1、型号 最大耗散功 率(W) 额定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 1N708 0.25 5.6 40 BWA54、2CW28-5.6V1N709 0.25 6.2 40 2CW55/B、BWA55/E1N710 0.25 6.8 36 2CW55A、2CW105-6.8V1N711 0.25 7.5 30 2CW56A、2CW28-7.5V、2CW106-7.5V1N712 0.25 8.2 30 2CW57/B、2CW106-8.2V1N713 0.25 9.1 27 2CW58A/B、2CW741N714 0.25 10 25 2CW18、2CW59/A/B1N715 0.25
2、 11 20 2CW76、2DW12F.BS31-121N716 0.25 12 20 2CW61/A、2CW77/A1N717 0.25 13 18 2CW62/A、2DW12G1N718 0.25 15 16 2CW112-15V、2CW78/A1N719 0.25 16 15 2CW63/A/B、2DW12H1N720 0.25 18 13 2CW20B、2CW64/B、2CW64-181N721 0.25 20 12 2CW65-20、2DW12I、BWA651N722 0.25 22 11 2CW20C、2DW12J1N723 0.25 24 10 WCW116、2DW13A1N72
3、4 0.25 27 9 2CW20D、2CW68、BWA68/D1N725 0.40 30 13 2CW119-30V1N726 0.40 33 12 2CW120-33V1N727 0.40 36 11 2CW120-36V1N728 0.40 39 10 2CW121-39V1N748 0.50 3.84.0 125 HZ4B21N752 0.50 5.25.7 80 HZ6A1N753 0.50 5.86.1 80 2CW1321N754 0.5 6.36.8 70 H27A1N755 0.50 7.17.3 65 HZ7.5EB1N757 0.50 8.99.3 52 HZ9C1N96
4、2 0.50 9.511 45 2CW1371N963 0.50 1111.5 40 2CW138、HZ12A-21N964 0.50 1212.5 40 HZ12C-2、MA1130TA1N969 0.50 2122.5 20 RD245B1N4240A 1 10 100 2CW108-10V、2CW109、2DW51N4724A 1 12 76 2DW6A、2CW110-12V1N4728 1 3.3 270 2CW101-3V31N4729 1 3.6 252 2CW101-3V61N4729A 1 3.6 252 2CW101-3V61N4730A 1 3.9 234 2CW102-3
5、V91N4731 1 4.3 217 2CW102-4V31N4731A 1 4.3 217 2CW102-4V31N4732/A 1 4.7 193 2CW102-4V71N4733/A 1 5.1 179 2CW103-5V11N4734/A 1 5.6 162 2CW103-5V61N4735/A 1 6.2 146 1W6V2、2CW104-6V21N4736/A 1 6.8 138 1W6V8、2CW104-6V81N4737/A 1 7.5 121 1W7V5、2CW105-7V51N4738/A 1 8.2 110 1W8V2、2CW106-8V21N4739/A 1 9.1 1
6、00 1W9V1、2CW107-9V11N4740/A 1 10 91 2CW286-10V、B563-101N4741/A 1 11 83 2CW109-11V、2DW61N4742/A 1 12 76 2CW110-12V、2DW6A1N4743/A 1 13 69 2CW111-13V、2DW6B、BWC114D1N4744/A 1 15 57 2CW112-15V、2DW6D1N4745/A 1 16 51 2CW112-16V、2DW6E1N4746/A 1 18 50 2CW113-18V、1W18V1N4747/A 1 20 45 2CW114-20V、BWC115E1N4748
7、/A 1 22 41 2CW115-22V、1W22V1N4749/A 1 24 38 2CW116-24V、1W24V1N4750/A 1 27 34 2CW117-27V、1W27V1N4751/A 1 30 30 2CW118-30V、1W30V、2DW19F1N4752/A 1 33 27 2CW119-33V、1W33V1N4753 0.5 36 13 2CW120-36V、1/2W36V1N4754 0.5 39 12 2CW121-39V、1/2W39V1N4755 0.5 43 12 2CW122-43V、1/2W43V1N4756 0.5 47 10 2CW122-47V、1
8、/2W47V1N4757 0.5 51 9 2CW123-51V、1/2W51V1N4758 0.5 56 8 2CW124-56V、1/2W56V1N4759 0.5 62 8 2CW124-62V、1/2W62V1N4760 0.5 68 7 2CW125-68V、1/2W68V1N4761 0.5 75 6.7 2CW126-75V、1/2W75V1N4762 0.5 82 6 2CW126-82V、1/2W82V1N4763 0.5 91 5.6 2CW127-91V、1/2W91V1N4764 0.5 100 5 2CW128-100V、1/2W100V1N5226/A 0.5 3.
