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1、1教你看懂内存编码！内存大小识别方法(详)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子 HYUNDAI：HY注：代号 三星 SAMSUNG：KM 或 M NBM：AAA 西门子 SIEMENS：HYB 高士达 LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉 MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI ：MSM 美凯龙 MICRON：MT 德州仪器 TMS： TI 东芝 T

2、OSHIBA：TD或 TC 日立 HITACHI：HM STI：TM 日电 NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有 Hitachi日立，Toshiba东芝，NEC日电，Mitsubishi三菱等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI 日立。 1 日立内存质量不错，许多 PC100 的皆可稳上 133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有 HITACHI HM521XXXXXCTTA60 或 B60,区别是 A60 的 CL 是 2，B60 的 CL 是 3。市面上 B60 的多，但完全可超 133MHz 外频， HITAC

3、HI 的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM 代表是日立的产品，52 是 SDRAM，如为 51 则为 EDO DRAM。 第 1、2 个 X 代表容量。 第 3、4 个 X 表示数据位宽， 40、80、16 分别代表 4 位、8 位、16 位。 第 5 个 X 表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到“F“了。 第 6 个 X 如果是字母 “L“就是低功耗。空白则为普通。 TT 为 TSOII 封装。 最后 XX 代表速度： 75：7.5ns133MHz 80：8ns125MHz A60 ：10nsPC-100 CL2 或 3 B60

4、：10nsPC-100 CL3 例如：HM5264805F-B60，是 64Mbit，8 位输出，100MHZ 时 CL 是 3。 2.NEC。 NEC 的 SDRAM 芯片上的标识通常为以下格式： PD45 XX X X XG5-AXX X-XXX 2PD4 代表是 NEC 的产品。 “5“代表是 SDRAM。 第 1、2 个 X 代表容量。 第 3 或 4 个 X 表示数据位宽， 4、8、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位、32 位。当数据位宽为 16 位和 32 位时，使用两位，即占用第 4 个 X。由于NEC 的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。 第 4 或 5 个

5、 X 代表 Bank。“3“ 或“4“代表 4 个 Bank，在 16 位和 32 位时代表 2 个 Bank；“2“代表 2 个 Bank。 第 5 个 X，如为“1“代表 LVTTL。如为 16 位和 32 位的芯片，第 5 个 X 已被占用，则第 5 个 X 有双重含义，如 “1“代表 2 个 Bank 和 LVTTL，“3“代表 4个 Bank 和 LVTTL。 G5 为 TSOPII 封装。 -A 后的 XX 是代表速度： 80：8ns125MHz 10：10nsPC100 CL 3 10B ：10ns 较 10 慢， Tac 为 7，不完全符合 PC100 规范。 12：12ns

6、70：PC133 75：PC133 速度后的 X 如果是字母“L“ 就是低功耗，空白则为普通。 -XXX：第一人 X 通常为数字，如 64Mbit 芯片上常为准，16Mbit 芯片上常为 7，规律不详。其后的 XX 的“JF“ 、“JH“、“NF“等。估计与封装外型有关：“NF“对应: 44-pinTSOP-II；“JF“对应 54-pin TSOPII；“JH“对应 86-pin TSOP-II。 例如：PD4564841G5-A80-9JF，64Mbit ，8 位，4 个 Bank，在 CL=3 时可工作在 125MHZ 下，在 100MHZ 时 CL 可设为 2。 3.TOSHIBA 东

7、芝。 TOSHIBA 的芯片上的标识为以下格式： TC59S XX XX X FT X-XX TC 代表是东芝的产品。 59 代表是 SDRAM 系列。其后的 S 为普通 SDRAM，R 为 Rambus SDRAM，W 为 DDR SDRAM。 第 1、2 个 X 代表容量。 64 为 64Mbit，M7 为 128Mbit。 第 3、4 个 X 表示数据位宽， 04、08、16、32 分别代表 4 位、8 位、16位和 32 位。 第 5 个 X 估计是用来表示内核的版本。目前常见的为“B“ 。 FT 为 TSOPII 封装。 FT 后如果有字母“L“就是低功耗，空白则为普通。 最后的 X

8、X 是代表速度： 75：7.5ns133MHz 80：8ns125MHz 10：10ns100MHz CL=3 例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit ，8 位，可正常工作在 125MHz，且为低功耗型号。3二.韩国产系列： 韩国现在的 SEC 三星和 HY（现代，它还将 LGS 给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。 1.SECSamsung Electronics三星。 三星的 SDRAM 芯片的标识为以下格式： KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM 代表是三星的产品。 三星的 SDRAM 产品 KM 后均为

