1、第一章 第 1 页 共 17 页模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图 1.1 所示，已知 ，二极管导通电压降 。试画5siniutVD0.7VU出 和 的波形，并标出幅值。iuo解：通过分析可知：(1) 当 时，37Vi.37ou.(2) 当 时，ioiu(3) 当 时，iu.V总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图 1.2 所示。 （1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算 AO 两端的电压 。AOU解：对于（a）来说，二极管是导通的。采用理想模型来说， 6VAO采用恒压降模型来说， 7U.对于（c）来说，二极管 是导通的，二极管 是截
2、止的。1D2D第一章 第 2 页 共 17 页采用理想模型来说， 0AOU采用恒压降模型来说， 7V.1.3 判断题图 1.3 电路中的二极管 D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流 D?I解：（b）先将二极管断开，由 KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101V8U.左 54右 故此二极管截止，流过的电流值为 0DI（c）先将二极管断开，由 KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：，152VU.左 2505V18U.左 014右 由于 ，故二极管导通。5.右 左运用戴维宁定理，电路可简化为 05327A1D.I.1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图 1.6
3、 所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。解： T1: 硅管，PNP，11.3V 对应 b, 12V 对应 e, 0V 对应 cT2: 硅管，NPN，3.7V 对应 b, 3V 对应 e, 12V 对应 cT3: 硅管，NPN，12.7V 对应 b, 12V 对应 e,15V 对应 cT4: 锗管，PNP，12V 对应 b, 12.2V 对应 e, 0V 对应 cT5: 锗管，PNP，14.8V 对应 b, 15V 对应 e, 12V 对应 cT6: 锗管，NPN，12V 对应 b, 11.8V 对应 e, 15V 对应 c第一章 第 3 页 共 17 页模拟电子技术基础第二章2.
4、2 当负载电阻 时，电压放大电路输出电压比负载开路（ ）时输出电压L1kRLR减少 20%，求该放大电路的输出电阻 。or解：由题意知： L08OCOCoU.r解得 025ko.2.5 电路如题图 2.2 所示，设 BJT 的 ， 、 可忽略不计，试分析当开06VBE.CEOIS关 S 分别接通 A、B 、C 三位置时，BJT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流 。I解： ，1243mCSI/38075mABS/.(1) 开关打在 A 上： ，故三极管工作在饱和区。1264BS.IICSI(2) 开关打在 B 上： ，故三极管工作在放大区。028A5BS.I I18mAC
5、I.(3) 开关打在 C 上：发射结和集电结均反偏，故三极管工作在截止区。IC=02.9 题图 2.6 画出了某固定偏流放大电路中 BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：(1)电源电压 ，静态电流 、 和管压降 的值；CVBICCEV(2)电阻 、 的值;bRc(3)输出电压的最大不失真幅值；(4)要使该电路不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解：(1)由输出特性图中可以读到： ， ， , 。20uABI1mCI3VCEU6C(2) ，30kCbBVRI3kCEVURI(3) 450815OMEQESUmin(,)in(.,.)(4)要使电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值取
6、 2uA第一章 第 4 页 共 17 页2_11、单管放大电路如图题 3.4.2 所示已知 BJT 的电流放大系数 50。 （1）估算 Q 点；（2）画出简化 H 参数小信号等效电路；（3 ）估算 BJT 的朝人电阻 rbe；（4）如输出端接入 4 k 的电阻负载，计算 及 。iOVASOVS解（1）估算 Q 点ARVIbCB40mIBC2VIE（2）简化的 H 参数小信号等效电路如图解 3.4.2 所示。（3）求 rbe 8632)501(26)1(20 mAVImEbc（4） |0 beLCbeLiVrRrA 73|0 besVsiVsisVS rA2-14.电路如图所示,设耦合电容和旁路
