LED封装(环氧树脂篇).doc

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资源描述

1、LED 的封装使用环氧树脂。半导体封装业占据了国内集成电路产业的主体地位,如何选择电子封装材料的问题显得更加重要。根据资料显示,90以上的晶体管及 7080的集成电路已使用塑料封装材料,而环氧树脂封装塑粉是最常见的塑料封装材料。本文将对环氧树脂封装塑粉的成分、特性、使用材料加以介绍,希望对 IC 封装工程师们在选择材料、分析封装机理方面有所帮助1 封装的目的 半导体封装使诸如二极管、晶体管、IC 等为了维护本身的气密性,并保护不受周围环境中湿度与温度的影响,以及防止电子组件受到机械振动、冲击产生破损而造成组件特性的变化。因此,封装的目的有下列几点:(1)防止湿气等由外部侵入;(2)以机械方式支

2、持导线;(3)有效地将内部产生的热排出;(4)提供能够手持的形体。 以陶瓷、金属材料封装的半导体组件的气密性较佳,成本较高,适用于可靠性要求较高的使用场合。以塑料封装的半导体组件的气密性较差,但是成本低,因此成为电视机、电话机、计算机、收音机等民用品的主流。 2 封装所使用的塑料材料 半导体产品的封装大部分都采用环氧树脂。它具有的一般特性包括:成形性、耐热性、良好的机械强度及电器绝缘性。同时为防止对封装产品的特性劣化,树脂的热膨胀系数要小,水蒸气的透过性要小,不含对元件有影响的不纯物,引线脚(LEAD)的接着性要良好。单纯的一种树脂要能完全满足上述特性是很困难的,因此大多数树脂中均加入填充剂、

3、偶合剂、硬化剂等而成为复合材料来使用。一般说来环氧树脂比其它树脂更具有优越的电气性、接着性及良好的低压成形流动性,并且价格便宜,因此成为最常用的半导体塑封材料。 3 环氧树脂胶粉的组成 一般使用的封装胶粉中除了环氧树脂之外,还含有硬化剂、促进剂、抗燃剂、偶合剂、脱模剂、填充料、颜料、润滑剂等成分,现分别介绍如下: 31 环氧树脂(EPOXY RESIN) 使用在封装塑粉中的环氧树脂种类有双酚 A 系(BISPHENOL-A)、NOVOLAC EPOXY、环状脂肪族环氧树脂(CYCLICALIPHATIC EPOXY)、环氧化的丁二烯等。封装塑粉所选用的环氧树脂必须含有较低的离子含量,以降低对半

4、导体芯片表面铝条的腐蚀,同时要具有高的热变形温度,良好的耐热及耐化学性,以及对硬化剂具有良好的反应性。可选用单一树脂,也可以二种以上的树脂混合使用。 32 硬化剂(HARDENER) 在封装塑粉中用来与环氧树脂起交联(CROSSLINKING)作用的硬化剂可大致分成两类:(1)酸酐类(ANHYDRIDES);(2)酚树脂(PHENOLICNOVOLAC)。以酚树脂硬化和酸酐硬化的环氧树脂系统有如下的特性比较: 弗以酚树脂硬化的系统的溢胶量少,脱模较易,抗湿性及稳定性均较酸酐硬化者为佳; 以酸酐硬化者需要较长的硬化时间及较高温度的后硬化(POSTCURE); 弗以酸酐硬化者对表面漏电流敏感的元件

5、具有较佳的相容性; 费以酚树脂硬化者在 150-175C 之间有较佳的热稳定性,但温度高于 175(2 则以酸酐硬化者为佳。 硬化剂的选择除了电气性质之外,尚要考虑作业性、耐湿性、保存性、价格、对人体安全性等因素。 33 促进剂(ACCELERATO OR CATALYST) 环氧树脂封装塑粉的硬化周期(CURING CYCLE)约在 90-180 秒之间,必须能够在短时间内硬化,因此在塑粉中添加促进剂以缩短硬化时间是必要的。 现在大量使用的环氧树脂塑粉,由于内含硬化剂、促进剂,在混合加工(COMPOUNDING)后已成为部分交联的 B-STAGE 树脂。在封装使用完毕之前塑粉本身会不断的进行