9、 4，后面的“S“代表普通的 SDRAM，如为“H“，则为 DDR SDRAM。 “S“ 前两个 XX 表示数据位宽，4、8、16 、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用“S“后的 X 乘 S 前的数字，得到的结果即为容量。 “0“后的第一个 X 代表由几个 Bank 构成。2 为 2 个 Bank，3 为难个Bank。 “0“后的第 2 个 X，代表 interface，1 为 SSTL，0 为 LVTTL。 “0“后的第 3 个 X 与版本有关，如 B、C 等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。 “T“为 TSOP 封

10、装。 速度前的“G“ 和“F“ 的区别在自刷新时的电流，“F“ 需要的电流较“G“小，相当于一般的低功耗版。 “G/F“ 后的 X 代表速度： 7：7ns143MHz 8：8ns125MHz H：10nsPC100 CL2 或 3 L：10nsPC100 CL3 10：10ns100MHz 例如：KM416S4031BT-GH，是 64Mbit16*4，16，4 个 Bank，在100MHZ 时 CL=2。 三星公布的标准 PC133 芯片： Unbuffered 型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered 型：KMM3 90 s xxxx BTI/AT

11、I-GA 2.HYUNDAI 现代 现在国内常见的有 HY57V65XXXXATC 10 和 HY57V651XXXXXATC10。现代的 HY PC 100 SDRAM 的编号应是 ATC 10 或 BTC，没有 A 的或 B 的，就不是 PC 100 内存。经测试，发现 HY 编号为 ATC10 的 SDRAM 上 133MHz时相当困难。而编号 ATC8 的上 133MHz 也不行，但可超到 124MHz。编号BTC 的 SDRAM 上 133MHz 很稳定。66841XT75 为 PC133 的，66841ET7K为 PC100 的。 现代的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： HY

12、 5X X XXX XX X X X X XX -XX HY 代表是现代的产品。 5X 表示芯片类型，57 为一般的 SDRAM，5D 为 DDR SDRAM。 第 2 个 X 代表工作电压，空白为 5V，“V“为 3.3V, “U“为 2.5V。 4第 3-5 个 X 代表容量和刷新速度，分别如下： 16：16Mbits，4K Ref。 64：64Mbits，8K Ref。 65：64Mbits，4K Ref。 128：128Mbits ，8K Ref。 129：128Mbits ，4K Ref。 256：256Mbits ，16K Ref。 257：256Mbits ，8K Ref。 第

13、6、7 个 X 代表芯片输出的数据位宽， 40、80、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位。 第 8 个 X 代表内存芯片内部由几个 Bank 组成，1、2 、3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank。是 2 的幂次关系。 第 9 个 X 一般为 0，代表 LVTTLLow Voltage TTL接口。 第 10 个 X 可以为空白或 A、B、C、D 等字母，越往后代表内核越新。 第 11 个 X 如为“L“则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。 第 12、13 个 X 代表封装形式，分别如下： JC：400mil SOJ TC ：400mil TSOP-II

14、 TD ：13mm TSOP-II TG：16mm TSOP-II 最后几位为速度： 7：7ns143MHz 8：8ns125MHz 10p：10nsPC-100 CL2 或 3 10s：10nsPC-100 CL3 10：10ns100MHz 12：12ns83MHz 15：15ns66MHz 例如：常见的 HY57V658010CTC-10s，HY 是现代的芯片，57 说明是SDRAM，65 是 64Mhbit 和 4K refresh cycles/64ms，下来的 8 是 8 位输出，10 是 2 个 Bank，C 是第 4 个版本的内核，TC 是 400mil TSOP-封装，10S

15、代表 CL=3 的 PC-100。需要指出的是-10K 不是 PC100 的产品，-7J 和-7K 也不是 PC133 的产品。-8 的性能要好于-7K 和-7J。 3.LGS LG Semicon LGs 早已被 HY 现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG 现有的内存条编号后缀为 7J、7K 、 10K、8 。其中 10K 是非 PC100 规格的，速度极慢。7J 和 7K 才是 PC 100 的 SDRAM，7J 和 7K 工作模式的速度参数不同，LGs 7J 编号在 1073222，LGs 7K 编号是 1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而 8 才是真正的

16、8ns PC 100 内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多 10K 的 LGs 内存，速度比 7J 和 7K 差很远，但因外型相差不大，所以不少*商把 10K 冒充 7J 或 7K 的来卖。而 7J 和 7K 经过测试比较，7K 比7J 的更优秀，上 133MHz 时 7K 比 7J 更稳定，但 7K 的市面上不多见。 LGS 的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX 5GM 代表为 LGS 的产品。 72 代表 SDRAM。 第 1、2 个 X 代表容量，类似现代， 16 为 16Mbits，66 为 64Mbits。 第 3、4 个 X

