1、1合同编号：2017-公开-566 号郑州大学政府采购货物合同甲方： 郑州大学 乙方： 河南安强科贸有限公司 本合同于 年 月 日由甲乙双方按下述条款签署。在甲方为获得（郑州大学物理工程学院实验室仪器采购项目）货物和伴随服务实施公开招标，乙方参加了公开招标。通过公开招标，甲方接受了乙方以总金额（人民币 小写：3359600 元 大写：叁佰叁拾伍万玖仟陆佰元整） （以下简称“合同价” ）的投标。双方以上述事实为基础，签订本合同。一、供货范围及分项价格表（详见附件 1、附件 2）1、本合同所指设备详见附件 1、附件 2 ，此附件是本合同不可分割的部分。2、总价中包括设备金额、包装、运输、保险费、装
2、卸费、安装及相关材料费、调试费、软件费、检验费及培训所需费用及税金，甲方不再另行支付任何费用。二、质量及技术规格要求乙方须按合同要求提供全新设备（包括零部件、附件、备品备件） ，设备的质量标准、规格型号、具体配置、数量须符合招标标书要求，其产品为原厂生产，且应达到乙方投标文件及澄清文件中明确的技术标准。乙方应在本合同生效后 7 个工作日内向甲方提供安装计划及质量控制规范；并于 7 月 30 日前进驻安装现场；所有设备运送到甲方指定地点后，双方在 3 日内共同验收并签署验收意见。甲方无正当理由，不得拒绝接收；在安装调试过程中，甲方有权采取适当的方式对乙方产品的质量标准、规格型号、具体配置、数量以
3、及安装质量和进度等进行检查。甲方如果发现乙方所供设备不符合合同约定，甲方有权单方解除合同，由此产生的一切费用乙方承担。3、包装与运输设备交付使用前发生的所有与设备相关的运输、安装及安全保障事项等均由乙方负责；设备包装应符合抗震、防潮、防冻、防锈以及长途运输等要求，由于2包装不当或防护措施不力而导致的商品损坏、损失、腐蚀等损失均由乙方承担；设备交付使用前所发生的所有与设备相关的经济纠纷及法律责任均与甲方无关。四、质保期与售后服务（详见附件 3）1、所有设备免费质保期为 壹 年，自验收合格并交付给甲方之日起计算，且乙方应终身维护、维修。2、在质保期内，因产品质量造成的问题，乙方应免费提供配件并现场
4、维修，且所提供的任何零配件必须是其原设备厂家生产的或经其认可的。产品存在质量问题，甲方有权要求乙方换货。3、乙方须提供一年 6 次全免费（配件+人力）对产品设备的维护保养。4、乙方承诺在郑州设有售后服务站，凡设备出现故障，自接到甲方报修电话 1 小时响应，3 小时内到达现场，24 小时内解决故障问题。保修期外只收取甲方零配件成本费，其他免费。5、乙方有责任对甲方相关人员实施免费的现场培训或集中培训措施，保证甲方相关人员能够独立操作、熟练使用、维护和管理有关设备。 6、其它应规定事项。五、技术服务1、乙方向甲方免费提供标准安装调试及 3 人次国内操作培训。2、乙方向甲方提供设备详细技术、维修及使
5、用资料。3、软件免费升级和使用。六、专利权乙方应保证甲方在使用其所提供的产品时免受第三方提出侵犯其专利权、商标权或保护期的起诉。7、免税1、属于进口产品，用于教学和科研使用的，中标价为免税价格。2、免税产品应由甲乙双方依据海关的要求签订委托进口代理协议，确认甲乙双方的责任与义务。委托进口代理协议作为本合同的不可分割部分。3、免税产品通关时乙方必须进行商检，未商检的，造成的损失由乙方承担。八、交货时间、地点与方式1、乙方于 2017 年 12 月 30 日之前将货物按甲方要求在甲方指定地点交货、安装、调试完毕，并具备使用条件，未经甲方允许每推迟一天，按合同总额3的千分之五扣除违约金。2、乙方负责
6、所供货物的包装、运输、安装和调试，并承担所发生的费用；甲方为乙方现场安装提供水、电等便利条件。3、安装过程中若发生安全事故由乙方承担。4、乙方安装人员应服从甲方的管理，遵守国家法律法规和学校相关制度，否则一切后果均由乙方承担。5、货物交付使用前，乙方负责对提供货物进行看管，并承担货物的丢失、损毁等风险。九、验收方式1、初步验收。甲方按合同所列质量标准、规格型号、技术参数以及数量等在现场验收，并填写初步验收单。验收时，甲方有权提出采用技术和破坏相结合的方法进行验收。乙方应向甲方移交所供设备完整的使用说明书、合格证及相关资料。乙方在所有设备（工程）安装调试、软件安装完毕后，开展现场培训，使用户能够
7、独立熟练操作使用仪器或设备，尔后由供需双方共同初步验收；甲乙双方如产生异议，由第三方重新进行验收。如果乙方提供的货物与合同不符，甲方有权拒绝验收，由此所产生的一切费用由乙方承担。2、正式验收：依据河南省财政厅“关于加强政府采购合同监督管理工作的通知豫财购（2010）24 号”文件要求，政府采购合同金额 50 万元以上的货物采购项目，由使用单位初验合格后，向学校国有资产管理处提出验收申请，国有资产管理处牵头，会同财务、审计、监察、资产管理及专家成立验收专家组进行正式验收。学校验收通过后，才能支付合同款项。十、付款方式1、本合同总价款（大写）为： 叁佰叁拾伍万玖仟陆佰元整（小写：￥3359600元