6、交联硬化反应,因此必须将塑粉贮存于5以下的冰柜中,以抑制塑粉的硬化速率,并且塑粉也有保存的期限。如果想制得不用低温保存,且具有长的保存期限(LNOG SHELFLIFE)的塑粉,则一定要选用潜在性促进剂(LATENT CATALYST),这种促进剂在室温中不会加速硬化反应,只有在高温时才会产牛促进硬化反应的效果。目前日本已有生产不必低温贮存的环氧树脂胶粉,其关键乃在潜在性促进剂的选用。 34 抗燃剂(FLAME RETARDANT) 环氧树脂胶粉中的抗燃剂可分成有机与无机两种。有机系为溴化的环氧树脂或四溴化双酚A(TETRABROMOBISPHENOL A)。无机系则为三氧化二锑(Sb203)

7、的粉末。二者可分开单独使用,也可合并使用,而以合并使用的抗燃剂效果为佳。 35 填充料(LILLER) 在封装塑粉中,填充料所占的比例最多,约在 70左右,因此填充料在封装朔粉中扮演着十分重要的角色。 351 在塑粉中加入适量适质的填充料,具有下列几个目的: 1)减少塑粉硬化后的收缩;2)降低环氧树脂的热膨胀系数;3)改善热传导;4)吸收反应热;5)改善硬化树脂的机械性质与电学性质;6)降低塑粉成本。 352 填充料的种类 使用于环氧树脂塑粉中的填充料,除了要能改善电绝缘性、电介质特性之外,尚须具有化学安定性及低吸湿性。一般常用的填充料有以下几种: (1)石英;(2)高纯度二氧化硅(使用最为广

8、泛);(3)氢氧化铝4)氧化铝;(5)云母粉末;(6)碳化硅。 353 二氧化硅(SiO2,Silica) 环氧树脂的热膨胀系数平均约为 6510-6mcm;,比对封装树脂中的金属埋人件的热膨胀系数大很多。半导体所用的框架(LEAD FRAME)与环氧树脂相差甚远。若以纯树脂来封装半导体元件,由于彼此间热膨胀系数的差异及元件工作时所产生的热,将会产生内应力及热应力而造成封装材料的龟裂。因此加入塑粉中的填充料,除了要能减少树脂与金属埋入件间的热膨胀系数外,也要具有良好的导热功能。 二氧化硅粉末可分成结晶性二氧化硅及熔融二氧化硅。结晶性二氧化砖具有较佳的导热性但热膨胀系数较大,对热冲击的抵抗性差。

9、熔融二氧化硅的导热性质较差,但却拥有较小的热膨胀系数,对热冲击的抵抗性较佳。表 2 是熔融性与结晶性二氧化硅充填的环氧树脂胶粉的性质比较,可看出熔融性二氧化硅除了导热性质较差外,挠曲强度及耐湿性均低于结晶性二氧化硅。 此外,填充料用量的多少以及粒子的大小、形状、粒度分布等对于塑粉在移送成形(Transfermolding)时的流动性,以及封装后成品的电气性质均会造成影响,这些因素在选用填充料时均要加以考虑。 36 偶合剂(COUPLIUNG AGENT) 在环氧树脂中添加少量的偶合剂,能产生下列作用: 增加填充料与树脂之间的相容性与亲和力;增加胶粉与埋人元件间的接着力;减少吸水性;提高挠曲强度

10、;降低成形中塑粉的粘度,改善流动性;改善胶粉的热消散因子(THERMALDUSSIPATION FACTOR)、损失因子(LOSS FAC-TOR)及漏电流(LEAKAGE CURRENT)。 37 脱模剂(日 ELEASE AGENT) 环氧树脂的粘着性良好,对模具也会产生接着力,而影响加工封装完毕后的脱模,因此加入脱模剂来改善胶粉与模具之间的脱模能力。一般常用的脱模剂有:腊、硬脂酸、硬脂酸锌、硬脂酸钙等。脱模剂的种类与用量要视塑粉配方(树脂、硬化剂、填充料)而定。脱模剂的用量要适当,如果用量太少会使脱模不易;相反,如果用量过多,不但容易污染模具,更会降低胶粉与埋入框架、引线间的粘着力,直接

