1、欧姆龙 MOSFET 继电器使用注意事项警告布线时请务必切断电源 否则可能触电。通电中不要接触 MOS FET 的端子部 （充电部）。接触充电部的 话可能导致触电。安全上的注意点1MOS FET 的输入回路、输出回路上不要施 加过电压、过电流。否则可能导致 MOS FET故障以及引起火灾。2布线以及焊接请按照焊接条件正确地 进行。焊接不完全的状态下使用的 话，可能会由于通电时异常发热而引起烧毁。正确的使用方法关于降额设计为实现系统要求的信赖度，降额措施必不可少。 为充分放心地使用 MOS FET 继电器，除了对最大额定值和推荐动作条件采取降额措施外，条件允许时还请在根据使用环境条件确认实际设备
2、的基础上，进行留有充足余量的设计。（1）最大额定值最大额定值为即使是瞬间也不能超过的规定值，存在多个额定值时，不能超过任意一个数值。超过最大额定值时，可能导致 MOS FET 继电器内部的劣化以及集成电路块的损坏。因此，为了充分放心地使用 MOS FET 继电器，对于电压、电流、温度的最大额定值，请测算出足够的降额后再进行设计。（2）推荐动作条件推荐动作条件是为了让 MOS FET 继电器准确进行动作、复位而推荐的动作条件。为了充分放心地使用 MOS FET 继电器，请在考虑推荐动作条件的基础上进行设计。（3）实施失效保护可能会因 MOS FET 继电器的故障、特性劣化及功能异常等对系统的安全
3、动作造成重大影响时，建议根据用途实施失效保护措施。MOS FET 继电器驱动回路的代表例C-MOS 的场合晶体管的场合为了保证 MOS FET 继电器正确的动作， 求得 LED 电流限制电阻的方法为 ：电流限制电阻 为了保证 MOS FET 继电器正确的动作， 求得 LED 顺向电压的方法为 ：复位电压（LED 顺向） VF(OFF)=VCC IFR1VOH 0.8V输入侧浪涌电压保护向输入端子施加反向的浪涌电压时，与 输入端子反响并联二极管，不要施加 3V 以上的反方向电压。输入侧的浪涌电压保护回路例输入侧浪涌电压保护输出端子间出现超过绝对最大额定的 电压时，负载上并联 C-R 缓冲器、反
4、向二极管以限制过电压。输出侧过电压保护回路例关于未使用端子6 脚型的 3 号端子用于 MOS FET 继电器的内部回路，因此外部回路上不要有任何连接。关于自动封装时的卡抓保持力自动封装时的卡抓保持力，为了保持 MOS FET 继电器的特性，请将压力设定 如下:关于负载连接方法MOS FET 继电器在动作中将输出端子 间进行短路的话会成为故障的原因，应 避免短路。关于预估寿命本公司 MOS FET 继电器使用的 LED 分为两大类，并根据 LED 的种类预估寿命。各 MOS FET 继电器和所使用的 LED 对应表如下所示。此外，下页刊载了预估寿命数据。此外，该结果是根据单个批次产品的长期数据进
5、行预估的，因此请用作“参考数据“。使用 GaAs LED 的 MOS FET 继电器型号对应表DIP SOP SSOPG3VM-61A1/D1 G3VM-21GR G3VM-201G G3VM-21LRG3VM-61B1/E1 G3VM-21GR1 G3VM-201G1 G3VM-21LR1G3VM-62C1/F1 G3VM-41GR3 G3VM-S5 G3VM-41LR3GVM-2L/2FL G3VM-41GR4 G3VM-201H1 G3VM-41LR4G3VM-351A/D G3VM-41GR5 G3VM-202J1 G3VM-41LR5G3VM-351B/E G3VM-41GR6 G3
6、VM-351G G3VM-41LR6G3VM-352C/F G3VM-41GR7 G3VM-351G1 G3VM-61LRG3VM-353A/D、353A1/D1 G3VM-41GR8 G3VM-351GL G3VM-81LRG3VM-353B/E、353B1/E1 3VM-61G1 G3VM-353G、353G1 G3VM-101LRG3VM-354C/F、354C1/F1 G3VM-61G2 G3VM-351HG3VM-355C/F、355CR/FR G3VM-61VY G3VM-353H、353H1G3VM-WL/WFL G3VM-61GR1 G3VM-352JG3VM-401A/D G