8、）。2、付款方式：货物验收合格后，经审计后，甲方向乙方支付全部货款的 95即人民币 叁佰壹拾玖万壹仟陆佰贰拾 元整（小写：￥3191620 元） ，质保期满后，甲方向乙方支付剩余货款 5即人民币 壹拾陆万柒仟玖佰捌拾 元整（小写：￥ 167980 元） 。十一、履约担保4乙方向甲方以现金或转帐的方式提供合同总额 5%的履约保证金。履约担保金5附 1： 供货范围及分项价格表 单位：元序号 设备名称 品牌型号制造厂（商） 原产地（国）技术规格参数及功能描述 数量 单价 合价 备注1微波等离子体化学气相沉积系统PLASSYS SSDR150PLASSYS-BESTEK SAS 法国 见附 2 1 3
9、359600 3359600 免税合计： 小写：￥ 3359600 元 大写：人民币 叁佰叁拾伍万玖仟陆佰元整6附 2：设备配置清单表序号 设备名称 品牌型号 规格及技术参数 生产商 原产地（国）技术：1、反应腔体1.1 微波谐振腔采用铝合金制造，散热性能好，以保证在高功率下能够长时间稳定工作。1.2 内置圆柱石英反腔体内径 180mm、高度 90mm, 可以避免生长样品过程中刻蚀腔壁。1.3 反应腔体能够支持高功率密度等离子体，且反应工艺气压可达 350mbar 或更高，可以高速率生长单晶。1.4 等离子球与反应腔体的对心性好。2、微波发生器2.1 采用 2.45GHz、6kW 连续功率微波
10、发生器，调试运行 10 小时以上稳定性好。2.2 微波发生器电源配有 LCD 显示屏，能够实时显示微波入射和反射功率。2.3 采用欧美主流方法和微波测漏仪检测，系统的微波泄露：2mW/cm 2。3、气路3.1 本次提供的 PLASSYS SSDR150 配有 5 条气路，每条气路含有一个气动阀门和质量流量控制器。3.2 气路及最大流量分别为：氢气 1000sccm、氧气 20sccm、甲烷 50sccm、氮气 5sccm、氩气 10 sccm。4、样品台4.1 样品台水冷，水路无泄露，并且提供过滤器处理循环水。4.2 生长样品过程中样品台高度实时电动可调，高度调节精度可达 10m，该项功能设计
11、用于一次性生长厚单晶。1微波等离子体化学气相沉积系统PLASSYS SSDR1504.3 我方提供专门设计钼托，可用于生长单晶金刚石、2 英寸多晶光学级金刚石薄膜。PLASSYS-BESTEK SAS法国7序号 设备名称 品牌型号 规格及技术参数 生产商 原产地（国）5、样品测温5.1 采用双色红外高温计，对等离子体穿透性好，测温范围为：475C1475C。5.2 预留专门设计的观察口，辅以光束观察实际测温位置。6、真空系统6.1 采用爱德华兹组合真空泵：干泵抽气速率为 10 m3/h，分子泵抽气速率为 240 l/s。6.2 从大气压抽到 610-7mbar：3 小时，系统极限真空度210
12、-7mbar。7、控制系统7.1 配套有全自动控制系统、工业电脑、必要的数据接口及全英文可视化操作软件。7.2 支持多级用户权限设置和多用户管理，支持设备的远程操作、监控、维护和故障诊断。7.3 含故障报警及定位功能，能及时提示相应故障来源。7.4 支持全自动、半自动和手动操作模式。8、气路系统按照实验室条件，匹配工艺气体供气气路和危险气体尾气处理及报警设备。其中，氢气气路在不切断供气条件下实现连续切换氢气瓶。9、设备用途9.1 适合生长超高纯度单晶，杂质浓度可以低于 1ppb，法国科学研究中心等用户发表了大量相关的SCI 学术文献，例如：Achard, J., R. Issaoui, et
13、al. (Submitted). “Freestanding CVD boron doped diamond single crystals: a substrate for vertical power electronic devices?“ Physica status solidi (a).Issaoui, R., J. Achard, et al. (2012). “Evaluation of freestanding boron-doped diamond grown by chemical vapour deposition as substrates for vertical
