8.2.1 PN 结,一、PN结的形成,P,N,空间电荷区,1、浓度差引起载流子的扩散运动,2、内电场引起载流子的漂移运动,耗尽层,3、动态平衡时PN结中的电流：扩散电流等于漂移电流，PN结中的电流为零。,8.2 半导体二极管,内电场,(1) 外加正向电压,内电场方向,R,P 区,N 区,外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷,N区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷,扩散运动增强，形成较大的正向电流,二、PN结的单向导电特性,P 区,N 区,内电场方向,R,(2) 外加反向电压,外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走,少数载流子越过 PN 结形成很小的反向电流,多数载流子的扩散运动难于进行,三、PN结的击穿,1、齐纳击穿：（击穿电压低）4伏以下。 浓度高时，PN结窄，在同样电压下，反向电场很强，从而破坏共价键的结构，把电子拉出来。2、雪崩击穿：（击穿电压高）6伏以上。 浓度低时，：PN结宽，电子在PN结中被加速，当遇到价电子时，就可以把其撞出来。3、4伏6伏，两种情况都可能电击穿,
