1、模拟电子电路及技术基础,孙 肖 子,西安电子科技大学,模拟电子电路与技术基础课程的特点是 “概念性、工程性、实践性“强！,“注重物理概念，采用工程观点； 重视实验技术，善于总结对比； 理论联系实际，注意应用背景； 寻求内在规律，增强抽象能力。”,7.1 频率响应的基本概念,7.1.1 频率失真,信号通过线性时不变系统,其频率成分不变,但各频率分量的振幅及相位会发生变化.,(a)信号,(b)振幅频率失真,(c)相位频率失真,线性失真与非线性失真的差别:起因不同,结果不同.线性失 真不会产生新的频率分量.,7.1.2 实际的频率响应及通频带的定义,增益频带积,7.2 晶体管的高频小信号模型与频率参
2、数,(与频率无关),定义:当 下降到”1”所对应的频率定义为特征频率 ,即,7.3 预备知识,中频区,高频区,低频区,7.4 共射放大器的高频响应,利用密勒等效简化模型,附加相移,4. 频率特性的波特图表示法,5、负载电容和分布电容对高频响应的影响,计算管子极间电容与负载电容影响在内的总的上限角频率,(为输出回路时常数倒数),6、结果讨论通过以上分析，为我们设计宽带放大器提供了依据。1.选择晶体管的依据 2.关于信号源内阻Rs3.关于集电极负载电阻RC的选择原则 4.关于负载电容CL,例7.4.1,7.5 共集电路的高频特性,一、 Cbc的影响 由于共集电路集电极直接连接到电源，所以Cbc相当
3、于接在内基极“b”和“地”之间，不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cbc本身很小(零点几几pF),只要源电阻Rs及rbb较小， Cbc对高频响应的影响就很小。,二、C be的影响 这是一个跨接在输入端与输出端的电容，利用密勒定理将其等效到输入端，则密勒等效电容CM为,三、CL的影响,只要源电阻Rs较小，工作点电流ICQ较大，则Ro可以做到很小。 所以时常数RoCL很小，fH2很高。因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。,7.6 共基电路的高频响应,一、C be的影响 由图可见，如果忽略rbb的影响，则C be直接接于输入端，输入电容Ci= C be ，不存在密勒倍增效应，且与C bc无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多。而且共基电路的输入电阻Rire=26mV/ICQ，也非常小，因此，共基电路输入回路的时常数很小， fH1很高。理论分析的结果fH1fT。,二、C bc及CL的影响,7.8 放大器的低频响应,7.9 多级放大器的频率响应,7.7 场效应管放大器的高频响应,
