1、电子薄膜与集成器件国家重点实验室,微波薄膜集成电路简介,电子科技大学杨传仁,一、概述 二、工艺流程 三、关键技术 四、现有基础,主要内容,一、微波薄膜集成电路,微波集成电路,单片微波集成电路(MMIC),混合微波集成电路(HMIC),薄膜微波集成电路(MHMIC),厚膜混合微波集成电路,一、微波薄膜集成电路,微波薄膜集成电路 (MHMIC),厚膜混合微波集成电路(传统HMIC),采用光刻、蒸发和溅射等薄膜工艺制作电感、电容、电阻、空气桥和传输线等集成元件，而有源器件(主要采用MMIC芯片)外接在陶瓷衬底上 元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段集成度较高、尺寸较小,基片：-
2、低损耗(10-3) -低介电系数 -表面抛光导带：-高电导率 -高线条分辨率 -与其他薄膜工艺兼容介质：- 低损耗 (10-2) - 频率稳定 - 各向同性 - 低温度系数Tf ( 50 ppm/oC) -与其他薄膜工艺兼容,材料主要要求,二、工艺流程,设计,薄膜加工制造过程,系统需求,MMIC、分立元件,掩膜版,基片材料,集成无源元件,检验,封装,表面贴装,互连线制作,测试、修调,三、关键技术,(1) 微波薄膜集成电路设计(2) 微波基片加工(3) 薄膜淀积(4) 薄膜处理与图形化(5) 分离元件的集成技术(6) 模块封装与测试技术,(1) 微波薄膜集成电路设计,电路设计 -信号窜扰 -寄生效应 -阻抗匹配热设计,(2) 薄膜淀积,导带、电阻、电容、电感等元件不同功能薄膜的淀积 -导体(金属)、半导体(金属氧化物)、绝缘、介质工艺兼容性工序简化,界面过渡层,(3) 薄膜处理与图形化,高精度(10微米)的光刻工艺长线条窄线宽刻蚀工艺激光修调,薄膜加工,3m线条刻蚀,四、现有基础,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,微波集成电路(HMIC、MMIC)设计 薄膜加工工艺 金属、介质、半导体薄膜 蒸发、溅射、CVD、PLD、MBE、MOCVD 3m、1m光刻工艺 超净室 材料表征平台 微波测试平台,谢谢大家！,