11、影响到元件的耐湿性及可靠性。下图为脱模剂添加量与接着力的关系,脱模剂添加愈多,胶粉与埋人件间的接着力下降也愈多。 38 颜料(PIGMENT) 通常视成品的颜色来添加颜料。一般的封装胶粉均以碳黑为颜料,因此成品具有黑色的外观。 39 润滑剂(LUBRICANT) 为了增加胶粉在加工成形中的流动性,有时可加入部分润滑剂来降低粘度。但是此举往往会造成胶粉的玻璃转移温度(Tg GLASS TRANSISTION TEMPERATURE)的降低及电气特性的劣化,因此若有需要加入润滑剂,最好选用反应性稀释剂(RE-ACTIVE DILUENT),使稀释剂分子能与树脂产生化学结合,以避免 T2 及电气特性

12、的劣化。 4 环氧树脂塑粉的基本特性 前面我们已提到一些塑粉所要具备的特性,下面将进一步探讨这些特性。 41 耐热性 411 玻璃转移温度,Tg 如果以热劣化性为耐热性的考虑要点,则可以 Tg 来当做参考值。塑粉的 Tg 值主要决定于塑粉的交联密度: Tgl=Tg0+knc Tgi:交联后的 Tg Tg0:未交联前的 Tg K:实验常数 nc:两交联点前的平均原子数。 交联密度愈高,其 Tg 值也愈高;耐热性愈佳,热变形温度也愈高。一般封装塑粉的 Tg 值约在160左右,过高的 Ts 会使成品过硬呈脆性,降低对热冲击的抵抗性。 412 Tg 的测定 测定 Tg 的方法很多,目前本所使用热膨胀计

13、(DIALTOMETER)DSC(DIFFERENTIAL CANNING CALORIMETRY)、流变仪(RHEOMETRIC)、TBA(TORSIONAL BRAID ANALYZER)等仪器来测定 Tg 值。 42 耐腐蚀性 由从事塑胶封装电路的故障分析者所提出的故障成因中,以铝条腐蚀(CORROSION OF ALUMINUN METALLIZATION)所占比例最高,因此耐腐蚀性实为封装塑粉的首要考虑因素。 421 腐蚀的成因 就环氧树脂塑粉而言,造成铝条腐蚀的主因为塑粉中所含的氯离子及可水解性氯(HYDROLYZABLE CHLORIDE)。当大气中的湿气经由树脂本身及其与引线脚

14、(LEAD)间的界面,扩散进入半导体的内部,这些侵入的水气会与树脂中的离子性不纯物结合,特别是 C1-,而增加不纯物的游动性(MOBILITY)。当这些不纯物到达晶片表面时,即与铝条形成腐蚀反应,破坏极薄的铝层,造成半导体的故障。 422 腐蚀的防止 (1)降低不纯物含量 对半导体封装业者而言,选择低氯离子含量的封装胶粉是必要的。目前一般塑粉中离子性不纯物的含量均在 10ppm 以下。环氧脂由于在合成过程中使用 EPICHLOROHYDRIN,因此无法避免有氯离子的存在,因此树脂要经纯化去除大部分氯离子后,再用来生产封装塑粉。表 3 为日本厂家的环氧树脂封装胶粉的离子含量及电导度。 (2)添加

15、腐蚀抑制剂(CORROSION INHIBITOR) 在胶粉添加腐蚀抑制剂能减低铝条的腐蚀速率,干扰阳极或阴极的腐蚀反应,因而降低腐蚀全反应(OVERALL REACTION)的速率。所选用的抑制剂要具有如下的性质: 抑制剂中不能含有对电路工作有害的离子; 加入抑制剂后所增加的离子电导度不能产生有害于电路的副反应; 抑制剂需能形成错合物(COMPLEX); 对有机系抑制剂而言,不能与环氧树脂发生反应,在移送面形成硬化过程中具有安定性; 对无机系抑制剂而言,其所产生的离子不可渗入 Si 或 SiO:绝缘层中,以免影响电路的工作。 一般以无机系腐蚀抑制剂的效果最佳。其中以钨酸铵(AMMONIUM