7、电容的容量均足够大,对交流信号可视为短路.(1)求 Au=Uo/Ui，ri ，ro(2)求 Au=Uo/Us(3)如将电阻 Rb2 逐渐减小,将会出现什么性质的非线形失真?画出波形图.第一章 第 5 页 共 17 页2.15 电路如题图 2.11 所示。(1)画出放大电路的微变等效电路；(2) 写出电压放大倍数 的表达式； iouUA.1iou.2(3)求输入电阻 ；ir(4)画出当 时的输出电压 、 的波形（输入 为正弦波，时间关系对齐）ecR1ou2iu解：（1）VRb2RcC1C2+Ucc=+20V+_UoRb1Re2 CeRe1+UsRs100k6.8k20k1k 1502k=100r
8、i ro13.(1) 5.3811ebecu RrA121bbCBRRUmAIeeBEBE .121 kIrEbbe .26kRrebebbi 6./ 121kco8.6(3) Rb2 减小将会产生饱和失真VRb1Rb2 RcRe1Re2+Ucc直流通路VRb1 Rb2 RcRe1Rs+_+_UiUoUs交流通路(2) 5.34usiius ARrA返回第一章 第 6 页 共 17 页(2) ebeCbeCiou RrRirUA)1()1(.1 2.oeu.bebeei()i()(3) ,其中/iirR1ier(4)由于考虑到 ，因而 其波形图可参考如下：c 2uA2.17 在题图 2.13
9、所示电路中，已知三极管的 ， ，试求：1kber80(1)电路的 Q 点；(2) 和 时的电压增益 、输入电阻 及输出电阻 ；LR30kL. uAior解：(1)画出电路直流通路如下图所示：第一章 第 7 页 共 17 页列式： BebCIRV7.0得到： ，从而可求得：325ABbeI. 26mAECBII.故： 1672VCEUI.(2)做出电路交流通路如下图所示： )/)(1)/()1(. LebeLebbeiou RrRirUA当 时，LR096ubee.()1kibr/(36sbeor/R.当 时，30kLR.1092eLube()/)A.r(R6ki eLR/)/)第一章 第 8
10、页 共 17 页36k1sbeo(R/r)r/.2.19 已知电路参数如题图 2.17 所示，FET 工作点上的互导 ，设 。1mgSdrR?（1）画出电路的小信号模型；（2）求电压增益 ；uA（3）求输入电阻 。ir解：（1）电路的小信号模型如下图示：（2） mgsdo mdui 1103.2URA（3） 。ig31g23/=MRr2.24 电路如题图 2.19 所示，其中三极管的 均为 100，且 ， 。be15.3krbe26r（1）求各级的静态值；（2）求 和 ；iro（3）分别求出当 和 时的 。LRL3.6kusA解：（1）对于第一级来说： CBE1B1 63be120.75A.5
11、VUIRC1EB10.5mAII；33Ce2.107.8.2UV对于第二级来说： B21309第一章 第 9 页 共 17 页E230745mA1.IC2E045mAI.BC.E20(.1)3VU（2） 239148ki ber/r.i()75/)9beiii.M/.248kroC21kR（3） ； ；uu2A1时： ； ；LCu2be026Rru1u20Aus48015A时： ； ；L3.6kRC2Lu2be/102/3.64RAru1u246Aus48.602-25.电路参数如图题 4.5.1 所示。设 FET 的参数为 gm0.8ms，rd200k；3AG29（T2）的40，rbe1k。
12、试求放大电路的电压增益 Av 和输入电阻 Ri。 解（1）求由于 rdRd，故 rd 可忽略，图题 4.5.1 的小信号等效电路如图解 4 .5.1 所示。由图有 第一章 第 10 页 共 17 页（2）求 Ri2.29 某放大电路 的对数幅频特性如题图 2.24 所示。uA（1）试求该电路的中频电压增益 ，上限频率 ，下限频率 ；umHfLf（2）当输入信号的频率 或 时，该电路实际的电压增益是多少分贝？LfHf解：（1）由图中可以看出中频电压增益为 ； ； ；60dB810Hfz210LfHz（2）实际电压增益为 。603=572-30 已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为（式中 f 的单位为 Hz）)10)(1(5fjfjAV试求：该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频区的相位差。解：上下限频率分别为 和 ，中频增益 ，转化为分Hzf5zfL10VMA贝数： ， 为实数，故 ， 相位差为 0。dBAVM40210lg2l0VMAi/2-31 一放大电路的增益函数)1()( 6ss
