1、散熱設計,晶片和氧化鋁基板接觸區圖(1%接觸、99%間隙空氣),Si,晶片,氧化鋁基板,d,空氣,晶片和氧化鋁基板接觸區的等效熱阻圖,1%,99%,已知IC晶片和氧化鋁陶瓷基板封裝，因氧化鋁表面粗糙造成凹凸不平高度d=20um，接觸面積1cm2，只有1%實際接觸、99%為間隙充滿空氣。IC晶片與氧化鋁基板溫度差為 T=TSi-TAl2O3=10OC，熱阻為R接觸區=d/(0.01xAxK氧化鋁)=20x10-6/(0.01x1x10-4x22) =0.91 OC / WR間隙區=d/(0.99xAxK空氣)=20x10-6/(0.99x1x10-4 x0.026)=7.77 OC / W,等效
2、熱阻為 Reff=0.91x7.77/(0.91+7.77)=0.81 OC / W由晶片傳到氧化鋁基板的熱量為 Q=T/Reff=10/0.81=12.28 W,如果用導熱膠將間隙填滿， R間隙區=d/(0.01xAxK導熱膠)=20x10-6/(0.99x1x10-4 x1.1)=0.18 OC / W等效熱阻為 Reff=0.91x0.18/(0.91+0.18)=0.15 OC / W由晶片傳到氧化鋁基板的熱量仍為12.28 W溫度差為 T=QxReff=12.28x0.15=1.85 OC晶片的溫度藉由使用導熱膠散熱而降低了8.15 OC,PBGA封裝之電路板內藏熱貫孔示意圖,被動式散熱,Flip Chip PBGA封裝從晶片到散熱器之間使用導熱膠、銅片、銲錫等來降低熱阻(增加熱流),主動式散熱,晶片內藏微流道之示意圖,主動式散熱,