9、3 138 2CW51-3V3、2CW52261N5227/A/B 0.5 3.6 126 2CW51-3V6、2CW52271N5228/A/B 0.5 3.9 115 2CW52-3V9、2CW52281N5229/A/B 0.5 4.3 106 2CW52-4V3、2CW52291N5230/A/B 0.5 4.7 97 2CW53-4V7、2CW52301N5231/A/B 0.5 5.1 89 2CW53-5V1、2CW52311N5232/A/B 0.5 5.6 81 2CW103-5.6、2CW52321N5233/A/B 0.5 6 76 2CW104-6V、2CW52331N
10、5234/A/B 0.5 6.2 73 2CW104-6.2V、2CW52341N5235/A/B 0.5 6.8 67 2CW105-6.8V、2CW5235单片机解密承接 单片机 项目开发 单片机解密 电子产品设计 本公司提供的 MCU单片机解密服务，解密型号涵盖了 51系列 MCU，PIC 系列 MCU和 AVR系列 MCU在内的各系列单片机。一、 MCS-51 系列单片机MCS-51系列单片机是目前国内应用最为广泛的单片机系列之一，常见的主要有ATMEL、WINBOND、SYNMOS 和 PHILIP等，其中又以 ATMEL的 51系列单片机的应用最为广泛。 随着 51系列单片机在国内
11、的广泛应用，相应的单片机解密技术也有了较大的发展。考虑到目前市场的需求，本公司采用传统的方法对广大客户提供 51单片机解密（仅限合法研究用途），部分解密的单片机型号如下： 公司名称 单片机解密型号 ATMEL AT89C51 AT89C52 AT89S51 AT89S52 AT89C55 AT89C55WD AT89C51RC AT89C2051 AT89C4051 AT89S8252 其它未列型号 WINBOND W78E51 W78E51B W78E52 W78E58B W78E54 W78E54B W78E58 W78E78B W78E516 W78E516B W77E58 W77E51
12、6 其它未列型号 SYNCMOS SM8951 SM8951A SM8952 SM8952A SM8954 SM8954A SM8958 SM8958A SM89S16 SM89516A 其它未列型号 PHILIPS P87LPC764 P87LPC762 P89C51B P89C52B P89C54B P89C58B P89C51X2 P89C52X2 P87C51X2 P87C52X2 P87LPC932 其它未列型号 二、AVR 系列单片机解密 AVR系列单片机是 1997年 ATMEL公司为了充分发挥其 Flash的技术优势，而推出的全新配置的精简指令集（RISC）单片机，简称 AVR
13、。该系列单片机一进入市场，就以其卓越的性能，而大受欢迎。通过这几年的发展，AVR 单片机已形成系列产品，其 Attiny系列、AT90S 系列与 Atmega系列分别对应为低、中、高档产品（高档产品含 JTAG ICE仿真功能）。 尤其值得一提的是，AVR 系列单片机所独有的深埋熔丝的技术，使得目前普通的单片机解密技术根本无法对其进行有效的解密。解密周期长，解密成功率低也成了大部分解密公司的一大难题。 考虑到 AVR系列单片机优良的性能以及其在国内的广泛运用，本公司依靠国际最先进的解密技术和目前国内仅有一台的解密设备，特推出 AVR单片机解密业务（仅限合法研究用途），为国内广大客户提供最快速可
14、靠的解密服务。 本公司提供的 AVR单片机解密的部分型号如下： 系列名称 单片机解密型号 ATTINY11L ATTINY12L ATTINY15L ATTINY26L TINY系列单片机 ATTINY28L 其它未列型号 AT90S1200 AT90S2323 AT90S2343 AT90S2313 AT90S2333 AT90S4414 AT90S4434 AT90S4433 90S系列单片机 AT90S8515 AT90S8535 其它未列型号 ATMEGA8L ATMEGA16L ATMEGA161L ATMEGA163L ATMEGA32L ATMEGA323L ATMEGA603L
15、 ATMEGA64L MEGA系列单片机 ATMEGA103L ATMEGA128L ATMEGA8515L ATMEGA8535L ATMEGA162L ATMEGA169L 其它未列型号 三、PIC 系列单片机解密 MICROCHIP公司的 PIC系列单片机是目前全球应用最为广泛的单片机。该系列单片机以其强大的功能、灵活的选型、突出的抗干扰性能以及良好的性价比而深受广大电子工程师的喜爱，所以近二十年来，PIC 单片机也成为全球发展最快的单片机，尤其是最近几年，其全球销售额已经超过摩托罗拉而稳居世界第一。 鉴于 PIC系列单片机在国内的广泛运用，本公司特推出 PIC单片机解密业务（仅限合法研
