1、1四點探針量測儀使用操作手冊作者： 余沐榮 , 光電碩一 , 分機 : 4692 ( 2007 / 7 / 30 ) 四點探針量測儀(Four-Point Probe)可以測量導體及半導體的電阻。本設備主要用途為量測半導體薄膜電阻，即片電阻係數(Sheet Resistivity)，單位為 / 或 ohms per square。 (符號 代表對一片面積做量測，並不是代表 cm2)可量測樣品規格為 : (1) 2 吋至 6 吋晶圓 (表面須為平整的導電薄膜)(2) 破片 : 至少 2 公分見方以上操作步驟如下:打開靠近四點探針儀側面(右手邊)的電源開關，接著按下電腦 Power ON鍵後，隨即
2、進入主畫面。打開開關Power ON測量破片時，請勿將待測樣品置於狹縫之中，以避免探針損壞，如下圖所示 : 2進入畫面後，點選 Yes。點選選單中的 Password Log ON 鍵入 Shift + 123 OK。點選選單中的 Utilities Control 進入操作介面。如下所示 :樣品樣品3Cassette 操作介面沒有作用 (勿動)。ProbeArm : 調整探針懸臂的移動位置Position : 調整懸臂前進與後退(透過左右箭頭 )(上下箭頭) 則是移動的間距，以便進行微調Home : 驅動探針懸臂馬達回到開機前的位置4ChunkRot : 調整吸盤(置放待測樣品的平台)的移動
3、位置Position : 調整吸盤的位置(R 為逆時針旋轉，T 為順時針)(上下箭頭) 則是移動的間距，以便進行微調Home : 驅動吸盤馬達回到原位置ChunkElev : 調整探針懸臂的移動位置Position : 調整懸臂向上與向下移動(控制升降)(上下箭頭)則是移動的間距，以便進行微調Home : 驅動探針懸臂馬達回到原位置舉例 : 上述的動作也可以透過點選 ( Probe To R = 60 mmTh(角度) = 50 deg OK ) 來加以調整探針與吸盤的相對位置(以不互相碰撞為原則)。如下圖所示 : 上述為量測破片時，所設定的參考值，也可依照使用者喜好來加以設定。5將待測樣品置
4、入吸盤(Chunk)上，調整 ChunkRot 和 ChunkElev 至適當的位置，並確認四根探針有實際碰觸到待測樣品(實際上還是有露出部分探針) ，此時，千萬不能調整 ChunkRot 否則探針會因吸盤轉動產生的力矩而使探針斷裂。 當探針懸臂與待測樣品越靠近時，切記要將 ChunkElev 上下的移動 間距調小，以便進行微調，目的是使探針和樣品表面能實際碰觸到，並避免造成探針突然朝下快速接觸樣品，造成機件損壞。舉例 : 若探針與待測樣品實際接觸時，透過 ChunkElev 對應的 Position 刻度為 6.166 mm 時，此時點選 Parameter Files 下的 Motion
5、Coord 進入畫面後。6設定 ZChkContact (代表探針與待測樣品的接觸深度)與上述 ChunkElev中的 Position 刻度同為 6.166 mm，再點選下方的 Ok And Save Saveas 4pMtCrd.prm(註 : 由使用者決定檔名)，以便在下次量測時，將檔案叫出來進行檢視所設定 Position 刻度。(註 : 上述條件為限定每次待測樣品的厚度均為一致時才適用)接下來，按一下 Probe Separate ，目的是使原探針和樣品能夠分離開來，避免因誤觸 ChunkRot 而造成探針的損壞。點選 GainSet 以進行量測，隨後會出現如下圖所示的參數值(代表正
6、常)7測完後，點選一下下圖中的紅色圓圈 按一下 Probe Separate 以便進行下一次量測此時，可以移動待測樣品，以便對不同的探針扎點進行量測，作為比較參數之用 (附註 : 探針和樣品間的深度會影響測量值的可重覆性)或是執行 Repeatability 點選 Static (靜態量測 ) 則 dTh (微角度) 需設定為零，並鍵入一開始所設定的 R = 60 mm ， Th(角度) = 50 deg ，以針對某一待測點進行單點多次量測，一般而言，量測次數是設定為 5 次，依使用者而定，其中 ProbeCfg 設為”1”時，為量測塊電阻，設為”2”時，為量測片電阻，至於點選 Dynamic (動態量測) 則需設定 dTh (微角度)值，其動作模式為測完一點後，探針旋轉一個微角度，再對樣品進行量測，此動作可能會使探針扎到樣品邊緣(若待測樣品不夠大時)，使探針斷裂，故在此強調不建議使用。待所有的量測結束後，記得點選 Home All Motor 後8再點選 Utilities Close 結束執行程式關掉四點探針開關，再將電腦關機，然後關掉延長線上的總開關，並確實填寫使用紀錄簿後即可離開。
