1、INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )集成电路 工艺 原理仇志军邯郸校区物理楼 435室1INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )净化的三个层次：上节课主要内容净化级别高效净化净化的必要性器件：少子寿命 ， VT改变， Ion Ioff，栅击穿电压 ，可靠性 电路：产率 ，电路性能 杂质种类：颗粒、有机物、金属、天然氧化层强氧化天然氧化层HF:DI H2O本征吸杂和非本征吸杂环境、硅片清洗、吸杂2INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第 三章 实验室净化及硅片清洗第四
2、章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章 后端工艺与集成第十一章 未来趋势与挑战3INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )光刻的作用和目的图形的产生和布局4INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )35的成本来自于光刻工艺光刻的要求图形转移技术组成：掩膜版 /电路设计掩膜版制作光刻光源曝光系统光刻胶分辨率（ 高 ）曝光视场（ 大 ）图形对准精度（ 高 ） 1/3 最小特征尺寸产率（ throughput）（ 大 ）缺陷密度（ 低 ）5INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原
3、理 (上 )空间图像潜在图像6INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )掩膜版制作CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形数字图形4或 5投影光刻版 投影式光刻1掩膜版制作 接触式、接近式光刻7INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )电子束直写熔融石英玻璃片80nmCr10 15nmARC（ anti-reflection coating）光刻胶高透明度（散射小）热膨胀小4或 5投影光刻版在 制版时容易检查缺陷版上缺陷可以修补蒙膜 (pellicle)保护防止颗粒玷污8INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )掩模版制作过程12. Finished9INFO130024.02 集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (上 )成品率 Y:D0:单位面积缺陷数， Ac: 芯片面积， N: 掩膜版层数10