17、 表示数据位宽，一般为 4、8、16 等，不补 0。 第 5 个 X 代表 Bank，2 对应 2 个 Bank，4 对应 4 个 Bank，和现代的不一样，属于直接对应。 第 6 个 X 表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到“E“ 了。 第 7 个 X 如果是字母 “L“，就是低功耗，空白则为普通。 “T“为常见的 TSOP封装，现在还有一种 BLP 封装出现，为“I“。 最后的 XX 自然是代表速度： 7.5：7.5ns133MHz 8：8ns125MHz 7K：10ns PC-100 CL2 或 3 7J：10ns100MHz 10K ：10ns100MHz 12：12ns83MHz

18、 15：15ns66MHz 例如：GM72V661641CT7K ，这是 64Mbit， 16 位输出，4 个 Bank，刚达到 PC-100 的要求（CL=3）SDRAM。 三.欧美生产系列及其它： 在欧美内存厂商中 Micron，IBM，SIEMENS 西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。 1.Micron。 Micron 的 SDRAM 芯片上标识为以下格式： MT48 XX XX M XX AX TG-XX X MT 代表是 Micron 的产品。 48

19、 代表是 SDRAM 系列。其后的 XX 如为 LC 则为普通 SDRAM。46V 为DDR SDRAM。 Mricron 的容量需要自己计算一下。方法是将 XX M XX 中的 M 前后的数字相乘，得到的结果即为容量。 M 后的 XX 表示数据位宽，4、8 、16 、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和32 位。 AX 代表 Write RecoveryTwr，如 A2 表示 Twr=2clk。 TG 为 TSOPII 封装。LG 为 TGFP 封装。 最后的 XX 是代表速度： 7：7ns143MHz 75：7.5ns133MHz 8X：8ns125MHz 其中 X 为 AE，字母越

20、后性能越好。按 CL-TRCD-TRP 的表示方法 AE分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2 、2-2-2、2-2-2。 10：10ns100MHz CL3 速度后如有 L 则为低耗。 62.IBM。 PC 电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM 的 PC100 内存有XXXXXXXCT3B260。 IBM 的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： IBM03 XX XX X XT3X -XXX IBM 代表为 IBM 的产品。 IBM 的 SDRAM 产品均为 03。 第 1、2 个 X 代表容量。 第 3、4 个 X 表示数据位宽，为 40、80、16 等。 一般的封装形式为 TSOP。

21、对 4 位数据位宽的型号，如第 4 个 X 不为 0 而为 B，则为 TSOJ 封装。 第 5 个 X 意义不详， 16Mbit 上多为 9，64Mbit 上多为 4。 第 6 个 X 为 P 为低功耗，C 为普通。 第 7 个 X 表示内核的版本。 最后的 XXX 代表速度： 68： 6.8ns147MHz 75A: 7.5NS133MHz 260 或 222：10nsPC100 CL2 或 3 360 或 322：10nsPC100 CL3在 B 版的 64Mbit 芯片中，260 和 360在 CL=3 时的标定速度为：135MHZ。 10：10NS100MHz 例如：IBM031680

22、9CT3D-10 ，16Mbit，8 位，不符合 PC-100 规范。 3.SIEMENS西门子 芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x -xx 前两个 xx 为容量,最后两位 xx 是速度： 6166MHz 7143MHz 7.5133MHz 8125MHz 8B100MHzCL3 10100MHzPC66 规格教你看懂内存编码！内存大小识别方法(详)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子 HYUNDAI：HY注：代号

23、 三星 SAMSUNG：KM 或 M NBM：AAA 西门子 SIEMENS：HYB 高士达 LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 7摩托罗拉 MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI ：MSM 美凯龙 MICRON：MT 德州仪器 TMS： TI 东芝 TOSHIBA：TD或 TC 日立 HITACHI：HM STI：TM 日电 NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有 Hitachi日立，Toshiba东芝，NEC日电，Mitsubishi三菱等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1

24、.HITACHI 日立。 1 日立内存质量不错，许多 PC100 的皆可稳上 133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有 HITACHI HM521XXXXXCTTA60 或 B60,区别是 A60 的 CL 是 2，B60 的 CL 是 3。市面上 B60 的多，但完全可超 133MHz 外频， HITACHI 的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM 代表是日立的产品，52 是 SDRAM，如为 51 则为 EDO DRAM。 第 1、2 个 X 代表容量。 第 3、4 个 X 表示数据位宽， 40、80、16 分别代表