16、TUNGSTATE)、柠檬酸钙(CALCIUM CITRATE)为常用。 43 低的热膨胀系数(CTE,COEFFICTENT OF THERMAL EXPANSION) 在前面我们已经提过由于树脂与埋人件 CTE 的不同而产生内应力,造成成品破裂的原因。在此我们将详细介绍 CTE 对胶粉影响。 431 GTE 与内应力的关系 内应力可用 DANNENBERGS 方程式表示: :内应力(internal stress) O:热膨胀系数(CTE) E:弹性模数(elastic modulus) S:截面积(cross section area) R:树脂(resin):埋人件,框架,晶片口 ns

17、ert component,leadframe,chip) 由方程式(4)中,我们可清楚的看出树脂与埋人件之间的 CTE 差愈大,所产生的内应力也就愈大。由内应力所引起的龟裂(CRACK)将成为外部湿气及污染侵入的通路,进一步造成元件的故障,因此环氧树脂胶粉必须具有低的 CTE 值。目前也有人从降低弹性模数来使内应力变小。 432 影响 CTE 的因素 CTE 值可由 Tg 或交联密度来加以控制。此外,以下各因素也会影响 CTE: 1)湿气污染;2)可塑剂或润滑剂的流失;3)应力的消失;4)未反应的化学品;5)后硬化的时间与温度。 对环氧树脂塑粉而言,要拥有低 CTE 值必须从填充料上面来着手

18、。一个塑粉配方工程师必须将 Tg 及CTE 常记在心,作为参考及寻找问题的工具,因为低的 CTE 及高的 Tg 对热冲击抵抗性而言是十分重要的。44 成形性 广义的成形性包括半导体封装后的尺寸安定性、离型性(脱模)、加工成形时的流动性等等。 441流动性与漩流试验(SPIRAL FlOW TEST) 由于胶粉本身是部分交联的 B-STAGE 树脂,若贮存不当或贮存过久会增加胶粉交联硬化的程度,而造成流动性的降低,此时即该丢弃此流动性变差的胶粉。一般以漩流实验所得漩流值的大小来判断流动性的好坏,目前封装采用的规格是 25-35 寸。漩流值过低表示胶粉的流动性差,成形时将无法灌满模子;漩流值过高表

19、示胶粉的流动性太大,容易将埋人件的金属细线冲断并会产生溢胶现象。 442 DSC 与塑粉流动性 除了漩流试验之外,我们也可利用微差扫瞄式卡计(DSC)来测知胶粉是否仍然具有好的流动性。 第一个放热峰为胶粉硬化时所放出的聚合反应热,此放热峰愈高表示胶粉的反应热愈多,也代表胶粉贮存时硬化的程度少,因此具有良好的流动性。放热峰愈低表示胶粉已大部分硬化,只能放出少量反应热,代表胶粉已失去流动性。利用以上原理,我们可以找出放热峰高度与漩流值之间的对应关系。 如果所贮存的胶粉经 DSC 分析后发现放热峰高度减少 10以上,表示胶粉已失去良好流动性,宜丢弃不再使用。 45 电气特性 电气性对环氧树脂胶粉而言

20、是一种相当重要的性质,而介电特性(DIELECTRIC PROPERTY)为考虑重点。对封装材料而言,介电常数(DIELECTRIC CONSTANT)愈小其电绝缘性愈佳。介电常数会受频率的改变、温度、湿度的影响。介电常数的变化远比介电常数的起始值来得重要。 此外,成品的密闭封装是很重要的,将直接影响到电学性质。若成品封装不全有空隙存在,除了提供湿气污染的通路外,在接受电压时会发生电晕(CORONA),使电场集中在空隙前端,引起内部放电而造成绝缘破坏。 46 耐湿性 湿气侵入半导体元件中与离子性不纯物作用,降低绝缘性,使漏电流增加并腐蚀铝路,此为信赖度降低的主因。湿气侵入封装成品中的路径有两条