16、究用途），为国内广大客户服务。 本公司提供的 PIC系列单片机解密的部分型号如下： 主系列 子系列 单片机解密型号 PIC12C508A PIC12C509A PIC12C672 PIC12F629 PIC12XXX 系列单片机 PIC12F675 其它未列型号 PIC16C54C PIC16C56A PIC16C57C CF745 初级系列 PIC16C5X 系列单片机 CF775 其它未列型号 PIC16C62B PIC16C63A PIC16C65B PIC16C620A PIC16C6XX 系列单片机 PIC16C621A PIC16C622A 其它未列型号 PIC16C72 PIC1
17、6C72A PIC16C711 PIC16C712 PIC16C73B PIC16C74B PIC16C745 PIC16C765 PIC16C7XX 系列单片机 PIC16C715 PIC16C716 其它未列型号 PIC16F627 PIC16F627A PIC16F628 PIC16F628A PIC16F6X 系列单片机 PIC16F648A PIC16F630 PIC16F676 PIC16F72 PIC16F73 PIC16F74 PIC16F76 PIC16F7X 系列单片机 PIC16F77 PIC16F8X 系列单片机 PIC16F83 PIC16F84 PIC16F84A
18、PIC16F819 PIC16F873 PIC16F874 PIC16F876 PIC16F877 PIC16F87X 系列单片机 PIC16F873A PIC16F874A PIC16F876A PIC16F877A 中级系列 PIC16C9XX 系列单片机 PIC16C923 PIC16C924 PIC16C925 PIC16C926 PIC17CXXX 系列单片机 PIC17C42A PIC17C44 PIC17C756A PIC17C762 PIC18F242 PIC18F252 PIC18F442 PIC18F452 高级系列 PIC18FXXX 系列单片机 PIC18F248 PI
19、C18F258 PIC18F448 PIC18F458 四、 其它系列单片机解密 51 系列、PIC 系列和 AVR系列单片机是目前应用最为广泛的单片机。除此之外，EMC、HOLTEK 和 ST等其它公司的单片机产品在国内的应用也越来越广泛。本公司也提供对以上单片机的解密，具体情况，欢迎来电垂询. 杭州胖胖电子有限公司 销售部地址： 浙江杭州登云路 428号浙江时代电子市场 2B355邮编：310011 电话：0571-85587905 传真：0571-56789544 Email: QQ:50704535 Msn: 2007 年 1 月 29 日 星期一 首页 视听设备 厨房电器 家居小电器
20、 卫浴电器 生活小家电 照明 电子类 空调 冰箱 洗衣机设为首页联系站长加入收藏位置： 中国家电在线 厨房电器 电磁炉 正文输入您的搜索字词 提交搜索表单 搜 索 pub-4978272661 1 GB2312 GB2312 GALT:#008000;G zh-CN| 厨房电器 | 电磁炉 | 抽油烟机 | 燃气灶 | 微波炉 | 消毒柜 | 洗碗机 | 电火锅 | 电饭煲/电饭锅 | 电炒锅/电热锅 | 压力锅 | 电烤箱 | 多士炉/面包机 | 电饼铛 | 家用酸奶机 | 豆浆机 | 食物垃圾处理机 | 煮蛋器 | 打蛋器 | 冰淇淋机 | 制冰机 | 榨汁机/搅拌机 | 咖啡壶/咖啡机
21、| 鲜米机 | 果蔬消毒机/扫毒机 |电磁炉原理_美的电磁炉_电磁炉原理 电磁炉原理_美的电磁炉_电磁炉原理电磁炉原理 作者：peter1980 来源：中国家电在线 点击数：15 更新时间：2006-12-30 文章录入：peter1980 【字体： 】一、简介1.1 电磁加热原理电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将 50/60Hz 的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为 20-40KHz 的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿 (导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器
22、皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。1.2 458 系列筒介458 系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉,介面有 LED 发光二极管显示模式、LED 数码显示模式、LCD 液晶显示模式、VFD莹光显示模式机种。操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有 7003000W 的不同机种,功率调节范围为额定功率的 85%,并且在全电压范围内功率自动恒定。200240V 机种电压使用范围为 160260V, 100120V 机种电压使用范围为 90135V。全