14、power electronic devices.“ Applied Physics Letters 100(12): 122109-122104.8序号 设备名称 品牌型号 规格及技术参数 生产商 原产地（国）Kumar, P., A. Ahmad, et al. (2011). “Enhanced negative ion yields on diamond surfaces at elevated temperatures.“ Journal of Physics D: Applied Physics 44(37): 372002.Issaoui, R., J. Achard, et a
15、l. (2011). “Influence of oxygen addition on the crystal shape of CVD boron doped diamond.“ physica status solidi (a) 208(9): 2023-2027.Barjon, J., T. Tillocher, et al. (2011). “Boron acceptor concentration in diamond from excitonic recombination intensities.“ Physical Review B 83(7): 073201.Achard,
16、J., F. Silva, et al. (2011). “Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics.“ Diamond and Related Materials 20(2): 145-152.Issaoui, R., J. Achard, et al. (2010). “Growth of thick heavily boron-doped diamond single crystals: Effect of microwave power density.“ Applied Physics L
17、etters 97(18): 182101-182103.Hassouni, K., F. Silva, et al. (2010). “Modelling of diamond deposition microwave cavity generated plasmas.“ Journal of Physics D: Applied Physics 43(15): 153001.Belhaj, M., T. Tondu, et al. (2010). “The effects of incident electron current density and temperature on the
18、 total electron emission yield of polycrystalline CVD diamond.“ Journal of Physics D: Applied Physics 43(13): 135303.Silva, F., K. Hassouni, et al. (2009). “Microwave engineering of plasma-assisted CVD reactors for diamond deposition.“ Journal of Physics: Condensed Matter 21(36): 364202.Silva, F., J
19、. Achard, et al. (2009). “High quality, large surface area, homoepitaxial MPACVD diamond growth.“ Diamond and Related Materials 18(5-8): 682-697.9.2 适合一次性生长厚单晶以及多种子生长，单次生长厚度可达 2mm。9.3 适合生长 2 英寸光学级金刚石薄膜。10、安装及培训10.1 原厂资深工程师上门安装和调试设备，并完成相关验收工作。9序号 设备名称 品牌型号 规格及技术参数 生产商 原产地（国）10.2 原厂提供金刚石单晶及多晶生长演示和培训：1
20、0.2.1 原厂提供对于单晶生长的培训，包括种子的选择及处理、种子与样品台绑定技巧、生长工艺参数的选择及控制、样品与种子分离方法讲授等；10.2.2 对于多晶生长培训，包括衬底选择与种籽晶方法、工艺参数选择与控制、生长过程中样品质量好坏经验鉴别、生长结束方法、衬底与样品分离方法等。10.3 原厂工程师现场演示并指导用户进行单晶生长及 2 英寸多晶薄膜生长，单晶生长厚度大于200m。11、技术文件我方交货时提供完整的技术文件，包括系统机械图、电气图、用户指南、部件说明书；交货时，我方提供主要部件、易耗件及备件清单，外购部件提供型号等详细信息。12、易耗品我方提供一套备件，包括：圆柱石英反应腔：2 个、专用氟橡胶环：10 个、磁控管备件：1 支。10