21、: 由树脂整体(BULK OF PLASTIC)的表面扩散进入; 经由树脂与 IC 脚架间的界面,以毛细现象侵入。 取一个 14 脚的 DIP(DUAl+IN LINE PACKAGE),在上方打开一个孔洞,孔底可达晶片表面,再将一个设有气体出入口的容器接在 DIP 的孔洞之上并密封之,然后将此装置浸在 100RH 的水蒸气或水中,容器内通人干燥的氮气(0RH),水气即会依上述两种途径侵入而进入容器中,我们利用侦测器测出流出氮气中所含有的水气,而得到全部(两种水气渗透速率之和)的水气渗透率 Pt。Pt 是经由树脂整体侵入的水气渗透速率 Pb 及经由界面毛细侵入的水气渗透速率 P1 之和,及 P

22、t=Pb+P1。我们可取相同材料的树脂封住容器的底部,以同样方法测 出 Pb,再将Pt 与 Pb 相减即可求出 Pl 之值。 利用上述方法对塑粉进行评估。根据 HARRISON 的说法,元件若要具有 10 年的动作寿命保证,则 Pl值应该在 70 以下。我们不妨利用此方法来对环氧树脂胶粉进行耐湿性评估。 47 硬化时的放热 塑粉在硬化时会放出聚合反应热,如果配方调配不当发热量太大时会造成龟裂并给予元件应力。因此化学工程师在进行塑粉配方研究时应考虑硬化放热量不可过大。 事实上塑粉的交联可分成两个阶段。先胶化,再硬化。低分子量的树脂胶化的速度比高分子量者快。促进剂的浓度小,则胶化时间由热或动力决定

23、;如果促进剂的浓度大,则胶化时间由分子扩散至正确的反应位置决定: 欲快速胶化则增加热量,所得材料具有低交联密度、高 CTE、热收缩性大。 欲慢速胶化,则减少热量,所得材料具有较高交联密度、低 CTE 及较小的热收缩。 48 抗燃性 在 UL 规格中是以 94 V-O 为标准的环氧树脂塑粉均能满足此一规格。 49 接着性与脱模性 前面已经提过脱模剂的用量增加,树脂的接着力会降低。若是脱模剂的添加量减少,虽然可使树脂与脚架引线的接着力提高,但是模具和成形品间的接着力也增加,造成脱模的困难。因此脱模剂的添加量要选择接着性与脱模性兼顾者为宜。410 低 粒子效应 (LOW-PARTICLE EFFEC

24、) 环氧树脂胶粉中采用二氧化硅为填充料,而二氧化硅是自然界的矿物,含有微量的铀、钍等放射性元素。这些放射性元素在蜕变过程中会放出 粒子。DYNAMIC RAMS 及 CCDS 等牛导体元件会受 粒子的影响而发生软性错误(SOFF ERROR)。STATIC RAMS、ROMS、PROMS 及 EPROMS 等元件则不受。粒子的影响。 当 粒子经过活性元件区域(ACTIVE DEVICE REGIONS)时,会在电子与空穴重新结合之 前,使 N-区域收集电子 P-区域收集空穴。如果在一特定的区域收集到足够的电荷,将会扰乱所贮存的资料或逻辑状态(LOGIC STATES)。如果所收集和产生的电子数

25、超过临界电荷的话,即造成所谓的软性错误。 除了填充料之外,基板(SUBSTRATE)、铝条(METALLIZATION)也会放出 粒子,但是以填充料为 。粒子的主要产生来源。为了避免 粒子效应除了可用聚亚酸胺(POLYIMIDE)作为保护涂膜之外,可采用低放射性元素含量的二氧化硅当做填充料。日本已有生产放射性元素含量在 1ppb 以下的二氧化硅,这些二氧化硅是经过纯化精炼的,价格也较高。对高可靠度牛导体元件而言,必须设法避免 粒子效应。 411 长期保存性 目前大多数胶粉的胶化时间约在 30 秒左右,硬化成形后通常需要后硬化,并且又需冷藏贮存。若要发展出能快速硬化,又能在室温(MAX40-45)保存六个月以上而不失胶粉的流动性,则一定要在潜在性促进剂上加以研究与改良。本文仅对环氧树脂封装胶粉的组成、选用材料及胶粉的基本特性做一简单的介绍,但愿能使半导体业界对塑粉的组成有一概括性的了解,更期望为同行们在选择环氧树脂塑粉、研究封装机理方面有所启发。

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