23、系列机种均适用于 50、60Hz 的电压频率。使用环境温度为-23 45。电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/短路保护、2 小时不按键(忘记关机) 保护、IGBT 温度限制、IGBT 温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT 测温传感器开/短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE 抑制、VCE 过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。458 系列须然机种较多,且功能复杂,但不同的机种其主控电路原理一样,区别只是零件参数的差异及 CPU 程序不同而己。电路的各项测控主要由一块8 位 4K 内存的单片机组成,外围线路简单且零件极少,并设有故障报警功能,故电路可*性高,维修容
24、易,维修时根据故障报警指示,对应检修相关单元电路,大部分均可轻易解决。二、原理分析2.1 特殊零件简介2.1.1 LM339 集成电路LM339 内置四个翻转电压为 6mV 的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管截止, 此时输出端相当于开路; 当电压比较器输入端电压反向时(- 输入端电压高于+输入端电压), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管导通, 将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为 0V。2.1.2 IGBT绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简
25、称 IGBT,是一种集 BJT 的大电流密度和 MOSFET 等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的 IGBT, 但它们均可被看作是一个 MOSFET 输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT 有三个电极(见上图), 分别称为栅极 G(也叫控制极或门极) 、集电极 C(亦称漏极) 及发射极 E(也称源极) 。从 IGBT 的下述特点中可看出 , 它克服了功率 MOSFET 的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。IGBT 的特点:1.电流密度大, 是 MOSFET 的数十倍。2.输入阻抗高, 栅
26、驱动功率极小, 驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和 BVceo 下, 其导通电阻 Rce(on) 不大于 MOSFET 的 Rds(on) 的 10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快, 关断时间短,耐压 1kV1.8kV 的约 1.2us、600V 级的约 0.2us, 约为 GTR 的 10%,接近于功率 MOSFET, 开关频率直达 100KHz, 开关损耗仅为 GTR 的 30%。IGBT 将场控型器件的优点与 GTR 的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。目前 458 系列因应不同机种采了不同规格的
27、IGBT,它们的参数如下:(1) SGW25N120-西门子公司出品,耐压 1200V,电流容量 25时 46A,100时 25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)使用,该 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用 SKW25N120。(2) SKW25N120-西门子公司出品,耐压 1200V,电流容量 25时 46A,100时 25A,内部带阻尼二极管,该 IGBT 可代用 SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。(3) GT40Q321-东芝公司出品,耐
28、压 1200V,电流容量 25时 42A,100时 23A, 内部带阻尼二极管, 该 IGBT 可代用 SGW25N120、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。(4) GT40T101-东芝公司出品,耐压 1500V,电流容量 25时 80A,100时 40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管(D11)使用,该 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用 SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上
