 080 (1M8 )扇区 016 (2M8 )扇区4Vcc : 空白 5V+10%Vcc, X +5%Vcc 5速度: 60 60ns, 70 70ns, 80 80ns 90 90ns, 120 120ns 6封装: M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体 P 塑料双列直插7温度: 1 070 , 6 -4085, 3 -40125串行 EEPROM 的编号 ST XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 6 1器件系列: 24 12C , 25 12C(低电压), 93 微导线 95 SPI 总线 28 EEPROM2类型/工艺: C CMOS(

25、EEPROM) E 扩展 I C 总线W 写保护士 CS 写保护(微导线)P SPI 总线 LV 低电压(EEPROM)3容量: 01 1K, 02 2K, 04 4K, 08 8K16 16K, 32 32K, 64 64K4改型: 空白 A、 B、 C、 D5封装: B 8 腿塑料双列直插 M 8 腿塑料微型封装ML 14 腿塑料微型封装6温度: 1 070 6 -4085 3 -40125微控制器编号 ST XX X XX X X 1 2 3 4 5 6 1前缀 2系列: 62 普通 ST6 系列 63 专用视频 ST6 系列72 ST7 系列 90 普通 ST9 系列92 专用 ST9

26、 系列 10 ST10 位系列20 ST20 32 位系列3版本: 空白 ROM T OTP(PROM)R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROM F 快闪4序列号5封装:B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插 S 陶瓷微型封装F 熔封双列直插 M 塑料微型封装 CJ 塑料有引线芯片载体载K 无引线芯片载体 L 陶瓷有引线芯片载体 R 陶瓷什阵列 QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列 T 薄型四面引线扁平封装6温度范围: 1.5 070 ( 民用) 2 -40125(汽车工业) ,61 -4085(工业) E -55125XICOR 产品型号命名 X XXXXX X

27、X X (-XX) 1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X 1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X 1 2 3 4 81 前缀2 器件型号3 封装形式:D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 R 陶瓷微型封装E 无引线芯片载体 S 微型封装 T 薄型微型封装 F 扁平封装 V 薄型缩小型微型封装 Y 新型卡式 J 塑料有引线芯片载体 X 模块 M 公制微型封装 K 针振列 L 薄型四面引线扁平封装 4 温度范围: 空白 标准, B B 级(MIL-STD-883 ), E -20至 85 I -40至 85, M -55至 1255工艺等级: 空白 标准

28、, 6存取时间(仅限 EEPROM 和 NOVRAM):20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc 限制(仅限串行 EEPROM):空白 4.5V 至 5.5V, -3 3V 至 5.5V -2.7 2.7V 至 5.5V, -1.8 1.8V 至 5.5V7 端到末端电阻:Z 1K, Y 2K, W 10K, U 50K, T 100K8 Vcc 限制: 空白 1.8V 至 3.6V, -5 4.5V 至 5.5VZILOG 产品型号命名 Z XXXXX XX X X X XXXX

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