教师备课教案格式.doc

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资源描述

1、1电子线路教案2011 2012 学年度 第 一 学期课程名称 电子线路 学分课程性质 必修课( ) 任课教师 卞文河 职称 中一授课对象 计算机 专业 高一 年级 综合 班教材分析 该教材系中等职业学校 2000 年版本,出版早,更新快,有些要修改补充。教学目的和要求 学生通过学生能够初步掌握电子线路的基本理念教学重点和难点 放大电路 和放大电路的三种组态教学方法和手段 理论学习,实践操作,课堂检测。主要参考资料 陈其纯的电子线路学习与练习教学进程 本学期学生第一,二,三章内容,十一月二十号左右期中考试2新课教案(课时备课)课程名称:1.1 晶体二极管 1、教学内容 2、教学目的:1熟识二极

2、管的外形和符号2掌握二极管的单向导电性3理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数4会检测二极管3、教学重点和难点:二极管的单向导4、教学进程:引入1观察二极管的外形 2得出共性特征:具有两个电极,将其拉入电路中会出现何种特性呢?3演示实验(1)实验电路 (2)现象灯亮或不亮,说明电路导通或不通。结论:有一类器件能单方向导电,这类器件是晶体二极管。31.1.1 晶体二极管的单向导电性1结构:一个是正极,一个是负极2符号:3文字:V4结论:a外加电压为正极高电位,负极低电位时二极管导通,正偏。 b外加电压为负极高电位,正极低电位时,二极管截止,反偏。单向导电性:晶体二极管加一定正向电压时导通,加

3、反向电压时截止。随堂练习1.判断二极管是否导通 2.第 17 页 1-541.1.2 PN 结1本征半导体:不加杂质的纯净半导体,如硅、锗。2载流子:半导体中存在的两种导电的带电物体。 (1)自由电子:带负电。(2)空穴:带正电。特性:在外电场的作用下具有定向移动的效应,能形成电流。3P 型半导体:在本征半导体中掺三价元素。空穴数大于自由电子数。即:多数载流子为空穴,少数载流子为电子。4N 型半导体:在本征半导体中掺入五价元素。 即:多数载流子为电子,少数载流子为空穴。注意:无论是 P 型、N 型半导体,其正、负电荷总是相等的,整个半导体保持电中性。区和 N 区的交界面形成一个具有特殊电性能的

4、薄层,称为 PN 结。 5PN 结 采用掺杂工艺,使硅或锗的一边形成 P 型半导体,另一边形成N 型半导体区域,在 P 将 PN 结加封装成二极管,从 P 区引出为正极,N 区引出为负极。5结论:(1)PN 结正向偏置时,电阻很小,导通。(2)PN 结反向偏置时,电阻很大,截止。练习1画一个可使灯发光的二极管电路。2将以下器件串联,使二极管导通。 (学生完成)3画出图中的电流通路。小结半导体材料:硅、锗P 型、N 型PN 结单向导电性二极管作业习题一1. 1-1、1-2、1-3、1-4;2. 判断下图中二极管是否导通。6新课1.1.31.1.5 二极管的伏安特性、简单测试、分类、参数1、教学目

5、的:1熟悉二极管的伏安特性2会简单测试二极管3理解二极管的分类、型号及参数2、教学重点和难点 伏安特性、测试方法3、教学进程:A复习1二极管的特性是 ,具体体现为加 电压导通,加 电压截止。 2判断下列电路中二极管导通情况。 B引入 从以上第 1 题来看,V 是否能导通,需进一步研究二极管的伏安特性。 7C新授课1.1.3 伏安特性实验:二极管伏安特性测试 目的:得出二极管电流随二极管电压的变化关系实验电路:调节触头,使加于二极管两端的电压变化,观察毫安表的变化情况有以下结论: (1)当正向电压较小时,正向电流极小,称为死区,死区电压:硅 0.5 V,锗 0.2 V。(2)当正向电压大于死区电

6、压时,电流随电压增大而急剧增大,二极管导通。(3)二极管导通后,两端电压基本稳定,一般硅为 0.7 V,锗为 0.3 V。反向特性:(1)当加反向电压时,二极管反向电阻很大,电流极小,此时电流为反向饱和电流。(2)当反向电压不超过反向击穿电压时,反向饱和电流几乎与反向电压无关。(3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大,此时反向电8压为反向击穿电压。 击穿:电击穿可恢复; 热击穿不可恢复。注意:二极管正向电流不能过大,为限制电流,应在二极管电路中加串联电阻起限流作用。1.1.4 二极管的简单测试一、测试基本原理(1)二极管的伏安特性:正向时,电阻小,导通;反向时,电阻大,截止。 (2)万用

7、表电阻挡用万用表内部电源。注意:表内电池的正极与黑表笔相连,不能与万用表面板的“” 、 “”相混。二、测试方法1选用万用表 R100、R1k 挡问题:为什么不选用 R1 挡(电流较大)R10k 挡(电压较高,二极管损坏) 2接线93结论 (1)一次电阻较大(大于几百千欧) ,一次电阻较小(几百欧、几千欧) ,说明二极管正常。(2)阻值小的,与黑笔相接的为二极管的正极。1.1.5 二极管的分类、型号和参数1分类(1)材料:硅二极管、锗二极管(2)结面积:点接触型、面接触型(3)用途:整流、稳压、发光、光电、变容2主要参数(1)最大整流电流 IFM:二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。(2)最高反向工作电压 VRM:二极管允许承受的反向工作电压峰值, 反向击穿电压。31RMV(3)反向漏电流 IR:规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。I R 越小,二极管的单向导电性能越好。小结1伏安特性2测试103分类布置作业习题一1-5,1-6,1-7

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