29、的快速恢复二极管(D11)后可代用 GT40T301。(5) GT40T301-东芝公司出品 ,耐压 1500V,电流容量 25时 80A,100时 40A, 内部带阻尼二极管, 该 IGBT 可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。(6) GT60M303 -东芝公司出品,耐压 900V,电流容量 25时 120A,100时 60A, 内部带阻尼二极管。2.2 电路方框图2.3 主回路原理分析时间 t1t2 时当开关脉冲加至 Q1 的 G
30、 极时,Q1 饱和导通,电流 i1 从电源流过 L1,由于线圈感抗不允许电流突变.所以在 t1t2 时间 i1 随线性上升 ,在 t2时脉冲结束,Q1 截止,同样由于感抗作用,i1 不能立即变 0,于是向 C3 充电,产生充电电流 i2,在 t3 时间,C3 电荷充满,电流变 0,这时 L1 的磁场能量全部转为 C3 的电场能量,在电容两端出现左负右正 ,幅度达到峰值电压,在 Q1 的 CE 极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压+ 电源电压,在 t3t4 时间,C3 通过 L1放电完毕,i3 达到最大值,电容两端电压消失,这时电容中的电能又全部转为 L1 中的磁能,因感抗作用,i3 不能立即变 0
31、,于是 L1 两端电动势反向,即 L1 两端电位左正右负,由于阻尼管 D11 的存在,C3 不能继续反向充电,而是经过 C2、D11 回流,形成电流 i4,在 t4 时间,第二个脉冲开始到来,但这时 Q1 的 UE为正,UC 为负,处于反偏状态,所以 Q1 不能导通,待 i4 减小到 0,L1 中的磁能放完,即到 t5 时 Q1 才开始第二次导通,产生 i5 以后又重复 i1i4 过程,因此在 L1 上就产生了和开关脉冲 f(20KHz30KHz)相同的交流电流。t4t5 的 i4 是阻尼管 D11 的导通电流,在高频电流一个电流周期里,t2t3 的 i2 是线盘磁能对电容 C3 的充电电流,
32、t3t4 的 i3 是逆程脉冲峰压通过 L1 放电的电流,t4t5 的 i4 是 L1 两端电动势反向时, 因 D11 的存在令 C3 不能继续反向充电 , 而经过 C2、D11 回流所形成的阻尼电流,Q1 的导通电流实际上是 i1。Q1 的 VCE 电压变化:在静态时,UC 为输入电源经过整流后的直流电源,t1t2,Q1 饱和导通,UC 接近地电位,t4t5,阻尼管 D11 导通,UC 为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降),t2t4, 也就是 LC 自由振荡的半个周期,UC 上出现峰值电压 ,在 t3 时 UC 达到最大值。以上分析证实两个问题:一是在高频电流的一个周期里,只有 i1 是电源
33、供给 L 的能量,所以 i1 的大小就决定加热功率的大小,同时脉冲宽度越大,t1t2 的时间就越长,i1 就越大,反之亦然,所以要调节加热功率,只需要调节脉冲的宽度;二是 LC 自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间,亦是 Q1 的截止时间,也是开关脉冲没有到达的时间,这个时间关系是不能错位的,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲己提前到来,就会出现很大的导通电流使 Q1 烧坏,因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。2.4 振荡电路(1) 当 G 点有 Vi 输入时、V7 OFF 时(V7=0V), V5 等于 D12 与 D13 的顺向压降, 而当 V6(2) 当 V6V5 时,V7
34、转态为 OFF,V5 亦降至 D12 与 D13 的顺向压降 , 而 V6 则由 C5 经 R54、D29 放电。(3) V6 放电至小于 V5 时, 又重复(1) 形成振荡。“G 点输入的电压越高, V7 处于 ON 的时间越长, 电磁炉的加热功率越大 ,反之越小”。2.5 IGBT 激励电路振荡电路输出幅度约 4.1V 的脉冲信号,此电压不能直接控制 IGBT(Q1)的饱和导通及截止,所以必须通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下:(1) V8 OFF 时(V8=0V),V8(2) V8 ON 时(V8=4.1V),V8V9,V10 为低,Q8 和 Q3 截止、Q9 和 Q10 导通,+22V 通过 R71、Q10 加至 Q1 的 G 极,Q1 导通。
