1、1,第七章 半导体存储器,本章的重点： 1存储器的基本工作原理、分类和每种类型存储器的特点； 2扩展存储器容量的方法； 3用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法。 因为存储器几乎都作成LSI器件，所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件。存储器内部的电路结构不是课程的重点。本章的难点： 在本章的重点内容中基本没有难点。,2,第七章 半导体存储器,第一节 概述,存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。,用途：在计算机或数字系统中存储数据。,与寄存器的区别：以字为单位存取，每字包含若干位。各个字的相同位通过同一引脚与外界联系。每个字分配一个地址，因此内部有地址译码器。,3,分类：,
2、掩模ROM,可编程ROM（PROM）,可擦除可编程ROM（EPROM）,随机存储器RAM,静态存储器SRAM,动态存储器DRAM,按功能,(Read- Only Memory),(Random Access Memory),(Programmable ROM),(Erasable PROM),UVEPROM,EEPROM,只读存储器ROM,Flash Memory,(Ultra-Violet),(Electrically),电可擦除,紫外线擦除,(Static RAM),快闪存储器,(Dynamic RAM),只能读出不能写入,断电不失,还可以按制造工艺分为双极型和MOS型两种。,主要指标：存
3、储容量、存取速度。,存储容量:用字数位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。,4,第二节 只读存储器ROM,一、掩模只读存储器,又称为固定ROM。工厂按用户要求生产出来后，用户不能改动。,1.ROM的构成,存储矩阵：由若干存储单元排列成矩阵形式。,储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。,地址译码器：根据地址输入，在存储矩阵中选出指定的字对应的单元，把数据送往输出缓冲器。,输出缓冲器：增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和系统的总线相连。,存取速度：用完成一次存取所需的时间表示。高速存储器的存取时间仅有10ns左右。,5,2.工作原理,按组合电路进行分析。
4、,二四线译码器,A1,A0的四个最小项,字线,存储矩阵是四个二极管或门；,D1= D3 = A0,真值表：,真值表与存储单元有一一对应关系,位线,6,二、可编程只读存储器PROM,用MOS工艺制造的ROM的存储矩阵如图：,或非门,产品出厂时存的全是1，用户可一次性写入，即把某些1改为0。但不能多次擦除。,存储单元多采用熔丝低熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断。,编程时VCC和字线电压提高,7,16字8位的PROM,十六条字线,八条位线,读出时，读出放大器AR工作，写入放大器AW不工作。,写入时，在位线输入编程脉冲使写入放大器工作，且输出低电平，同时相应的字线和VCC提
5、高到编程电平，将对应的熔丝烧断。,缺点：不能重复擦除。,8,三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM）,（一）紫外线擦除的只读存储器（UVEPROM）,是最早出现的EPROM。通常说的EPROM就是指这种。,1.使用浮栅雪崩注入MOS管（Floating-gate Avalanche-Injuction MOS，简称FAMOS管。）,写入：管子原来不导通。在漏源之间加上较高电压后（如-20V），漏极PN结雪崩击穿，部分高速电子积累在浮栅上，使MOS管导通。,擦除：用紫外线或X射线擦除。需2030分钟。,浮栅上电荷可长期保存在125环境温度下，70%的电荷能保存10年以上。,存储单元如图。,缺点
6、：需要两个MOS管；编程电压偏高；P沟道管的开关速度低。,9,2.使用叠栅注入MOS管SIMOS (Stacked-gate Injuction MOS),用N沟道管；增加控制栅。,SIMOS管原来可导通，开启电压约为2V。,注入电荷：在DS间加高电压，同时在控制栅加25V、50mS宽的脉冲。由于控制栅上有电压，所以需要的漏源电压相对较小。注入电荷后其开启电压达7V，不能正常导通。,存储单元如下页图。256字X1位。已注入电荷的SIMOS管存入的是1。,构造：,10,这是一种双译码方式，行地址译码器和列地址译码器共同选中一个单元。每个字只有一位。,（二）电可擦除EPROM(EEPROM或E2R
7、OM),用紫外线擦除操作复杂，速度很慢。必须寻找新的存储器件，使得可以用电信号进行擦除。,使用浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide),11,特点：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时隧道区双向导通。,当隧道区的等效电容极小时，加在控制栅和漏极间的电压大部分降在隧道区，有利于隧道区导通。,存储单元：,擦除和写入均利用隧道效应,10ms,12,快闪存储器就是针对此缺点研制的。,（三）快闪存储器(Flash Memory）,采用新型隧道氧化层MOS管。,EEPROM的缺点：擦写需要高电压脉冲；擦写
8、时间长；存储单元需两只MOS管。,1.隧道层在源区；,2.隧道层更薄1015nm。在控制栅和源极间加12V电压即可使隧道导通。,该管特点：,13,存储单元的工作原理：,1.写入利用雪崩注入法。源极接地；漏极接6V；控制栅12V脉冲，宽10 s。,2.擦除用隧道效应。控制栅接地；源极接12V脉冲，宽为100ms。因为片内所有叠栅管的源极都连在一起，所以一个脉冲就可擦除全部单元。,3.读出：源极接地，字线为5V逻辑高电平。,6V,0V,0V,快闪存储器特点：集成度高，容量大，成本低，使用方便。已有64兆位产品问世。很有发展前途。,5V,14,第三节 随机存储器（RAM）,一、静态随机存储器SRAM
9、,特点：RAM在工作时可随时对任意指定单元进行读或写操作。使用方便、灵活。但切断电源后，所存信息就会丢失。,分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM两种。也可称为读写存储器。,（一）RAM的结构,1.存储矩阵,2114,2.地址译码：双译码。,3.读写控制电路：,六管单元,控制I/O端是否处在高阻状态。,控制电路处于读出还是写入状态。,15,1024字4位（2114）,SRAM结构,16,（二）静态RAM的存储单元,1.六管NMOS静态存储单元,六管NMOS,2.六管CMOS静态存储单元,3.双极型静态存储单元,17,利用MOS管栅极电容可以暂存电荷的原理制成。因此，存储单元简单，存
10、储容量大。但栅极电容很小，由于漏电的影响，电容电荷保存时间很短。必须定时给电容充电刷新、再生。这就需要外围电路配合。,这里只介绍四管动态存储单元。,*二、动态随机存储器DRAM,读出：,这也是刷新过程。,如果使Y信号也有效，就能读出了。,写入：,跟静态存储器类似。,18,第四节 存储器容量的扩展,一、位扩展方式,方法：所有输入信号都并联（地址信号、片选信号和读写信号）。输出并列。,需要片数N=8,例：用1024字1位RAM构成1024字8位RAM.,19,二、字扩展方式,例：用256字8位RAM组成1024字8位存储器。,需要片数N4,特点：必须使用译码器。,各片地址分配情况：,字扩展图,当要求字和位都扩展时，重复使用字扩展的电路，但译码器只用一个。,20,21,第五节 用存储器实现组合逻辑函数,ROM的每个输出都是由地址输入的最小项之和的形式给出的，因此可以用来实现组合逻辑函数。,例：用ROM实现由8421-BCD码到七段显示器的译码器。,输入变量,22,不可编程,打点处有二极管,ROM的简化表示方法。,23,六管静态存储单元,SRAM结构,门控管,门控管,SRAM单元,注意读出和写入方法。,24,字扩展,方法：片内地址信号并联；多余地址端通过译码器接至各片的片选端；I/O同名端并联。,并联,并联,译码器,
