1、西安电子科技大学学位论文独创性声明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切 任。本人 西安电子科技大学论文使用 的说明本人 了 西安电子科技大学有 和使用学位论文的 ， 研究 在校 学位 论文工作的知 位 西安电子科技大学。学校有 交
2、论文的 ，和论文；学校以currency1论文的 或“内容，以用 fi 或其它 fl 论文。同本人 证， 学位论文研究”撰写的文一 位为西安电子科技大学。的论文在 本学位论文 ，在 用本 书。本人 导师 摘要 中的子以导致 中的 导 发 子 ，进而 电 以及 的 ，导致 发 。 的 子 子 的研究，是研究 子 “ 的 之一，对 子 的加 ， 的 性 有“ 的意 。本文研究了 以及 中的 子导致 发 子的机，对 进行了 子 。 过大 工作到了 的敏感区，同“析了入 子在线性 阈值，入 径以及入深度等因素对该 的响。论文 了同一个 在不同偏压1V3V5V，不同LE 值 0.1pC/m0.7 pC/
3、m条 下的SE ，并对 果进行了“析。 过对 的 ，以得到响电 工作的 脉冲电流源，在 电 中加入该脉冲电流源，进行电 子 。关键词：InP HBT 单粒子效应 单粒子瞬态 数字电路 AbstractNatural space radiatio e viro me t ca lead to Si gle Eve t Effects i Spacecraft electro ics semico ductor device，which seriously affects thereliability a d life of the spacecraft. eavy io si gle eve t
4、 experime tsa d simulatio is o e of the very importa t mea s of study o si gle eve teffects. he rei forceme t of semico ductor devices o a si gle eve teffects has a very importa t sig ifica ce o improvi g the reliability ofthe spacecraft.he mecha ism of si gle eve t tra sie t effects caused by space
5、radiatio e viro me t has bee described i this paper. devices forsi gle eve t effects o physical level have bee simulated. hrough a lotof simulatio work, the se sitive area of has bee fou d a d howthe factors, such as li ear e ergy threshold, the i cide t radius, depth ofheavy io impact o the effect
6、has bee a alyzed. he SE of u derdiffere t bias co ditio s 1V3V5V, a d differe t LE values0.1pC/m0.7 pC/m have bee simulated a d the results have bee a alyzed. Moreover, we ca get a tra sie t pulse curre t source whichaffects circuit work through the physical level device simulatio .y addi g the puls
7、e curre t source i a digital circuit, the circuit-levelsi gle eve t effects ca be simulated precisely.Keywords InP HBT single event effects single event transient digital circuit 目录 1目录摘.4Abstract.6目录.8第一 绪论.101.1 .101.2 子 研究的必性.121.3 子 研究现 .141.4 本论文内容安排.18第二 导 子 照过程及作用原 .192.1 子电荷淀积方式.192.2 中 子 形成
8、机.202.3 电 的 子翻转机fl.232.4 子 机研究中的不足.232.5 本小.24第三 子 .253.1 软 和 介绍.253.2 的构和主特性.263.3 子 的实现.273.4 子 .293.4.1 入位置的响.313.4.2入 径的响.323.4.3 入深度的响.323.4.4 入 的响.333.4.5 不同偏置下的 子 .353.5 本小.36第四 交互式 电 子 方 研究.374.1 混模拟 .374.2 模拟脉冲源研究.374.2.1 矩形注入脉冲模型.384.2.2 双指 注入脉冲模型.384.2.3 注入脉冲模型.394.3 与其他方 比较.424.4 本小.43第五
9、 束语 .44致谢.45参考文献 .46目录 1硕士 的研究成果和参加的科研项目.4810 子 研究第一章 绪论 中的 导 和集成电 在 下会被质子中子子 子等子轰击，使得 或电 性发 或永久的 ，进而使得整个 电学 发 。 导 的不 小， 子 对电学 的 也不 加大。 资料表明 1 , 1971 1986， 外发的39 同 ，因 原因 成的 1589 ，其中与 有 的 有1129 ， 的71 。而在 成的 中， 子 成的 有621 ， 的55 。与 2 和位 3 比， 子 成的 和 加致。因， 导 子 研究currency1会对 的发 做“ 大的贡献。1.1 中的质子中子子 子是发 导 和集成电 子 的主原因。 主 以下三个“fi成 fl1 线线是 源 以外 以内的线以及”发的线，其 经电和加的子fi成，其中大“是质子 87 和a-子 12 ， 子 其中的1 ， 大，比小的 子对 中的电子 有 “ 的响。 子有 比较大的线性阈值 LE ，其 比质子 ，在其子径会 度的等子 ，因在考 子 ，必考 子的响， 1.1以，子的 度大，其中 e原子有比较明 的一个 ，因，目 的 子 子 研究中以 e子为主。 以11为 现 性 ， 11 会”发 较的子线，因 是 子 ”发的 。
