1、双向可控硅的节能设计及应用分析来源：中国节能产业网 时间：2009-3-10 10:20:16引言1958 年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。可控硅分单向可控硅与双向可控硅。单向可控硅一般用于彩电的过流、过压保护电路。双向可控硅一般用于交流调节电路，如调光台灯及全自动洗衣机中的交流电源控制。双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件，一直为家电行业中主要的功率控制器件。近几年，随着半导体技术的发展，大
2、功率双向可控硅不断涌现，并广泛应用在变流、变频领域，可控硅应用技术日益成熟。本文主要探讨广泛应用于家电行业的双向可控硅的设计及应用。双向可控硅特点双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。图 1 为双向可控硅的基本结构及其等效电路，它有两个主电极 T1 和T2，一个门极 G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第 1 和第 3 象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。图 1 双向可控硅结构及等效电路双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当
3、选用并采取相应措施以达到各参数的要求。耐压级别的选择：通常把 VDRM（断态重复峰值电压）和 VRRM（反向重复峰值电压）中较小的值标作该器件的额定电压。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的 23 倍，作为允许的操作过电压裕量。 电流的确定：由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的 23 倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压 VDRM 和反向重复峰值电压 VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的 IDRM 和IRRM。 通态（峰值）电压 VTM 的选择：它是可控硅通以
4、规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择 VTM 小的可控硅。 维持电流：IH 是维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则 IH 越小。 电压上升率的抵制：dv/dt 指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容，如图 2 所示。我们知道 dv/dt 的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为 Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。图 2 双向可控硅等效示意图切换电压上升率 dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时
5、，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出，如图 3 所示。图 3 切换时的电流及电压变化高 dVCOM/dt 承受能力受二个条件影响：dICOM/dt 切换时负载电流下降率。dICOM/dt 高，则 dVCOM/dt 承受能力下降。结面温度 Tj 越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。假如双向可控硅的 dVCOM/dt 的允许值有可能被超过，为避免发生假触发，可在 T1 和
6、T2 间装置 RC 缓冲电路，以此限制电压上升率。通常选用 47100 的能承受浪涌电流的碳膜电阻，0.01F0.47F的电容，晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压 5-6 倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。断开状态下电压变化率 dvD/dt。若截止的双向可控硅上（或门极灵敏的闸流管）作用很高的电压变化率，尽管不超过 VDRM，电容性内部电流能产生足够大的门极电流，并触发器件导通。门极灵敏度随温度而升高。假如发生这样的问题，T1 和 T2 间（或阳极和阴极间）应该加上 RC 缓冲电路，以限制 dvD
7、/dt。电流上升率的抑制：电流上升率的影响主要表现在以下两个方面：dIT/dt （导通时的电流上升率）当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的 dIT/dt 可能导致局部烧毁，并使 T1-T2 短路。假如过程中限制 dIT/dt 到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的 dIT/dt 有可能被超出，可在负载上串联一个几 H 的不饱和（空心）电感。 dICOM/dt (切换电流变化率) 导致高 dICOM/d
8、t 值的因素是:高负载电流、高电网频率（假设正弦波电流）或者非正弦波负载电流,它们引起的切换电流变化率超出最大的允许值，使双向可控硅甚至不能支持 50Hz 波形由零上升时不大的 dV/dt，加入一几 mH 的电感和负载串联，可以限制 dICOM/dt。为了解决高 dv/dt 及 di/dt 引起的问题，还可以使用 Hi-Com 双向可控硅，它和传统的双向可控硅的内部结构有差别。差别之一是内部的二个“闸流管” 分隔得更好，减少了互相的影响。这带来下列好处：高 dVCOM/dt。能控制电抗性负载，在很多场合下不需要缓冲电路，保证无故障切换。这降低了元器件数量、底板尺寸和成本，还免去了缓冲电路的功率
9、耗散。高 dICOM/dt。切换高频电流或非正弦波电流的性能大为改善，而不需要在负载上串联电感，以限制 dICOM/dt。高 dvD/dt（断开状态下电压变化率）。双向可控硅在高温下更为灵敏。高温下，处于截止状态时，容易因高 dV/dt 下的假触发而导通。Hi-Com 双向可控硅减少了这种倾向。从而可以用在高温电器，控制电阻性负载，例如厨房和取暖电器，而传统的双向可控硅则不能用。门极参数的选用：门极触发电流为了使可控硅可靠触发，触发电流 Igt 选择 25 度时 max 值的 倍， 为门极触发电流结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通
10、常 取大于 1.5 倍即可。门极压降可以选择 Vgt 25 度时 max 值的 倍。 为门极触发电压结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常 取 11.2 倍即可。触发电阻Rg=（Vcc-Vgt）/Igt触发脉冲宽度为了导通闸流管（或双向可控硅），除了要门极电流IGT ，还要使负载电流达到IL（擎住电流），并按可能遇到的最低温度考虑。因此，可取 25度下可靠触发可控硅的脉冲宽度 Tgw 的 2 倍以上。在电子噪声充斥的环境中，若干扰电压超过触发电压 VGT，并有足够的门极电流，就会发生假触发，导致双向可控硅切换。第一条防线是降低临近空
11、间的杂波。门极接线越短越好，并确保门极驱动电路的共用返回线直接连接到 TI 管脚（对闸流管是阴极）。若门极接线是硬线，可采用螺旋双线，或干脆用屏蔽线，这些必要的措施都是为了降低杂波的吸收。为增加对电子噪声的抵抗力，可在门极和 T1 之间串入 1k 或更小的电阻，以此降低门极的灵敏度。假如已采用高频旁路电容，建议在该电容和门极间加入电阻，以降低通过门极的电容电流的峰值，减少双向可控硅门极区域为过电流烧毁的可能。结温 Tj 的控制：为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a 足够低，维持 Tj 不高于80%Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。双向可控硅的安装对负载小，或电流持续时间短（小于
12、1 秒钟）的双向可控硅，可在自由空间工作。但大部分情况下，需要安装在散热器或散热的支架上，为了减小热阻，可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种，夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。很多场合下，铆接不是一种推荐的方法，本文不做介绍。夹子压接这是推荐的方法，热阻最小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装（SOT82 和 SOT78 ） 和绝缘封装（ SOT186 F-pack 和更新的 SOT186A X-pack）。注意，SOT78 就是 TO220AB。螺栓固定SOT78 组件带有 M3 成套安装零件，包括矩形垫圈，垫圈放在螺栓头和接头片之间。应该不对器件的塑料体施加任何力量。安装过程中，螺丝刀决不能对器件塑料体施加任何力量。和接头片接触的散热器表面应处理，保证平坦，10mm 上允许偏差 0.02mm。安装力矩（带垫圈）应在 0.55Nm 和 0.8Nm 之间。应避免使用自攻丝螺钉，因为挤压可能导致安装孔周围的隆起，影响器件和散热器之间的热接触。安装力矩无法控制，也是这种安装方法的缺点。器件应首先机械固定，然后焊接引线。这可减少引线的不适当应力。结语在可控硅设计中，选用合适的参数以及与之相对应的软硬件设计，用可控硅构成的变流装置具有节约能源、成本低廉等特点，目前在工业中得到飞速的发展。
