1、MOSFET 器件性能参数 名称IR 第三代IRFP460MTW20N50E(TYP)IR 新一代IRFP460LCFQL40N502SK2370FQA24N50F(TYP)(V)DSBV漏源击穿电压500 500 500 500 500 500(V)(thGS栅源门限电压 2.03.0 3.05.0 2.53.5(A)(ONDI通态漏极电流 20 20 40 20 24(25 )C( )SR通态电阻 0.27 0.2 0.27 0.085 0.32 0.156(mJ)AE重复雪崩能量 28 28 1780 285 1100(pF)isC输入电容 4200 3880 3600 5800 240
2、0 3500(pF)os输出电容 870 452 440 880 500 520(pF)rs反向传输电容 350 96 39 95 45 55(nC)gQ总栅电荷 210 100 120 155 65 90(nC)s栅-源电荷 29 44 32 37 15 23(nC)gd栅- 漏 Miller电荷110 49 78 30 52(ns)(ondt导通延迟时间 18 29 18 140 35 80(ns)r上升时间 59 90 77 440 60 250(ns)(ofdt关断延迟时间 110 97 40 350 105 200(ns)f下降时间 58 84 43 250 65 155(V)SDV
3、体二极管正向压降 1.8 0.916 1.8 1.4 1.0 1.4(ns)rt体二极管反向恢复时间 570 431 570 520 500 250选用 MOSFET 的 3 个原则反应时间：反应时间分为开启时间（ ）和关断时间（ ） ，开启时间等于导ontoft通延迟时间加上上升时间，即 = + ；关断时间等于关断延迟时间加上下)(dr降时间，即 = + 。以上六个型号的 MOSFET 中，开启时间和关断时间oft)(fdft排列如下：器件型号IR 第三代IRFP460IR 新一代IRFP460LCMTW20N50E(TYP)FQL40N50FQA24N50F(TYP)2SK2370（nso
4、nt）77 95 119 580 320 95（nsoft）168 83 181 600 355 170驱动功率： P=WF=0.5C F=0.5* *F*Q/U =0.5*F*QU2U2Q-栅源电荷 U-栅源电压 F-驱动信号频率因此得出结论： 驱动信号相同的情况下,驱动功率取决于以上六个型号的 MOSFET 中，驱动功率从小到大依次为：2SK2370,FQA24N50F,IRFP460, IRFP460LC,FQL40N50,MTW20N50E热效应：管子工作时，等效电阻发热，发热程度与通态电阻 和通态漏极电流有)(ONDSR关，因此必须适当选取这两个参数，以便将热效应控制在一个可以接受的范围内以上六种型号的 MOSFET 器件的通态漏极电流，等效电阻及热效应值如下：参数 IR 第三代IRFP460IR 新一代IRFP460LCMTW20N50E(TYP)FQL40N50FQA24N50F(TYP)2SK2370(A)(ONDI20 20 40 24(25 )C20( )SR0.27 0.27 0.2 0.085 0.156 0.32E(J) 108 108 136 90 128