25、 4 位、8 位、16 位。 第 5 个 X 表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到“F“了。 第 6 个 X 如果是字母 “L“就是低功耗。空白则为普通。 TT 为 TSOII 封装。 最后 XX 代表速度： 75：7.5ns133MHz 80：8ns125MHz A60 ：10nsPC-100 CL2 或 3 B60 ：10nsPC-100 CL3 例如：HM5264805F-B60，是 64Mbit，8 位输出，100MHZ 时 CL 是 3。 2.NEC。 NEC 的 SDRAM 芯片上的标识通常为以下格式： PD45 XX X X XG5-AXX X-XXX PD4 代表是 NEC

26、 的产品。 “5“代表是 SDRAM。 第 1、2 个 X 代表容量。 第 3 或 4 个 X 表示数据位宽， 4、8、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位、32 位。当数据位宽为 16 位和 32 位时，使用两位，即占用第 4 个 X。由于NEC 的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。 第 4 或 5 个 X 代表 Bank。“3“ 或“4“代表 4 个 Bank，在 16 位和 32 位时代表 2 个 Bank；“2“代表 2 个 Bank。 第 5 个 X，如为“1“代表 LVTTL。如为 16 位和 32 位的芯片，第 5 个 X 已被占用，则第 5 个 X 有双重含义

27、，如 “1“代表 2 个 Bank 和 LVTTL，“3“代表 4个 Bank 和 LVTTL。 G5 为 TSOPII 封装。 -A 后的 XX 是代表速度： 80：8ns125MHz 10：10nsPC100 CL 3 810B ：10ns 较 10 慢， Tac 为 7，不完全符合 PC100 规范。 12：12ns 70：PC133 75：PC133 速度后的 X 如果是字母“L“ 就是低功耗，空白则为普通。 -XXX：第一人 X 通常为数字，如 64Mbit 芯片上常为准，16Mbit 芯片上常为 7，规律不详。其后的 XX 的“JF“ 、“JH“、“NF“等。估计与封装外型有关：“

28、NF“对应: 44-pinTSOP-II；“JF“对应 54-pin TSOPII；“JH“对应 86-pin TSOP-II。 例如：PD4564841G5-A80-9JF，64Mbit ，8 位，4 个 Bank，在 CL=3 时可工作在 125MHZ 下，在 100MHZ 时 CL 可设为 2。 3.TOSHIBA 东芝。 TOSHIBA 的芯片上的标识为以下格式： TC59S XX XX X FT X-XX TC 代表是东芝的产品。 59 代表是 SDRAM 系列。其后的 S 为普通 SDRAM，R 为 Rambus SDRAM，W 为 DDR SDRAM。 第 1、2 个 X 代表容

29、量。 64 为 64Mbit，M7 为 128Mbit。 第 3、4 个 X 表示数据位宽， 04、08、16、32 分别代表 4 位、8 位、16位和 32 位。 第 5 个 X 估计是用来表示内核的版本。目前常见的为“B“ 。 FT 为 TSOPII 封装。 FT 后如果有字母“L“就是低功耗，空白则为普通。 最后的 XX 是代表速度： 75：7.5ns133MHz 80：8ns125MHz 10：10ns100MHz CL=3 例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit ，8 位，可正常工作在 125MHz，且为低功耗型号。二.韩国产系列： 韩国现在的 SEC 三星和 HY（现

30、代，它还将 LGS 给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。 1.SECSamsung Electronics三星。 三星的 SDRAM 芯片的标识为以下格式： KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM 代表是三星的产品。 三星的 SDRAM 产品 KM 后均为 4，后面的“S“代表普通的 SDRAM，如为“H“，则为 DDR SDRAM。 “S“ 前两个 XX 表示数据位宽，4、8、16 、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用“S“后的 X 乘 S 前的数字，得到的结果即为容

31、量。 “0“后的第一个 X 代表由几个 Bank 构成。2 为 2 个 Bank，3 为难个Bank。 9“0“后的第 2 个 X，代表 interface，1 为 SSTL，0 为 LVTTL。 “0“后的第 3 个 X 与版本有关，如 B、C 等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。 “T“为 TSOP 封装。 速度前的“G“ 和“F“ 的区别在自刷新时的电流，“F“ 需要的电流较“G“小，相当于一般的低功耗版。 “G/F“ 后的 X 代表速度： 7：7ns143MHz 8：8ns125MHz H：10nsPC100 CL2 或 3 L：10nsPC100 CL3 10：10

