1、微带线的特性阻抗计算方法： 200e1=6+Lnh2hZW（ ）（ ）这个公式近似度差些，若要求稍微更精确些的计算，可采用下列的计算公式，即 016(2h2hne（ W）0.94） 1-re1+-W（ ）或者使用另一组计算公式： 0 68h=6nh4120+.-hZL（ ） ， ，（ ）本设计中使用 =2.3 的介质，那么对于不同的 W/h，使用 matlab 编程计算：rdisp(微带线阻抗计算)er=2.3;wh=1:0.1:10ee=(1+er)/2+(er-1)/2*(1+10*(1./wh).(-0.5);z0=120*pi./(wh+2.44-0.44./wh+(1-1./wh).
2、6)z1=60*pi*pi*sqrt(1./ee)./(1+pi*wh+log(1+pi/2.*wh)subplot(1,2,1)plot(wh,z0)subplot(1,2,2)plot(wh,z1)得到 WH 比为 1.95copper：relative permittivity：1relative permeability：0.999991conductivity：58000000 siemens/mmass density：8933Tlines microstrip：MUSBH=1mm，微带线基板厚度为 1mmEr=2.3，微带线基板的相对介电常数为 2.3Mur=1，微带线基板的相对
3、磁导率为 1Cond=58000000，微带线导体的电导率为 58000000Hu=1.0e+0.33mm,表示微带线的封装高度T=0.05mm，微带线的导体层厚度为 0.05mm（50um ）TanD=0.0003，微带线的损耗角 tan=0.0003Rough=0mm，微带线表面粗糙度为 0mm几种方法：（1） 经验公式法（2） 手动设置法（3） 计算法，需要 ADS 的计算控件（4） 优化法使用经验公式计算得到得到 WH 比为 1.95，实际反射系数很大， S11 Update Optimization Values 保存优化后的变量值(在 VAR 控件上可以看到变量的当前值)砷化镓 介电常数为 13.1Aluminum：relative permittivity：1relative permeability：1.000021conductivity：38000000 siemens/mmass density：2689