7、3VM-61H1 G3VM-354J、354J1G3VM-401B/E G3VM-62J1 G3VM-355J、355JRG3VM-401B/EY G3VM-81G1 G3VM-401GG3VM-402C/F G3VM-81GR G3VM-401HG3VM-601BY/EY G3VM-81GR1 G3VM-402J G3VM-81HR G3VM-601G使用 GaAlAs LED 的 MOS FET 继电器型号对应表DIP SOP SSOPG3VM-61BR/ER G3VM-21HR G3VM-21LR10G3VM-41LR10 G3VM-41LR11清洗助焊剂（1）清洗助焊剂时，请确保不残留
8、钠、氯等反应性离子。部分有机溶剂可能会与水反应产生氯化氢等腐蚀性气体，从而导致 MOS FET 继电器劣化。（2） 用水清洗时，请避免产生残留（特别是钠、氯等反应性离子）。（3） 清洗中或者清洗液附着在 MOS FET 继电器的状态下，请勿用刷子或手擦洗标记面。否则可能导致标记消失。（4） 浸泡清洗、冲洗及蒸汽清洗均请利用溶剂的化学作用进行清洗。关于溶剂或蒸汽中的浸泡时间，请考虑对 MOS FET 继电器的影响，在液温 50以下、1 分钟以内进行处理。（5） 通过超声波清洗时，请在短时间内完成。长时间的清洗会降低模具树脂与型材间的密合性。此外，推荐的基本条件如下所示。（超声波清洗的推荐条件）频
9、率：2729KHz超声波输出：300W 以下（0.25W/cm2 以下）清洗时间：30 秒以下此外，请使其悬浮在溶剂中进行清洗，并避免超声波振子与印刷电路板及 MOS FET 继电器直接接触。 关于焊接封装焊接封装应在符合下述条件的基础上尽可能防止本体温度的升高。(流焊接)印刷基板用端子型仅 1 次(流槽的设定温度) 封装用焊接 准备加热 焊接(铅焊接)SnPb 15060120 秒26010 秒以下(无铅焊接)SnAgCu 15060120 秒26010 秒以下注意：关于使用，建议根据用户的实际使用条件进行确认。(回流焊接)表面安装端子型（DIP、SOP 包装）最多可 2 次(包装的表面温度
10、) 封装用焊接 准备加热 焊接(铅焊接)SnPb 140-16060120 秒21030 秒以下峰值240以下(无铅焊接)SnAgCu 180-19060120 秒2603050 秒峰值260以下表面安装端子型（SSOP 包装）最多可 2 次(包装的表面温度) 封装用焊接 准备加热 焊接(铅焊接)SnPb 140-16060120 秒21030 秒以下峰值240以下(无铅焊接)SnAgCu 180-19060120 秒2603050 秒峰值260以下注 1：关于使用，建议根据用户的实际使用条件进行确认。注 2：以卷切品购入的 SSOP 产品因无防湿包装，请在封装时先进行焊接。（预焊接）仅 1
11、次350 3 秒以内或 26010 秒以内保存条件（1）请保存在不会有水淋到、无阳光直接照射的场所。（2）搬运和保存时，请按照包装箱上的注意事项进行处理。（3）请保存在常温、常湿、常压的场所。此外，温度和湿度请以 535、4575为大致标准。（4） 请保存在硫化氢等腐蚀性气体及含盐气流不会触及产品，及用肉眼判断无尘埃的场所。（5） 请保存在温差较小的场所。保存时温度的剧烈变化会导致结露、导线的氧化与腐蚀等，并引起焊锡熔析性的劣化。（6） 将 MOS FET 继电器从包装中取出后再次保存时，请使用经过防带电处理的存放容器。（7）无论何种场合，请勿对产品施加会导致变形、变质的力。（8） 本公司产品
12、的保证期限为产品购买后或交付到指定场所后的 1 年之内。通常存放一年以上时，建议在使用前先确认锡焊性。使用条件温度MOS FET 继电器的各种电气特性受使用温度限制。在动作范围外的温度条件下使用时，不仅会导致无法实现电气特性，还会导致 MOS FET 继电器的过早劣化。因此，请预先掌握温度特性，并在考虑降额的基础上进行设计。（降额：减少压力）此外，使用温度条件请考虑降额，并将推荐动作温度当作一个参考标准。湿度在高湿度环境下长期使用时，将导致水分渗入内部，从而引起内部集成电路块的劣化和故障的产生。具有高信号源阻抗的系统中，其基板漏电及 MOS FET 继电器的导线间漏电会导致误动作。上述情况下，请考虑对 MOS FET 继电器表面进行防湿处理。另一方面，低湿度下的静电放电会导致继电器损坏，因此在未特别进行防湿处理时，请在 4060的湿度范围内进行使用。