32、ns100MHz 例如：KM416S4031BT-GH，是 64Mbit16*4，16，4 个 Bank，在100MHZ 时 CL=2。 三星公布的标准 PC133 芯片： Unbuffered 型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered 型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 2.HYUNDAI 现代 现在国内常见的有 HY57V65XXXXATC 10 和 HY57V651XXXXXATC10。现代的 HY PC 100 SDRAM 的编号应是 ATC 10 或 BTC，没有 A 的或 B 的，就不是 PC 100 内存。经测试，发现

33、 HY 编号为 ATC10 的 SDRAM 上 133MHz时相当困难。而编号 ATC8 的上 133MHz 也不行，但可超到 124MHz。编号BTC 的 SDRAM 上 133MHz 很稳定。66841XT75 为 PC133 的，66841ET7K为 PC100 的。 现代的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX HY 代表是现代的产品。 5X 表示芯片类型，57 为一般的 SDRAM，5D 为 DDR SDRAM。 第 2 个 X 代表工作电压，空白为 5V，“V“为 3.3V, “U“为 2.5V。 第 3-5 个 X 代表

34、容量和刷新速度，分别如下： 16：16Mbits，4K Ref。 64：64Mbits，8K Ref。 65：64Mbits，4K Ref。 128：128Mbits ，8K Ref。 129：128Mbits ，4K Ref。 256：256Mbits ，16K Ref。 257：256Mbits ，8K Ref。 第 6、7 个 X 代表芯片输出的数据位宽， 40、80、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位。 第 8 个 X 代表内存芯片内部由几个 Bank 组成，1、2 、3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank。是 2 的幂次关系。 第 9 个 X 一般为

35、 0，代表 LVTTLLow Voltage TTL接口。 第 10 个 X 可以为空白或 A、B、C、D 等字母，越往后代表内核越新。 第 11 个 X 如为“L“则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。 10第 12、13 个 X 代表封装形式，分别如下： JC：400mil SOJ TC ：400mil TSOP-II TD ：13mm TSOP-II TG：16mm TSOP-II 最后几位为速度： 7：7ns143MHz 8：8ns125MHz 10p：10nsPC-100 CL2 或 3 10s：10nsPC-100 CL3 10：10ns100MHz 12：12ns83MHz

36、15：15ns66MHz 例如：常见的 HY57V658010CTC-10s，HY 是现代的芯片，57 说明是SDRAM，65 是 64Mhbit 和 4K refresh cycles/64ms，下来的 8 是 8 位输出，10 是 2 个 Bank，C 是第 4 个版本的内核，TC 是 400mil TSOP-封装，10S代表 CL=3 的 PC-100。需要指出的是-10K 不是 PC100 的产品，-7J 和-7K 也不是 PC133 的产品。-8 的性能要好于-7K 和-7J。 3.LGS LG Semicon LGs 早已被 HY 现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG 现有

37、的内存条编号后缀为 7J、7K 、 10K、8 。其中 10K 是非 PC100 规格的，速度极慢。7J 和 7K 才是 PC 100 的 SDRAM，7J 和 7K 工作模式的速度参数不同，LGs 7J 编号在 1073222，LGs 7K 编号是 1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而 8 才是真正的 8ns PC 100 内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多 10K 的 LGs 内存，速度比 7J 和 7K 差很远，但因外型相差不大，所以不少*商把 10K 冒充 7J 或 7K 的来卖。而 7J 和 7K 经过测试比较，7K 比7J 的更优秀，上 133MHz 时

38、 7K 比 7J 更稳定，但 7K 的市面上不多见。 LGS 的 SDRAM 芯片上的标识为以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX GM 代表为 LGS 的产品。 72 代表 SDRAM。 第 1、2 个 X 代表容量，类似现代， 16 为 16Mbits，66 为 64Mbits。 第 3、4 个 X 表示数据位宽，一般为 4、8、16 等，不补 0。 第 5 个 X 代表 Bank，2 对应 2 个 Bank，4 对应 4 个 Bank，和现代的不一样，属于直接对应。 第 6 个 X 表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到“E“ 了。 第 7 个 X 如果是字母 “L“，就是低功耗，空白则为普通。 “T“为常见的 TSOP封装，现在还有一种 BLP 封装出现，为“I“。 最后的 XX 自然是代表速度： 7.5：7.5ns133MHz 8：8ns125MHz 7K：10ns PC-100 CL2 或 3 7J：10ns100MHz 10K ：10ns100MHz