1、1.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm,1.（4）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm,2.（）奈米線為一維奈米材料,2.（ ）奈米線為一維奈米材料,3.（）本實驗奈米線合成的材料為何,3.（ZnO）本實驗奈米線合成的材料為何,4.（）本實驗合成奈米線的溫度,4.（500 ）本實驗合成奈米線的溫度,5.（）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2,5.（2）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2,6.（）本實驗合成奈米線的機制,6.（VLS
2、,VS）本實驗合成奈米線的機制,7.（）VLS為何,7.（氣相-液相-固相）VLS為何,8.（）VS為何,8.（氣相-固相）VS為何,9.（）本實驗合成奈米線的觸媒為何,9.（金）本實驗合成奈米線的觸媒為何,10.（）本實驗合成奈米線使用的基板為何,10.（矽,氧化鋁）本實驗合成奈米線使用的基板為何,11.（）ZnO奈米線的晶體結構,11.（HCP）ZnO奈米線的晶體結構,12.（）ZnO為半導體材料,12.（ ）ZnO為半導體材料,13.（）ZnO為寬能隙半導體,13.（ ）ZnO為寬能隙半導體,14.（）ZnO為功能性氧化物,14.（ ）ZnO為功能性氧化物,15.（）HCP的APF為何,
3、15.（0.74）HCP的APF為何,16.（）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205,16.（ ）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205,17.（）ZnO為P-Type,17.（ ）ZnO為P-Type,18.（）合成奈米線時須放置在爐管中央,18.（ ）合成奈米線時須放置在爐管中央,19.（）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g,19.（1）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0
4、g （4）3.3 g,20.（）ZnO奈米線摻雜何種材料,20.（Al）ZnO奈米線摻雜何種材料,21.（）奈米線具有高比表面積,21.（）奈米線具有高比表面積,22.（）奈米線易於應用感測元件,22.（ ）奈米線易於應用感測元件,23.（）奈米線易於應用雷測元件,23.（）奈米線易於應用雷測元件,24.（） SEM 全名,24.（掃描式電子顯微鏡） SEM 全名,25.（） TEM全名,25.（穿透式電子顯微鏡） TEM全名,26.（） SEM 試片製作需鍍金,26.（） SEM 試片製作需鍍金,27.（）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪,27.（ ）製作奈米線的TEM 試片必需使
5、用超音波震盪,28.（）超音波震盪使用時間為20分,28.（）超音波震盪使用時間為20分,29.（）如何判定是VLS或VS,29.（有無鍍金）如何判定是VLS或VS,30.（）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性,30.（ ）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性,31.（）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測,31.（ ）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測,32.（）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測,32.（）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測,33.（） UV稱為紫外光,33.（ ） UV
6、稱為紫外光,34.（）分析場發射特性時需抽真空,34.（）分析場發射特性時需抽真空,35.（）50 Torr 稱為低真空,35.（）50 Torr 稱為低真空,36.（） 10-2 Torr 稱為低真空,36.（） 10-2 Torr 稱為低真空,37.（） 10-5 Torr 稱為高真空,37.（） 10-5 Torr 稱為高真空,38.（）抽真空時需先開渦輪幫浦,38.（ ）抽真空時需先開渦輪幫浦,39.（）分析場發射特性時需量測極限值,39.（ ）分析場發射特性時需量測極限值,40.（）分析場發射特性時起始電壓越低越好,40.（ ）分析場發射特性時起始電壓越低越好,41.（）VE L,4
7、1.（）VE L,42.（）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好,42.（ ）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好,43.（）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好,43.（）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好,44.（）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37 eV （3） 5.37 eV （4） 3.27 eV,44.（1）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時為（1） 3.37 eV（2） 4.37eV（3） 5.37 eV （4） 3.27 eV,45.（）氧化鋅的Thermoelectric Constant at
8、 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K,45.（1）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K,46.（）氧化鋅可應用於太陽能電池,46.（ ）氧化鋅可應用於太陽能電池,47.（）何為 Solar cells,47.（太陽能電池）何為 Solar cells,48.（）奈米結構改變材料的光電磁熱特性,48.（ ）奈米結構改變材料的光電磁熱特性,49.（）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積,49.（）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積,50.（） SFLS稱為超臨界流體-液-固,50.（） SFLS稱為超臨界流體-液-固,
