1、电子元器件封装秘籍大公开飞捷功率器件 电源网讯1、BGA(ballgridarray)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配 LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过 200，是多引脚 LSI用的一种封装。封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为 1.5mm的 360引脚 BGA仅为 31mm见方；而引脚中心距为 0.5mm的 304引脚 QFP为 40mm见方。而且BGA不用担心 QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先
2、在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为 225。现在也有一些 LSI厂家正在开发 500引脚的 BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国 Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC和 GPAC)。2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个
3、角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从 84到 196左右(见 QFP)。3、碰焊 PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型 PGA的别称(见表面贴装型 PGA)。4、C(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在实际中经常使用的记号。5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型 EPROM以及内部带有 EPROM的微机电路等。引
4、脚中心距 2.54mm，引脚数从 8到 42。在日本，此封装表示为 DIPG(G 即玻璃密封的意思)。6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷 QFP，用于封装 DSP等的逻辑 LSI电路。带有窗口的 Cerquad用于封装 EPROM电路。散热性比塑料 QFP好，在自然空冷条件下可容许 1.52W 的功率。但封装成本比塑料 QFP高 35 倍。引脚中心距有 1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数从 32到 368。7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四
5、个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型 EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJG(见 QFJ)8、COB(chiponboard 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然 COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如 TAB和倒片焊技术。9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。是 SOP的别称(见 SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。10、DIC(dualin-linece
6、ramicpackage)陶瓷 DIP(含玻璃密封)的别称(见 DIP).11、DIL(dualin-line)DIP 的别称(见 DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。12、DIP(dualin-linepackage）。双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距 2.54mm，引脚数从 6到 64。封装宽度通常为 15.2mm。有的把宽度为 7.52mm和 10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和 slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，
7、只简单地统称为 DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP也称为 cerdip(见 cerdip)。13、DSO(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见 SOP)。部分半导体厂家采用此名称。14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是 TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm 厚的存储器 LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将 DICP命名为
8、 DTP。15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP的命名(见 DTCP)。16、FP(flatpackage)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或 SOP(见 QFP和 SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。17、flip-chip 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在 LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与 LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固 L
9、SI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距 QFP。通常指引脚中心距小于 0.65mm的 QFP(见 QFP)。部分导导体厂家采用此名称。19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美国 Motorola公司对BGA的别称(见 BGA)。20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料 QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把 LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装在美国Mo
10、torola公司已批量生产。引脚中心距 0.5mm，引脚数最多为 208左右。21、H-(withheatsink)表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的 SOP。22、pingridarray(surfacemounttype)表面贴装型 PGA。通常 PGA为插装型封装，引脚长约 3.4mm。表面贴装型 PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从 1.5mm到 2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊 PGA。因为引脚中心距只有 1.27mm，比插装型 PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250528)，是大规模逻辑 LSI用的封装。
11、封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC和带窗口的陶瓷 QFJ的别称(见 CLCC和 QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频 IC用封装，也称为陶瓷 QFN或 QFNC(见 QFN)。25、LGA(landgridarray)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有 227触点(
12、1.27mm 中心距)和 447触点(2.54mm 中心距)的陶瓷 LGA，应用于高速逻辑 LSI电路。LGA 与 QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速 LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。26、LOC(leadonchip)芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达 1mm左右宽度。27、LQFP(lowprofilequa
13、dflatpackage)薄型 QFP。指封装本体厚度为 1.4mm的 QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP外形规格所用的名称。28、LQUAD 陶瓷 QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高 78 倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许 W3的功率。现已开发出了 208引脚(0.5mm 中心距)和 160引脚(0.65mm 中心距)的 LSI逻辑用封装，并于 1993年 10月开始投入批量生产。29、MCM(multi-chipmodule)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCML，MCMC 和 MCMD 三大类。MCML 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCMC 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合 IC类似。两者无明显差别。布线密度高于 MCML。MCMD 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或 Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。（电源网原创转载请注明出处）
